نتایج جستجو برای: ترانزیستور دوقطبی نامتجانس
تعداد نتایج: 1768 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سهگیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونلزنی به درون ناحیه سورس، مشخصههای ماسفت سهگیتی در مقایسه با ساختار ماسفتهای سهگیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ میشود، اثرات منفی آن نیز کاهش مییابد. در ساختار ارائه شده...
مشخص شدن نوع اختلال در مراحل اولیه ی بیماری میتواند در انتخاب درمان مناسب بسیار کمککننده باشد. در این میان، یکی از موضوعات بحثانگیز، تشخیص و مداخله ی اولیه در اختلال های خلقی است. هدف پژوهش حاضر، بررسی میزان توانایی معیارهای اختلال طیف دوقطبی در تمایز دو گروه افسرده ی یکقطبی و دوقطبی بود. بدین منظور، طی یک پژوهش توصیفی، 114 بیمار افسرده ی بستری و سرپایی مبتلا به اختلال های خلقی در بیمارستان...
اختلالات خلقی از شایع ترین اختلالات روان پزشکی می باشند که در این میان اختلال دوقطبی از اهمیت ویژه ای برخوردار است، زیرا مراجعه بیمار در دوره افسردگی باعث تشخیص اشتباه بیماری گردیده، درمان این افراد را دچار مشکل می نماید. در این مطالعه ما به بررسی شیوع طیف دوقطبی در بیماران با تشخیص اولیه افسردگی پرداختیم . روش کار: این تحقیق یک مطالعه ی توصیفی می باشد که بر روی 250 بیمار مراجه کننده به کلینیک ...
ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...
ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...
در دهه های اخیر بلورهای فوتونی مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته اند و نوید بخش تحولات عظیم مخصوصاً در زمینه صنعت مخابرات و ارتباطات می باشند و انتظار می رود که در آینده ای نه چندان دور شاهد تحولات شگرف (مشابه تحولات بوجود آمده در زمان کشف نیمرساناها) در زمینه قطعات اپتوالکتریک باشیم. فصل مشترک موجود در بلورهای فوتونی نامتجانس که ازاتصال دو بلور فوتونی با پارامترهای فیزیکی و تقارن هندسی متفاوت ...
پیش زمینه و هدف: این پژوهش باهدف مقایسه الگوی نقص نظریه ذهن و تنظیم هیجان در بیماران مبتلا به اختلال دوقطبی، افسردگی اساسی و گروه عادی انجام شده است.مواد و روش کار: در این مطالعه که از نوع علی- مقایسه ای بود آزمودنی های پژوهش را 40 بیمار دوقطبی، 40 فرد افسرده و 50 فرد عادی تشکیل داده اند؛ که به روش نمونه گیری در دسترس از بین بیماران دوقطبی بستری در بیمارستان رازی شهر تبریز و بیماران افسرده ای ک...
مقدمه: نارسایی های شناختی و حرکتی و کیفیت زندگی پایین، بیماران افسرده و دوقطبی را تحت تأثیر قرار می دهد. هدف این پژوهش، بررسی و مقایسه نارسایی های شناختی، نارسایی های حرکتی و کیفیت زندگی در بیماران مبتلا به اختلالات افسردگی و دوقطبی می باشد. روش بررسی: این پژوهش علی- مقایسه ای است. جامعه آماری پژوهش، کلیه افراد مراجعه کننده به بخش روانی بیمارستان امام حسین (ع) شهر تهران در سال1392است که تشخیص ا...
برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید