تاثیر مهندسی کانال و نواحی کناری بر کارکرد فرکانسی و سوییچینگ ترانزیستور نانوتیوب کربنی و ماسفت سیلیکنی دو گیتی مطالعه گردیده است. پارامترهای عملکرد مانند فرکانس قطع، سرعت سوییچینگ، مشخصه دوقطبی و نسبت جریان حالت روشن به خاموش محاسبه و بهینه سازی شده اند. به دلیل ایجاد رفتار الکترواستاتیکی مطلوب، اتصالات سورس و درین یک بعدی مورد استفاده قرار گرفته است. کاهش فرکانس قطع در اثر نفوذ تابع موج در اک...

هدف: پژوهش حاضر به منظور تعیین میزان حضور و فعالیت دانشگاه­ها و مؤسسات پژوهشی کشور در شبکه اجتماعی علمی ریسرچ گیت انجام شده است. روش پژوهش: پژوهش حاضر از نوع کاربردی است و با روش علم سنجی انجام شده است. داده های مورد نیاز از شبکه اجتماعی علمی ریسرچ گیت جمع­آوری شده است. در این پژوهش از میان 428 دانشگاه و مؤسسه ایرانی حاضر در ریسرچ گیت، عملکرد سی دانشگاه و مؤسسه برتر بر اساس شاخص­های ششگانه آر.ج...

در این پایان نامه پارامترهای مهم در مدارات دیجیتال توضیح داده شده و چند سلول جمع کننده متداول مورد بررسی قرار گرفته است. ایده های مختلفی که در پیاده سازی مدارات جمع کننده وجود داشته، شبیه سازی شده است. در پیاده سازی مدار سلول جمع کننده، در بعضی از مقالات طبقات ورودی و در بعضی دیگر طبقات خروجی متفاوت است. در مقالات متفاوت از منطق های cmos مکمل، نسبتی، ترانزیستور عبوری مکمل، گیت های انتقال و تابع...

پس از کشف نانولوله¬های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی¬های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده¬اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده، پرداخته ایم...

یک دیود نورگسیلِ آلی تک لایه ای از یک لایه ی آلی (لایه ی فعال) که بین دو الکترود قرار گرفته است تشکیل شده است. بنا به دلایلی از جمله افزایش کارایی دیود، بهبود بازدهی، افزایش طول عمر و ... لازم است که در ساختار دیود از لایه های دیگری به جز لایه ی فعال نیز استفاده کنیم. به این لایه های کمکی، لایه های میانگیر گفته می شود. یکی از پارامترهای مهم در بهینه سازی یک دیود نورگسیل آلی ضخامت لایه های تشکیل ...

تثبیت کننده های ولتاژ با افت کم (ldo) یکی از بلوک های اصلی واحد مدیریت توان به شمار می روند. یک واحد مدیریت توان پیشرفته برای کاربردهای درون-تراشه ای به تعدادی تثبیت کننده ولتاژ به منظور راه اندازی المان ها و بلوک های عملیاتی نیاز دارد. تثبیت کننده های ولتاژ اغلب برای ایجاد یک ولتاژ ثابت و کم نویز به منظور تغذیه مدارهای آنالوگ به کار می روند. این ولتاژ باید در مقابل تغییرات جریان بار و ولتاژ خط...

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

با کوچک کردن تکنولوژی بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه و افزایش کارایی این قطعه آثار ناخواسته ای به نام آثار کانال کوتاه (مانند کاهش سد ناشی از درین، roll off ولتاژ آستانه و... ) ظاهر می شوند که کارایی افزاره را کاهش می دهند. برای کاهش این آثار کانال کوتاه ساختارهای مختلفی از جمله ماسفت soi utb ، ساختارهای عمودی، ترانزیستور مهندسی باند و ساختارهای دوگیتی و غیره توسط محققان پیشنهاد ش...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...