چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفت شدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان ...

در این مقاله اثر طراحی بهینه قالب بر نیروی کشش مفتول بررسی شده است. نیروی کشش با روش کرانه فوقانی محاسبه شده است. به دلیل پیچیدگی جریان فلز در قالب، تحلیل فرایند براساس قالب مدور انجام شده است. برای ایجاد قالب مدور معادل، مساحت و شعاع مقطع معادل در مقاطع مختلف محاسبه شده اند و سپس پروفیل قالب مدور معادل توسط یک میدان سرعت مشخص شده است. سپس نرخ کرنشها، توان داخلی، توان بررسی توان اصطکاکی و تنش ک...

رهیافت این پایان نامه گام اول از یک مسیر تحقیقاتی در بررسی مشخصه های مختلف فیبرهای بلور فوتونیِ میان تهی با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود است.در ابتدای کار برنامه ای جهت شبکه بندی سلول واحد در دو محیط نرم افزاری فرترن 90 و متلب نوشته شده است که قابلیت شبکه بندی یکنواخت سلول واحد ساختار مثلثی و با اندکی تغییر ساختارهای دیگر را دارد.در ادامه ی کار نیز روابط مربوط به روش اجزای محدود در قالب ب...

بلورهای فوتونیک ساختارهای متناوب از مواد دی¬الکتریکی¬اندکه مهم¬ترین مشخصه¬ی آن¬ها داشتن گاف نواری فوتونیک است. فرمول¬بندی و روابط فیزیکی مربوط به بلورهای فوتونیک، امواج بلوخ، تقارن¬ها، نقص در بلورهای فوتونیک و ... معرفی می¬گردد. بلورهای فوتونیک مغناطیسی، نوعی از بلورهای فوتونیک¬اند که در آن¬ها اجزای مغناطیسی در کنار مواد دی¬الکتریکی قرار داده می¬شود و با به¬کاربردن میدان مغناطیسی خارجی، خاصیت م...

      در این تحقیق، تاثیر مواد افزودنی گل­ و سازندهای حفاری شده در غلظت فلزات پسماندهای حفاری چاه 449 میدان نفتی اهواز مورد بررسی قرار گرفت. نمونه­برداری از مواد افزودنی گل، گل­های حفاری، پسماند (گل+خرده) سازندهای حفاری شده و همچنین خاکهای اطراف منطقه حفاری صورت گرفت. پس از آماده­سازی نمونه­ها، برای تعیین غلظت فلزات از روشهای ICP-MS و ICP-OES استفاده شد. نتایج نشان می­دهد که باریت منشا فلزات C...

چکیده: مساله مهمی که فکر انسان امروزی را به خود مشغول نموده است، مساله بهره وری بیشتر در همه زمینه ها بخصوص در زمینه کشاورزی و تولید محصولات غذایی می باشد. لذا به منظور استفاده بهینه از امکانات موجود بشر سعی در به کار بستن راه کارهای جدید دارد تا بتواند بر مشکل بحران ماده و انرژی فایق آید و به همین امید در این تحقیق اثر میدان الکتریکی بر رشد و گلزایی گیاه زعفران بررسی شد که محصولی مهم از ل...