نتایج جستجو برای: تابع گاف

تعداد نتایج: 22195  

ژورنال: :مجله دانشگاه علوم پزشکی مازندران 0
آرش قاسمی arash ghasemi assistant professor, department of radiology, faculty of medicine, mazandaran university of medical sciences, sari, iranاستادیار، گروه رادیولوژی، دانشکده پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی مازندران، ساری، ایران طیب الهویردی پورفلاح tayyeb allahverdi pourfallah assistant professor, department of biochemistry and biophysics, faculty of medicine, mazandaran university of medical sciences, sari, iranساری- مرکز آموزشی درمانی امام خمینی، بخش رادیوتراپی محمود رضا اکبری mahmoodreza akbari msc in medical radiation, nuclear sciences and technology research institute, tehran, iranکارشناس ارشد پرتوپزشکی، انستیتو تحقیقات تکنولوژی و علوم هسته ای، تهران، ایران

سابقه و هدف: بیس پلیت های غیرفیبرکربنی (به عنوان وسیله کمک درمانی) که در رادیوتراپی بعضی از نواحی به ویژه در درمان سرطان پستان استفاده می شوند، به دلیل ایجاد پرتوهای پراکنده می تواند در میزان دز نواحی سطحی بدن و پوست تاثیرگذار باشد. اخیراً با استفاده از فیلم گاف کرومیک نتایج خوبی در دزیمتری پوست به دست آمده است. هدف از این مطالعه برآورد میزان تغییرات دز پوست در به کارگیری بیس پلیت های غیر فیبر ک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1389

در این پایان نامه ویژگیهای برخی از نانولایه های نیمرسانا و فلز با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته خطی با پتانسیل کامل و در چارچوب نظریه تابعی چگالی با کد محاسباتی وین مورد بررسی قرار گرفته است. نخست ویژگیهای ساختاری، الکترونی و مغناطیسی agf، mo، ‍cu، mnse وsi مورد مطالعه قرار گرفته است. گاف انرژی محاسبه شده برای ترکیب های agf و mnse با استفاده از رهیافت های چگالی موضعی(lda) و گرادیان شیب ت...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم 1390

در این پایان نامه برای بررسی خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و مغناطیسی پروسکایت باریم استانات(basno3) هم در شکل خالص و هم آلایش داده شده با اتم mn، محاسبات اصول اولیه بر اساس نظریه ی تابعی چگالی با دو تقریب gga و mbj روی پتانسیل تبادلی-همبستگی انجام شده است. برای انجام محاسبات از کد محاسباتی wien2k استفاده شده است. آنالیز ساختار نواری و چگالی حالت های کل و جزئی برای باریم استانات نشان می دهد که...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم 1393

در این پایان نامه خواص ساختاری، کشسانی، ترمودینامیکی، الکترونی و خواص اپتیکی در حالت انبوهه و همچنین خواص سطح در صفحه‏ی (110) نیم‏رساناهای گروه iii-v حاوی آنتیموان و آرسنیک مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته ی خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی و تقریب هایpbe-gga ، lda، wc، pbesol و mbj با استفاده از کد محاسباتی wien2k انجام شده است...

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده شیمی 1389

برای شبیه سازی قطعاتی از مواد در مقیاس نانو اولین قدم محاسبه ی ساختار الکترونی پایه ای و خواص نوری است که شامل محاسبه ی حالت های تک الکترونی، تمرکز موضعی تابع موج و ویژه انرژی ها است. در مطالعه ی حاضر با استفاده از روش نظریه ی تابعیت چگالی (dft) و کد pwscf برهم کنش خوشه های cdse با سطوح (110) روتیل و (101) آناتاز tio2 بررسی می شود. در این مطالعه از سه خوشه با اندازه متفاوت استفاده می شود و نتای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1390

در این پروژه، به ساخت و بررسی خصوصیات فتوولتائیکی سلول های خورشیدی پلیمری لایه نازک متشکل از پلیمر های پلی تری متیل تیوفن و پلی پیرول پرداخته شده است. سه نوع سلول متفاوت پلیمری: تک لایه پلیمری، تک لایه ترکیبی (کو پلیمری) و دو لایه پلیمری ساخته شد. بازدهی سلول تک لایه ترکیبی نسبت به دو سلول دیگر بیشتر بدست آمد که به نظر می رسد به دلیل کوپلیمریزاسیون و کوچک شدن گاف انرژی و افزایش جریانisc می باشد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1386

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه 1391

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1390

نیمرساناهای ii-vi به دلیل گاف پهن نواری و قابلیت کاربرد برای قطعات اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. انرژی گاف آن ها بین 3- 1 الکترون ولت می باشد، از این رو ابزار مناسبی برای این قطعات در ناحیه مرئی طیف هستند. در این مطالعه، ما با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی آلیاژهای نیمرسانای zn1-xmgxs، zn1-...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید