از آنجا که بلورهای ktp یکی از بهترین بلورهای غیر خطی برای تولید هماهنگ دوم برای کاربردهای نظامی، پزشکی، صنعتی و مخایراتی است رشد این بلورها با کیفیتی خوب دارای اهمیت است و این امر فقط با بهینه سازی پارامترهای موثر در فرایند رشد این بلورها امکان پذیر است. در این پژوهش ما از روش رشد خودبخودی استفاده کردیم و با بهینه کردن پارامترهایی چون شکل بوته، گرادیان دمایی در طول بوته، آهنگ سرد کردن کوره(محلو...

در این تحقیق، ویژگی مدهای نقص ظاهر شده در طیف تراگسیل ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی با یک لایه ی نقص و همچنین موقعیت ناحیه گاف نوار فوتونی در ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی ایده ال مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار بلورهای فوتونیک برای دو حالت متقارن و پاد متقارن بررسی می شود.سیستمی که در این تحقیق در نظر گرفته می شود، سیستمی دو لایه ای از سیلیکون / هوا است، ضریب شکست سیلیکون به عنوان تابعی از...

در این مقاله روش هیبریدی تولید پوزیترون، که در آن از تابش کانالی الکترون‌های نسبیتی بر اثر عبور از صفحات و محورهای مختلف بلورهای تنگستن استفاده می‌شود، مورد بررسی قرار گرفته است. طیف تابش کانالی از صفحات و محورهای مختلف بلورهای Si، C، Ge وWبا اعمال تقریب دویلی ـ تورنر برای پتانسیل‌های پیوستۀ صفحات و محورها محاسبه شده است. همچنین وابستگی طیف تابش کانالی به زاویۀ فرودی الکترون‌های نسبیتی با صفحات...

تشکیل رسوب واکس یکی از مشکلات معمول در خطوط لوله نفتی است که در اثر کاهش دمای نفت و درنتیجه کاهش حلالیت ترکیبات واکس اتفاق می افتد. هزینه ناشی از بروز چنین مشکلی زیاد بوده و بدلیل افزایش تولیدات نفت از مخازن دریایی رو به افزایش است. فهم بنیادی پدیده تشکیل رسوب و نحوه رشد و سخت شدن آن می تواند در مدلسازی و تعیین راهکارهای مناسب جهت حذف رسوب یا ممانعت از تشکیل آن موثر باشد. در این تحقیق نحوه رشد ...

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی است، که از یک سری میله های دی الکتریک که در یک زمینه ی دی الکتریک همگن با ضریب دی الکتریک متفاوت قرار...

در چند دهه ی اخیر گام های بزرگی جهت دستیابی به بلورهای با کیفیت با انگیزه برآوردن نیاز صنایع اپتیک و لیزر برداشته شده است؛ در این راستا، این پایان نامه به بررسی خواص اپتیکی غیرخطی و به ویژه خواص اپتیکی خطی تک بلورهای ktp (از جمله شفافیت، عبوردهی نوری، گاف انرژی و رسانایی) می پردازد. در فصل اول علاوه بر ساختار های مختلف مواد جامد به بیان روش های رشد بلور و توضیح مختصر روش مورد استفاده برای رشد ...

بلورهای فوتونی، آرایه های متناوبی از مواد دی الکتریک با ضرایب شکست متفاوت هستند. یکی از مهم ترین ویژگی های بلور فوتونی، وجود نواحی فرکانسی است که هیچ مد نوری اجازه عبور و انتشار در آن ناحیه را ندارد. این خاصیت بلورهای فوتونی موجب می شود که از آن ها برای کنترل و هدایت نور در مدارهای مجتمع نوری استفاده گردد. در این پایان نامه، بلورهای فوتونی دوبعدی که دارای شبکه مربعی و مثلثی متشکل از میله های د...

در این رساله یک موجبر بلور فوتونی با شبکه مثلثی از حفره های دایروی هوا در زمینه سیلیکون روی عایق برای انتشار نور کند با باند مسطح، مطالعه و بررسی شده است. با تزریق سیال نوری با ضرایب شکست مختلف ??_1 و ??_2 در دو ردیف مجاور موجبر، ویژگیهای موجبر از قبیل حاصل ضرب تأخیر در پهنای باند نرمالیزه شده(ndbp)، ضریب شکست گروه و پاشندگی سرعت گروه به طور همزمان بهینه می شوند. مقادیر مناسب ndbp از 0.187 تا 0...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

چکیده: بلورهای فوتونی (pcs) متداول، ساختارهای کامپوزیتی با آرایه ای متناوب از مواد با ضریب شکست مختلف می باشند. این آرایه ها می توانند در یک، دو و سه بعد تناوب داشته باشند. به علت این تناوب، پراکندگی براگ چندگانه از سلول های واحد، می تواند باعث ایجاد گاف باند های فوتونی(pbgs) شود. درنتیجه انتشار امواج الکترومغناطیسی در فاصله های فرکانسی خاصی ممنوع می شود. وجود گاف باند ها منجر به پدیده های جال...