در سال های اخیر، برهم کنش اسپین-مدار در ساختارهای نیمه رسانا به دلیل کاربرد بالقوه در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیمه رساناهای متداول دو نوع برهم کنش اسپین-مدار وجود دارد. یکی برهم کنش اسپین-مدار درسل هاوسکه به واسطه بی تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی-سولفید) ایجاد می شود و دیگری برهم کنش اسپین-مدار که ناشی از بی تقارنی وارون...

: هدف از این مقاله به دست آوردن حالت پایه یک زنجیره اسپینی پاد فرومغناطیس، شامل ذرات با اسپین یک می باشد. برای این منظور از روش ضرب ماتریسی استفاده کرده ایم و سپس تقارن های لازم را اعمال کرده ایم. در نهایت با استفاده از روش ضرب ماتریسی، فرم صریح حالت پایه این زنجیره بدست آمده است.

در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دست...

در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

در این پایان نامه، پیکربندی اسپینی و ترابرد وابسته به اسپین در سیلیسین مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد. سیلیسین یک ساختار لانه زنبوری تک لایه از اتم های سیلیکون می باشد که برهم کنش اسپین-مدار ذاتی در آن بر خلاف گرافین درخور توجه است. پیش تر با استفاده از روش تنگ-بست مدل هامیلتونی موثری برای الکترون ها و حفره های کم انرژی در اطراف نقاط kو kبه دست آمده است. با استفاده از این هامیلتونی و با در نظ...

چکیده در50 سال اخیر، رفتار مقاومت ویژه وابسته به اسپین در نیمرساناهای مغناطیسی توسط محققان زیادی مورد مطالعه قرار گرفته است. مقاومت ویژه مغناطیسی به علت پراکندگی اسپین های سیار با اسپین های جایگزیده در شبکه، با همبستگی اسپین – اسپین متناسب است. بررسی ها نشان داده است که شکل منحنی مقاومت ویژه به برد همبستگی اسپین – اسپین بستگی دارد و همچنین بر اساس یافته های اخیر رفتار مقاومت ویژه اسپینی بعنوان...

در تحقیق حاضر انتقال اسپین در یک سیلیسن نرمال/سیلیسن فرومغناطیس/سیلیسن نرمال مطالعه شد.رسانندگی اسپین که در اتصالات سیلیسنی به طور متناوب با پهنای سیلیسن فرومغناطیس تغییر می-کند، نشان داده شد. همچنین مشخص شد که درجریان بین اتصالات سیلیسنی ،اسپین به خاطر جفت شدن درجات آزادی اسپین،ونقاط دیراک پلاریزه می شود و این پلاریزاسیون اسپین به کمک ولتاژ گیت کنترل میشود. هدف این مطالعه رسانندگی اسپینی در ی...

اسپین های اولین نزدیکترین همسایه در یک زنجیره یک بعدی متشکل از اسپین های 2/1 با مدل بر هم کنشی xx در حضور بر هم کنش ژایالوشینسکی – موریا در دمای صفر زمانی که هیچگونه میدان خارجی وجود ندارد در هم تنیده هستند. در حالی که در حضور یک میدان مغناطیسی عرضی، این اسپین ها تا یک میدان مغناطیسی کوانتومی بحرانی در هم تنیده می مانند. با استفاده از روش فرمی یونیزه کردن ما اثر گرما را روی در هم تنیدگی بین اسپ...

اسپین و تکانه زاویهای مداری دو درجه آزادی مستقل فوتونها هستند که در عبور از ماده ناهمسانگرد میتوانند با یکدیگر برهمکنش داشته و جفت شوند. برهمکنش اسپین–مدار باعث تأثیر دوجانبه قطبش و مسیرنور میشود که فاز بری و اثر هال اسپین نوری نام دارند. فاز بری مسئول انتقال موازی بردار قطبش در طول مسیر است، در حالی که در اثر هال اسپین نوری دو مولفه اسپین نور( قطبشهای دایروی راستگرد و چپگرد) در عبور یا بازتاب ...

لایه منیزیم فلوراید به دلیل خاصیت پاد بازتابندگی خود امروزه در صنایع اپتیکی و ساخت انواع لنزها با قابلیت پاد بازتابندگی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پروژه منیزیم فلوراید با استفاده از روش تبخیر باریکه الکترونی تبخیر شده و بر روی زیرلایه ای از جنس شیشه قرار گرفته است. این فرایند در دماهای 300،200،100،30 درجه سانتی گراد انجام گرفته و سپس در هر یک از دماهای ذکر شده ضریب عبور و ضریب شکست لایه ...