سنسور میدان مغناطیسی مبدلی است که میدان مغناطیسی را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل می کند. سنسورهای نیمه هادی گالوارنومگنتیک ، با توجه به نیروی لورنتس که به حاملهای بار وارد می شود، به میدان مغناطیسی حساس می باشند. در این پایان نامه ابتدا به فیزیک اثر هال که یکی از مشهودترین آثار گالوانومگنیک می باشد، در نیمه هادیها پرداخته شده است . ابتدا یک تحلیل تقریبی ارائه شده و سپس روابط دقیقتر برای ضرایب اس...

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

آشکارسازهای مادون قرمز دارای کاریردهای بسیاری از جمله استفاده در مخابرات نوری فضای آزاد، شناسایی معادن، دید در شب، تشخیص آتش سوزی ها و ... می باشد. تکنولوژی مرسوم برای آشکارسازهای مادون قرمز استفاده از ترکیبات مرکوری-کادمیم-تلوراید است. مشکلاتی در این روش وجود دارد که باعث شده است نقاط کوانتومی به خاطر خواص منحصر به فردشان مرکز توجه بسیاری از مطالعات قرار بگیرند. مطالعات تئوری نشان می دهد که به...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره‌های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید U شکل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید ...

مقدمه: در این مقاله به طراحی پالایشگر جدیدی به نام نانو پالایشگر پلاسمونیکی چند دندانه ای زنجیره ای (cm1-r -tpnf) پرداخته شده است که به دلیل داشتن عملکرد گذردهی زیر طول موجی امواج الکترومغناطیس می توان آن را در ابعاد هندسی بسیار ریز، در مقیاس نانومتر، طراحی و تولید کرد و در ساخت ابزار ریزساختار دقیق پزشکی مانند memsها به کارگرفت. روش بررسی: این نانو پالایشگر با مدل سازی به روش تفاضل محدود در حو...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

انتشار نور در محیط های با سرعت گروه کاهش یافته نور کند نامیده می شود. با انتشار نور در چنین محیط هایی پالس های نور خروجی به دلیل اثرات پاشندگی دچار اعوجاج می شوند. موجبرهای بلور فوتونی یکی از مجراهای شگفت انگیز کنترل نور هستند. استفاده از موجبرهای بلور فوتونی در سیستم های نوری منجر به پیشرفت های گسترده در مدارهای مجتمع تمام نوری شده است. با مهندسی پاشندگی در موجبرهای بلور فوتونی می توان اعوجاج ...

در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت ا...

در این رساله با کمک ساختار های متقارن pt چندین افزاره نوری در حوزه خطی و غیرخطی طراحی و شبیه¬سازی خواهد شد. یکی از بارزترین ویژگی ساختارهای pt وارون ناپذیر بودن آن ها است. برای اولین مرتبه در آزمایشگاه شبیه سازی افزاره های پیشرفته در دانشگاه تربیت مدرس نشان داده می شود، کوپلر نوری با ساختار متقارن pt در حوزه ی خطی به ازای طول های معینی وارون پذیر می شود. با بهره گیری از این نکته یک سوییچ مکانی ...