در این پایان نامه روش نامتداول تولید پوزیترون، با استفاده از تابش کانالی الکترون های نسبیتی بر اثر عبور از صفحات بلورهای مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. طیف تابش کانالی از صفحات مختلف بلورهای si،w، ge و c با انرژی و زاویه ی فرودی متفاوت با بکار بردن تقریب دویلی و تورنر برای پتانسیل های پیوسته صفحات محاسبه شده است. فرآیند کانال زنی و محاسبه طیف تابشی بر پایه حل معادله فوکر ـ پلانک انجام شده اس...

یکی از مسائل اساسی مخابرات سیار مساله طیف گسترده می باشد که برای افزایش تعداد کاربران تحت پوشش ، کاربران را مجاز به استفاده از یک پهنای باند فرکانسی مشترک بصورت همزمان می نماید. یکی از روشهای طیف گسترده که بصورت وسیع مورد استفاده قرار می گیرد روش ds-cdma می باشد برای آشکارسازی سیگنال دریافتی در سیستم ds-cdma آشکارسازهای چندکاربره متعددی پیشنهاد شده است که در این میان آشکارساز mlse یک آشکارساز چ...

لایه های نازک نیمرسانای اکسیدی شفاف به خاطر اثرات الکتریکی و نوری آنها در ناحیه طیف مرئی همواره مورد توجه بوده اند،کاربردهای وسیع آنها در دستگاههای نوری، الکترونیکی، ترانزیستورها، دیودها وغیره باعث شده که بیشتر مورد توجه قرارگیرند.

با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه...

ترکیبات سه تایی شیشه هایxsb- (60-x)v2o5-40teo2با0?x?15 (درصد مولی) با استفاده از روش سرمایش سریع مذاب تهیه شدند. طیف جذب نوری این شیشه ها در ناحیه طول موجی 1100-190 ثبت شدند. مکان لبه جذب و بنابراین مقادیر گاف نواری بدست آمد که مرتبط با ساختار شیشه ها است. برای این شیشه ها مقادیر گاف نواری در بازه 14/2-57/1 (ev) بدست آمد. روش انطباق طیف جذبی(asf) برای بدست آوردن گاف ها بکار گرفته شد. در این روش...

در این پایان نامه مسئله ترابرد الکترون ها در دو نیمرسانایinn وaln درحضور میدان های الکتریکی ضعیف با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر مورد بررسی قرارگرفته است . نتایج این مطالعه نشان می دهد که درمیدان های الکتریکی ضعیف ( v/cm 104 ) ، تنها الکترون های واقع در دره مرکزی? در ترابرد الکترون ها سهیم می باشند و گذارهای بین دره ای و بین نواری وجود ندارد ، درحالیکه در میدان های الکتریکی قو...

در این پایان نامه در ابتدا به مطالعه و بررسی چند حوزه مهم آشکارسازهای سیلیکونی مورد استفاده در مخابرات نوری، شامل آشکارسازهای جذب میان باندی و جذب حالت سطحی و آشکارسازهای بر مبنای گسیل داخلی فوتون پرداخته شده است. در ادامه با تمرکز بر ساختارهای ارایه شده برای آشکارسازهای مبتنی بر گسیل داخلی فوتون، به محدودیت های آن پرداخته شده است. با شناسایی نقاط ضعف و قوت این ساختارها، ما به ارایه ساختار جدید...

به کمک روش نشست بخار شیمیایی و کوره الکتریکی، سنتز انواع نانو ساختارهای تک بعدی نیمرسانای نیتروژندار با موفقیت انجام شد. برای این منظور، اقدام به طراحی یک سیستم رشد نانوساختارهای نیمرسانای نیتروژندار کردیم. این سیستم متشکل از کوره الکتریکی، کپسول های گاز فعال و حامل، لوله های اتصال و شیرهای سوزنی، درپوش ها، لوله آلومینا و کوارتز، فلومترها، گازشو و سیستم خنک کننده کوره می باشد. واکنش شیمیایی میا...

در این کار ابتدا لایه های نازک سلنیدروی (znse) به روش تجزیه گرمایی افشانه ای روی زیرلایه های شیشه ای رشد داده شدند. سپس اثر پارامترهای مختلف رشد نظیر دمای لایه نشانی، آهنگِ شارش محلول، نسبت وزن مولی سلنیوم دی اکساید به کلریدروی، میزان حجم محلول اسپری، دمای بازپخت و همچنین مدت زمان آن بر روی ساختار بلوری و خواص اپتیکی لایه های تهیه شده بررسی شد. بررسی طیف xrd و همچنین تصاویر sem ثبت شده برای نمو...

شناسایی اهداف معدنی و تفکیک پهنه‌های دگرسانی با استفاده از روش‎های سنجش‌ از دور موضوعی است که طی سالیان متمادی، مورد مطالعه شمار بالایی از پژوهشگران قرار گرفته است. شناسایی بسیاری از نمونه‌های معدنی با استفاده از الگوریتم‌های در سطح پیکسل ممکن نیست. با روی کار آمدن تصاویر ابرطیفی، مسئله حل ابهام آمیختگی طیفی در پیکسل‌های مخلوط و دست‎یابی به دقت‌های جزء‌پیکسل مطرح شد. بنابراین روش‎های آشکارسازی ...