در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

هدف از این مقاله، بررسی تاثیر پروتز مچ پنجه ویسکوالاستیک روی سیکل گیت فرد قطع عضو زیر زانو با استفاده از شبیه سازی دینامیکی راه رفتن انسان می باشد. مدلی دو بعدی و هفت سگمنتی به منظور شبیه سازی کل سیکل گیت فرد نرمال و فرد قطع عضو ارائه شده است که مجهز به مدل تقابل بین پا و زمین برای شبیه سازی کل سیکل گیت به صورت یکپارچه می باشد. در مرحله اول، شبیه سازی سیکل گیت فرد نرمال با ترکیب فرآیند بهینه سا...

ساختارهای پریودیک به دلیل توانایی که در کنترل طول موج انتشار و در نتیجه مدیریت انتشار امواج الکترومغناطیسی بخصوص نور دارند، از مدت ها پیش مورد توجه دانشمندان قرار گرفته اند. کریستال های فوتونیکی دو بعدی از جمله این ساختارهای پریودیک می باشند که به دلیل وجود باند ممنوعه و با توجه به نمودار پاشندگی در نزدیکی لبه باند می توان سرعت گروه را کاهش داد. کاهش سرعت نور در ساختار کریستال فوتونیکی مانند یک...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این پایان نامه، مشخصه های یک سوده (سوئیچ) پلاسمونی تمام نوری که یک المان کلیدی در شبکه های مخابرات و محاسبات نوری محسوب می شود، بررسی و با استفاده از روش دوبعدی تفاضل محدود در حوزه ی زمان برای محیط های پاشنده و غیرخطی، شبیه سازی می شود.این سوده پلاسمونی تمام نوری بر مبنای ساختار نانوچاک t-شکل نامتقارن و اثر غیرخطی کر عمل می کند. با شبیه سازی خطی، تأثیر تغییر ضریب شکست محیط عایقی ساختار، روی ...

تمام نگاری دیجیتالی روشی است که می توان با آن بعد سوم یعنی فرورفتگی ها و برجستگی های نقاط مختلف یک جسم را ثبت کرد و تصویر سه بعدی تشکیل داد. این تکنیک روشی بسیار موثر و کارا برای بررسی نمونه های زیستی است. از سوی دیگر تله اندازی ذرات میکرونی با استفاده از کانونی کردن باریکه ی لیزر که به آن انبرک نوری نیز گفته می شود روشی مناسب برای دستکاری و بررسی تغییرات ذره ی به تله افتاده است. این وسبله می ت...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...