در این مقاله یک سوئیچ  دوحالته قابل کنترل تمام نوری بهبود یافته ای با استفاده از شفافیت القایی دو قطبی  و اثر کر و اندرکنش نقطه کوانتومی با کاواک الکترودینامیک کوانتومی پیشنهاد گردیده است. سوئیچ تمام نوری دوحالته قابل کنترل از  یک محیط غیرخطی سریع (کریستال های فتونیکی) و کاواک الکترودینامیک کوانتومی، کوپل شده با دو موج بر نوری، تشکیل شده است. نانو کریستال تزریق شده در فوتونیک کریستال کاواک را س...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

هدف این پایان نامه طراحی یک سوئیچ قابل کنترل تمام نوری است، که در تحقق سوئیچ از محیط فوتونیک کریستال و نقطه کوانتوم تزریق شده در کاواک الکترودینامیک کوانتومی استفاده می شود. سوئیچ تمام نوری قابل کنترل از یک محیط غیرخطی سریع(کریستال های فتونیکی) و کاواک الکترودینامیک کوانتومی شامل یک نقطه کوانتومی، کوپل شده با دو موجبر نوری تشکیل خواهد یافت. برای بالا بردن خاصیت غیر خطی و شیفت اشتارک نوری بعنوا...

تله اندازی ذرات میکرونی با استفاده از کانونی کردن باریکه ی لیزر که به آن انبرک نوری هم گفته می شود، روشی بسیار سودمند و غیر مخرب برای مطالعه ی بسیاری از پدیده های فیزیکی وشیمیایی است و کاربرد های زیادی در حوزه ی علوم زیستی و پزشکی پیدا کرده است. با این روش می شود نمو‎‎نه ‎های زیستی را با نور نگه داشت و بدون تماس مکانیکی روی آن ها دستکاری انجام داد. از طرف دیگر میکروسکوپی تمام نگاری دیجیتالی، تک...

در این پایان نامه به بررسی ساختاری برای تفکیک طول موج های مخابراتی فروسرخ (دی مالتی پلکسر ‏) ‏به صورت تمام نوری و مبتنی بر کریستال های فوتونی دو بعدی می پردازیم.قلب تپنده ی این ساختار تشدیدگرهای حلقوی میکرونی مبتنی بر ‏کریستال های فوتونی است که هر کدام وظیفه ی تفکیک یک طول موج خاص را بر عهده دارند.

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

چکیده ندارد.

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...