نتایج جستجو برای: گاف نوار

تعداد نتایج: 4151  

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فیزیک 1390

در این تحقیق ابتدا با استفاده از روش سل-ژل به تهیه پودر های دی اکسید تیتانیوم و اکسید روی پرداخته و سپس ساخت لایه های نانوکامپوزیتی نسبت های مختلف این دو ماده را از دو روش ساخت مختلف و با روش های لایه نشانی چرخشی و غوطه وری مورد بررسی قرار دادیم. در پودر اکسید روی، به بررسی تأثیر گرمادهی از دمای 200 تا 1050 درجه سلسیوس پرداخته و مشاهده کردیم که با افزایش دمای گرمادهی سایز نانوذرات افزایش و مساح...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1387

چکیده ندارد.

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فاطمه نبی پور f nabipoor university of isfahanدانشگاه اصفهان محمدعلی شاهزمانیان a shahzamanian

اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد - دانشکده شیمی 1392

این مطالعه به منظور تعیین هدایت الکتریکی، ثابت های نوری و گاف نوار نوری فیلم های نازک نانوکامپوزیت pmma/ag که در آن نانوذرات با دو روش آبی و آلی تهیه شده و دو ریخت شناسی کروی و چندوجهی را دارند، انجام شده است. رفتاری که مواد مختلف در مقابل پرتوهای نور مرئی از خود نشان می دهند به عنوان خواص نوری مواد شناخته می شود. به طور کلی خواص اپتیکی هر ماده، با ثابت های اپتیکی آن ماده یعنی ثابت دی الکتریک م...

روشن انتظار, صمد, نیکخو, مریم ,

  In this paper the effect of photonic band gap on the group velocity of reflected pulse from a dielectric slab doped with two-level or three-level atoms has been investigated. It is assumed that the slab is sandwiched between a uniform medium (like vacuum) and a one-dimensional photonic crystal. It is shown that the reflected pulse from the slab doped with two-level (three-level) atoms will be...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1394

در این پژوهش نانوذرات اکسید آلومینیوم به روش سل- ژل ساخته شده و مشخصه یابی ها با استفاده از آنالیز الگوی پراش پرتو ایکس، طیف uv-vis، edxa و تصاویر sem انجام شد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده علوم پایه دامغان 1393

در این پایان نامه به بررسی نوارهای دورانی هسته lu167 در اسپین های بالا با استفاده از کد cns که بر اساس مدل کرنک نیلسون استروتینسکی (cns) نوشته شده است، پرداخته ایم. محاسبات ما نشان می دهد گاف پوسته ای قابل توجهی در تغییر شکل های متعارف برای 71z= و 96n= وجود دارد که باعث تشکیل نوارهای متعارف بر روی 8 پروتون اوربیتال j بزرگ پوسته پنجم، 2/11h و 4 نوترون اوربیتال j بزرگ پوسته ششم، 2/13i می شود. با ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده فیزیک 1390

چکیده در سال های اخیر به خاطر گسترش روزافزون سیستم های ارتباطی و تکنولوژی اطلاعات، سیستم های نوری که دارای پتانسیل بسیار بالائی در اثر انتقال، پردازش و ذخیره اطلاعات می باشد، مورد توجه بسیاری قرار گرفته است. در این راستا مباحث زمانی و فضائی سالیتون ها با دارا بودن خواص شبه ذره ای از اهمیت به سزائی برخوردار می باشند. در این پایان نامه سالیتون های گاف که جزو سالیتون های فضائی بوده و قابلیت انتشا...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2017

در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب تلوراید جیوه در فاز هگزاگونال مورد بررسی و مقایسه قرار می‌گیرد. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است. . نتایج ساختار نواری نشان‌دهندۀخاصیت نیم‌رسانایی این ترکیب در فاز سینابار می‌باشد. محاسبۀ سهم حقیقی تابع دی‌الکتریک ضریب شکست برای فاز سینابار را 489/4 می‌دهد....

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید