نتایج جستجو برای: گاف باند فوتونی
تعداد نتایج: 7379 فیلتر نتایج به سال:
در این پژوهش به محاسبه روابط پاشندگی و ویژگی گاف نوار فوتونی در بلور فوتونی توجه شده است. همچنین چگالی حالت های جایگزیده فوتونی و پارامترهای تقویت نور بررسی گردیده است. روش های محاسباتی مختلفی مانند pwe، fdtd و me در شبیه سازی و بهینه سازی ساختار بلور فوتونی بکار گرفته شده اند. نشان داده شده است که روش محاسبه ldos بر اساس me روش قدرتمندی برای مطالعه گسیل خودبخودی، تقویت نور و محاسبه محصورسازی ...
در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...
در این پایان نامه، مدهای الکترومغناطیسی جایگزیده در بلورهای فوتونیکی یک بعدی با یک لایه نقص ساختاری مورد بررسی قرار گرفته است. نقش لایه نقص را بلور مایع نماتیک بازی می کند. نشان داده شده است که طیف تراگسیلی و ضریب میرایی مدهای نقص به ضخامت و جهت گیری محور اپتیکی بلور مایع نماتیک وابسته است. در ادامه طیف تراگسیلی با دو نقص شبکه ای را مورد مطالعه قرار می دهیم. در این تحقیق نشان داده شده است که می...
در این پایان نامه مدولاسیون فاز نور با استفاده از موجبرهای کریستال فوتونی بر مبنای خاصیت غیرخطی بررسی گردیده است. درابتدا کریستال های فوتونی به عنوان یک کلاس جدید از محیط های اپتیکی معرفی و نحوه تشکیل یک موجبر با ایجاد نقص خطی در این ساختارها بیان شده است. انتشار نور با فرکانسهای محدوده ی باند ممنوعه ی فوتونی نیز نمایش داده شده است. سپس در مورد اثر نور کند بعنوان یکی از قابلیت های موجبرهای کریس...
در این پژوهش نانوذرات cds با پیش ماده های کاتیونی کادمیوم نیترات و آنیونی سدیم سولفید به روش سیلار روی زیرلایه های شیشه ای در دمای اتاق نشانده شدند. به منظور ساخت نمونه های مختلف، زیرلایه ها به مدت زمان مشخص و با تعداد چرخه غوطه وری مشخص در محلول ها قرار گرفتند. نمونه های cds آلاییده به ag با پیش ماده های کاتیونی کادمیوم نیترات و نقره نیترات و پیش ماده آنیونی سدیم سولفید با میزان آلاییدگی %10 ن...
چکیده ندارد.
کنترل حالت پلاریزاسیون و فاز در سیستم های اپتیکی نقش مهمی را ایفا می کند. به عنوان مثال: کنترل حالت پلاریزاسیون امواج نوری در گستره ای از کاربردها که شامل توسعه ی سنسورهای اپتیکی، اندازه گیری موج نوری و توسعه ی مدارهای مجتمع و... است، بسیار مهم می باشد. فاز نیز در سیستم های اپتیکی نقش مهمی را در هولوگراف های اپتیکی و مدولاتورهای فازی بازی می کند. همچنین فاز و دامنه ی امواج الکترومغناطیسی اطلاعا...
پیشرفت تکنولوژی در زمینه های مختلف و نیاز روزافزون صنایع به انرژی، انسان را بر آن داشته است تا به روشهای گوناگون انرژی مورد نیاز خود را تامین کند. یکی از این روشها استفاده از انرژی خورشید و تبدیل آن به انرژی الکتریکی به وسیله ی سلولهای خورشیدی است؛ اما بازده پایین و هزینه تولید اولیه ی بالا، استفاده از این قطعات الکترونیکی را محدود می کند. یکی از عوامل پایین بودن بازده در سلولهای معمولی استفاده...
خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نی...
امروزه فوتودیودهای با ساختار فلز-نیمه¬هادی-فلز (msm)، پیوندهای ناهمگن p-n و پیوندهای شاتکی بطور قابل ملاحظه ای برای کاربردهایی از قبیل: هشدار حریق، تشخیص آلودگی، تصفیه آب، تجهیزات پزشکی و ارتباطات مورد توجه قرار گرفته اند. فوتودیود پیوندی p-n متشکل از پیوند نیمه هادی با آلایش n- و p- بصورتی ساخته و کپسوله می شود که اجازه دهد نور تا نزدیکی پیوند متالوژیکی نفوذ کند. فوتودیودهای پیوند p-n و p-i-n ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید