نتایج جستجو برای: پتانسیل سنج خازنی
تعداد نتایج: 21889 فیلتر نتایج به سال:
طیف گامای آنی تولید شده حین تابش پروتون به بافت، برای آنالیز عنصری بافت تحت درمان کار گرفته میشود. هدف اصلی این در پروتوندرمانی ردیابی غلظت اکسیژن تومور است. پایش برخط تغییر عنصر پزشک را سمت ارزیابی روند بهبود و تخمین پاسخ بدن بیمار هدایت میکند. مطالعه گاما یک فانتوم چشم انسان آشکارساز HPGe با استفاده از ابزار Geant4 شبیهسازی کارگیری شبکه عصبی انجام شد. 33 نمونه حاوی تومورهای متفاوت نظر ...
ارتعاش سنج لیزر داپلر ابزاری برای اندازه گیری اپتیکی دامنه، فرکانس و سرعت اشیائ مرتعش بدون تماس میباشد. با توجه به کاربردهای متنوع و روزافزون ارتعاش سنج های لیزر داپلر در این مقـاله طرحی ساده و کاربردی از این دستـگاه با استفاده از تداخل سنج مایکلسون و نصب آینه بر روی شیء مرتعش ارائه شده است. فرکانس و دامنه ارتعاش، از جابجایی داپلرِ فرکانس نور لیزر حاصل میشود. با استفاده از این چیدمان آزم...
به طورکلی در طراحی منابع تغذیه پالسی ولتاژ شارژ بانکهای خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها از جمله پارامترهایی هستند که نقش اساسی در شکل و دامنه پالس خروجی ایفا میکنند. در این مقاله روشی جدید جهت طراحی منبع تغذیه پالسی پیشنهاد شده است. در این روش با استفاده از الگوریتم ژنتیک تحت محیط نرمافزار MATLAB مجموعهای از مقادیر ولتاژهای شارژ بانکهای خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها، برای بهینه سازی چند هدفی منب...
مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...
در این مقاله سیستم تأمین انرژی و تخلیه جریان سیمپیچ چنبرهای توکامک دماوند به منظور افزایش زمان میدانهای مغناطیسی با هدف ماندگاری پلاسما، طراحی شبیهسازی شده است. حال حاضر سیمپیچ دارای نیم سیکل سینوسی مدت ms 100 پیک kA 12 است که میدان مغناطیس تقریباً T 1/1 مرکز چنبره تولید میکند ناحیه تخت آن حدود 20 میباشد برای تشکیل محصورسازی پلاسما استفاده میگردد. ارتقاء 200، ضروری سیستمهای کنترل مربو...
در این پژوهش، جاذب های صفحه ای غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته اند. به کمک روش خط انتقال، مدار معادل و نمودار اسمیت دو جاذب پهن باند در باند های c و x به وسیله ساختارهای متناوب طراحی و تحلیل شده اند. جاذب اول در باند c در مقایسه با صفحه سلیزبری به ازای افزایش 2 میلیمتری در ضخامت، پهنای باند db20- را از 25.3 درصد به 66.7 درصد بهبود می دهد. در طراحی جاذب دوم در باند x، با معرفی یک سلول واحد جدی...
چکیده ندارد.
در این نوشتار سعی شد ساختارهای حسگری سنسورهای میکرو - نانو الکترو مکانیکال سیستم را از لحاظ رفتار های ارتعاشی غیر خطی مورد بررسی قرار دهیم. از مهمترین ساختارهای حسگری، نانولوله های کربنی تک دیواره می باشند. بدین جهت?رفتار ارتعاشی غیر خطی یک نانو_تیوپ کربنی را که در بالای صفحات گرافیتی قرار گرفته، با هدف کاربرد در حسگرهای میکرو - نانو شتاب سنج های خازنی مدل نموده ایم. با ایجاد مقدار کافی نیروی ج...
در این پایان نامه توزیع ولتاژ ضربه در طول انواع سیم پیچی ترانسفورماتور بررسی خواهد شد. انواع سیم پیچی مورد استفاده در ترانسفورماتورها معرفی و مدل خازنی آنها نیز ارائه خواهد شد. در قسمتی از پایان نامه با استفاده از نرم افزار volna به شبیه سازی انواع سیم پیچی پرداخته و سپس توزیع ولتاژ ضربه در طول این سیم پیچی ها نیز محاسبه خواهند شد. همچنین با استفاده از یک نرم افزار المان محدود نیز توزیع ولتاژ ض...
سیستم های میکروالکترومکانیکی به سیستم ها و یا قطعاتی ، با اجزای مکانیکی و الکترونیکی در ابعاد میکرومتری اطلاق می گردد. به دلیل کوچکی اندازه، هزینه ساخت پایین، مصرف توان کم و بازدهی بالا این فناوری توانسته در زمینه های مختلف فناوری کاربردهای وسیعی پیدا بکند. ژیروسکوپ با فناوری میکروماشین کاری حجم ساخته شده و از نوع ارتعاشی تک محوره با تحریک خازنی طولی و آشکارسازی خازنی تفاضلی می باشد. تحریک روی ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید