نتایج جستجو برای: پتانسیل سنج خازنی

تعداد نتایج: 21889  

Journal: : 2023

طیف گامای آنی تولید شده حین تابش پروتون به بافت، برای آنالیز عنصری بافت تحت درمان کار گرفته می‌­شود. هدف اصلی این در پروتون­درمانی ردیابی غلظت اکسیژن تومور است. پایش برخط تغییر عنصر پزشک را سمت ارزیابی روند بهبود و تخمین پاسخ بدن بیمار هدایت می‌­کند. مطالعه گاما یک فانتوم چشم انسان آشکارساز HPGe با استفاده از ابزار Geant4 شبیه‌سازی ­کارگیری شبکه عصبی انجام شد. 33 نمونه حاوی تومورهای متفاوت نظر ...

ژورنال: :مجله صوت و ارتعاش 2012
راضیه قبادی بیژن غفاری

ارتعاش­ سنج لیزر داپلر ابزاری برای اندازه­ گیری اپتیکی دامنه، فرکانس و سرعت اشیائ مرتعش بدون تماس می­باشد. با توجه به کاربرد‏های متنوع و روزافزون ارتعاش­ سنج­ های لیزر داپلر در این مقـاله طرحی ساده و کاربردی از این دستـگاه با استفاده از تداخل­ سنج مایکلسون و نصب آینه بر روی شیء مرتعش ارائه شده است. فرکانس و دامنه ارتعاش، از جابجایی داپلرِ فرکانس نور لیزر حاصل می‏شود. با استفاده از این چیدمان آزم...

به طورکلی در طراحی منابع تغذیه پالسی ولتاژ شارژ بانک‌های خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها از جمله پارامترهایی هستند که نقش اساسی در شکل و دامنه پالس خروجی ایفا می‌کنند. در این مقاله روشی جدید جهت طراحی منبع تغذیه پالسی پیشنهاد شده است. در این روش با استفاده از الگوریتم ژنتیک تحت محیط نرم‌افزار MATLAB مجموعه‌ای از مقادیر ولتاژهای شارژ بانک‌های خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها، برای بهینه سازی چند هدفی منب...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

Journal: : 2023

در این مقاله سیستم تأمین انرژی و تخلیه جریان سیم‌­پیچ چنبره‌ای توکامک دماوند به منظور افزایش زمان میدان‌های مغناطیسی با هدف ماندگاری پلاسما، طراحی شبیه‌سازی شده است. حال حاضر سیم­‌پیچ دارای نیم سیکل سینوسی مدت ms 100 پیک kA 12 است که میدان مغناطیس تقریباً T 1/1 مرکز چنبره تولید می‌کند ناحیه تخت آن حدود 20 می‌باشد برای تشکیل محصورسازی پلاسما استفاده می‌گردد. ارتقاء 200، ضروری سیستم‌های کنترل مربو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

در این پژوهش، جاذب های صفحه ای غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته اند. به کمک روش خط انتقال، مدار معادل و نمودار اسمیت دو جاذب پهن باند در باند های c و x به وسیله ساختارهای متناوب طراحی و تحلیل شده اند. جاذب اول در باند c در مقایسه با صفحه سلیزبری به ازای افزایش 2 میلیمتری در ضخامت، پهنای باند db20- را از 25.3 درصد به 66.7 درصد بهبود می دهد. در طراحی جاذب دوم در باند x، با معرفی یک سلول واحد جدی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1381

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1388

در این نوشتار سعی شد ساختارهای حسگری سنسورهای میکرو - نانو الکترو مکانیکال سیستم را از لحاظ رفتار های ارتعاشی غیر خطی مورد بررسی قرار دهیم. از مهمترین ساختارهای حسگری، نانولوله های کربنی تک دیواره می باشند. بدین جهت?رفتار ارتعاشی غیر خطی یک نانو_تیوپ کربنی را که در بالای صفحات گرافیتی قرار گرفته، با هدف کاربرد در حسگرهای میکرو - نانو شتاب سنج های خازنی مدل نموده ایم. با ایجاد مقدار کافی نیروی ج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد - دانشکده فنی 1391

در این پایان نامه توزیع ولتاژ ضربه در طول انواع سیم پیچی ترانسفورماتور بررسی خواهد شد. انواع سیم پیچی مورد استفاده در ترانسفورماتورها معرفی و مدل خازنی آنها نیز ارائه خواهد شد. در قسمتی از پایان نامه با استفاده از نرم افزار volna به شبیه سازی انواع سیم پیچی پرداخته و سپس توزیع ولتاژ ضربه در طول این سیم پیچی ها نیز محاسبه خواهند شد. همچنین با استفاده از یک نرم افزار المان محدود نیز توزیع ولتاژ ض...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

سیستم های میکروالکترومکانیکی به سیستم ها و یا قطعاتی ، با اجزای مکانیکی و الکترونیکی در ابعاد میکرومتری اطلاق می گردد. به دلیل کوچکی اندازه، هزینه ساخت پایین، مصرف توان کم و بازدهی بالا این فناوری توانسته در زمینه های مختلف فناوری کاربردهای وسیعی پیدا بکند. ژیروسکوپ با فناوری میکروماشین کاری حجم ساخته شده و از نوع ارتعاشی تک محوره با تحریک خازنی طولی و آشکارسازی خازنی تفاضلی می باشد. تحریک روی ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید