چکیده: شیشه سرامیک های بدست آمده از تبلور ترکیبات شیشه در سیستم سه تایی cao-sio2-mgo خواص شیمیایی و مکانیکی خوبی از خود نشان داده اند. به همین دلیل این مواد برای کاربردهای زیادی مناسب هستند. همچنین به عنوان یکی از سیستم های شیشه سرامیک با ویژگی های دی الکتریک مطلوب شناخته شده اند. در این پژوهش رفتار تبلور و سینترپذیری شیشه سرامیک سیستم cao-sio2-mgo مورد بررسی قرار گرفت. به منظور انتخاب ترکیب ...

در این پایان نامه هدف طراحی آنتن دی الکتریک مستطیلی با پهنای باند پلاریزاسیون دایروی بالا برای پوشش باندهایx و ku بود. به این منظور و بر مبنای مطالب بحث شده ابتدا با استفاده از روش dwm به محاسبه ابعاد rdra پرداخته شد. سپس با انجام بررسی های گسترده بر روی نمونه های متعدد rdra با تغذیه های مختلف نشان داده شد مدهای تحریک پذیر rdra وابسته به منبع تغذیه و موقعیت آن است. در ادامه فلوچارتی برای طرا...

محرک های الکترومکانیکی بر پایه لاستیک سیلیکون، در صنعت روباتیک کاربرد فراوانی دارند. این محرک ها تحت ولتاژهای بالا تحریک می شوند و این نقطه ضعف آنها به شمار می آید. از آنجائیکه میزان تحریک در این محرک ها با ضریب دی الکتریک رابطه مستقیم دارد، با افزایش این ضریب می‏توان در ولتاژ پایین تر به میزان تحریک بیشتری دست یافت. با پخش کردن یک پرکننده با ثابت دی الکتریک بالا در بستر پلیمری، می توان به یک ک...

برای ساخت سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع p با مقاومت -cm? 10-1 و با جهت بلوری (100) استفاده شده است. تخلخل بوسیله فرآیند الکتروشیمیایی، در محلول حاوی اسید hf و اتانول و با نسبت حجمی (1:1) صورت گرفته است. در طول زمان آندیزاسیون تمامی عوامل موثر بر میزان تخلخل مانند جنس سیلیکان زیر لایه، نوع محلول، شرایط محیط ( روشنایی، دمای محیط، میزان رطوبت) و چگالی جریان ثابت نگاه داشته شده و تنها با تغبیر...

این مقاله به بررسی آنتن های شفاف به عنوان راه حلی برای حل مشکلاتی مانند زیبایی، آیرودینامیک بودن آنتن در کاربردهای مختلف و همچنین نقش آن در کاربردهای فضایی می‌پردازد. سپس دو دسته‌ی کلی آنتنهای شفاف بررسی می شوند. در دسته اول، ساختار آنتن که در آنتنهای متداول معمولا از فلزات ساخته می شود، با استفاده از تکنولوژی فیلم نازک و یا با مشبک نمودن قسمتهای فلزی آنتن محقق می‌شود. دسته‌ی دوم، آنتهای تشدیدک...

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

در بخش اول تحقیقات، سرامیک مایکرویو دی الکتریک با ترکیب li2znti3o8 – x wt. % tio2 با واکنش های حالت جامد آماده سازی شد. مواد اولیه با خلوص بالا (%99<) شامل li2co3 ,zno و tio2 مورد استفاده قرار گرفت. درصد های مختلف از نانو ذرات (wt. % 8 - 0) tio2 به سرامیک li2znti3o8 اضافه شد تا تاثیر نانو ذرات بر روی دانسیته، ریزساختار، قابلیت سینتر و خواص مایکرویو دی الکتریک بررسی شود. ماکزیمم دانسیته 99 درصد ...

هدف از این کار تجربی ارائه گزارش حاصل از اندازه گیری ضریب دی الکتریک بلورهای مایع e7 , c7 , 1791 می باشد . ضریب دی الکتریک هر یک از بلورهای مایع در بازه دمایی و فرکانسی متفاوت اندازه گیری شد . بررسی نتایج نشان داده است که بلورهای مایع مورد بررسی ناهمسانگردی دی الکتریکی مثبتی دارند و با افزایش دما در فاز نماتیک این نوع ناهمسانگردی کاهش می یابد . تا اینکه در دمای گذار ، این مقدار به صفر میل میکند...

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی بلورهای bi0.5na0.5tio3 (bnt)، bi0.5na0.5ti0.5zr0.5o3 (bntz) و bi0.5na0.5zro3 (bnz) در فاز تتراگونال مورد بررسی قرار گرفت. از جمله ی این خواص می توان به چگالی ابر الکترونی، ساختار نواری، چگالی حالت ها و خواص دی الکتریک، هدایت اپتیکی، بازتابندگی، ضریب شکست و ضریب خاموشی اشاره کرد. محاسبات با تقریب شیب تعمیم یافته (gga) در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی (dft) انجا...

نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساخت...