ضریب رسانش گرمایی یک عامل بسیار متغیر وابسته به خواص و ساختار سنگها و بسیار مهم برای اندازه گیری شار گرمای زمین محسوب می شود. در این مقاله با معرفی یک دستگاه دو میله که بر اساس شار گرمایی معلوم در یک نمونه سنگ به صورت مانا کار می کند‘ ضریب رسانش گرمایی چند نمونه سنگ از مکانهای مختلف ایران اندازه گیری شده و با مقادیر گزارش شده توسط افراد دیگر مقایسه و بحث می شود. دستگاه مذکور که توسط امکانات مو...

گرافین صفحه‌ای از اتم‌های کربن است که به صورت یک تا چندلایه (حدود ده لایه) خواص دوبعدی خود را حفظ می‌کند. در این بین گرافین سه‌لایه به علت پایداری و فراوانی نسبت به دیگر ساختارها، مورد توجه است. چون تعداد و چگونگی قرارگیری لایه‌ها نسبت به هم خواص ترابردی ماده و طیف پاشندگی را تغییر می‌دهد؛ بنابراین در بررسی گرافین سه‌لایه ساختار برنل ABA به تحلیل هامیلتونی و ساختار نواری آن پرداخته‌ایم. بررسی‌ه...

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روش تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عدد اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعدد اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیاد مقدارِ عدد اِشغال را به این عوامل نشا...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

در این تحقیق با استفاده از فرمول بندی تابع گرین و رابطه لانداور-بوتیکر به بررسی رسانش و پدیده مغناطومقاومت در مولکول پلی تیوفن می پردازیم و اثرات برهمکنش الکترون-فونون، الکترون-الکترون و حضور میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ اعمالی را بر روی خواص رسانندگی بررسی خواهیم کرد. مولکول پلی تیوفن در این تحقیق به وسیله هامیلتونی سو-شریفر-هگر توصیف میشود و الکترودها در تقریب باند پهن بررسی میشوند. بر اساس ن...

پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن د...

هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونیکی اکسید تیتانیوم (tio2) در فاز روتایل (rutile) در حالت خالص و همراه با ناخالصی های گوگرد، سلنیوم، تلوریم و پلونیوم از گروه اکسیژن و زیرکونیم و هافنیم از گروه تیتانیوم و تأثیر اثر ناخالصی روی خواص فوتوکاتالیستی این ماده می باشد. محاسبات بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی (dft) و استفاده از روش شبه پتانسیل با استفاده از نرم افزار siesta انجام شده است....

خواص ساختاری و الکترونی فازهای رتایل،آلفا کوارتز،آلفا دی¬اکسید سرب،دی¬کلرید کلسیم و پیرایت از دی¬اکسید ژرمانیم توسط روش موج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) محاسبه شده است.پتانسیل تبادلی-همبستگی توسط تقریب چگالی موضعی رفتار می¬کند.چگالی حالتهای کلی و جزئی و همچنین ساختار نواری برای هر فاز محاسبه شده است.محاسبات نشان می¬دهد که سهم عمده چگالی حالتها در زیر سطح فرمی مربوط به اوربیتاله...