از آغاز انقلاب گرافن در سال 2004، این ماده توجه زیادی را به خود جلب کرده است و ویژگی های فیزیک و شیمیایی منحصر به فرد آن، امیدهای بسیاری برای استفاده از این ماده در زمینه های مختلف به وجود آورده است. همچنین نانوذرات مغناطیسی که به سادگی توسط یک آهن ربا از محیط جدا می شوند، راهکار جدیدی در حذف آلاینده ها به حساب می آیند. در این تحقیق، مزایای آهن گرافن با جداسازی آسان نانوذرات مغناطیسی ترکیب شده ...

گرافن به دلیل تحرک ترابرد بالا و قابلیت استفاده در دمای اتاق کاندیدای خوبی در مقایسه با دیگر نیمرساناهای متداول در تکنولوژیهای جدید فوتوولتائیک است. سلول های خورشیدی نیم رسانا بطور وسیعی برای تولید جریان نوری مورد استفاده قرار می گیرد. ولی بخاطر هزینه ی بالا و بی اثر بودن جذب نور نزدیک گاف باندی و پایین بودن راندمان تدریجا جای خود را به ساختارهای گرافنی می دهد. لذا در پژوهش حاضر یک ساختارچاه ک...

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

The soft magnetic nanocrystalline Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3 alloy (FINEMET®) is produced by heat treatment of amorphous precursor. Determining kinetic parameters of amorphous structure transformation to nanocrystalline allows the control of microstructure (e.g. size and volume fraction of nanocrystalline grains) in order to achieve desired soft magnetic properties by optimizing the heat treatment co...

در این پایان نامه، به بررسی و تحلیل عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی می پردازیم. همچنین اثرات افزودن نقص به کانال ترانزیستور و تغییر فاصله اتم ها در لبه نانو نوار را مورد بررسی قرار می دهیم. برای شبیه سازی این ساختار از نرم افزار nano tcad vides، siesta و matlab استفاده شده است. در این راه شیوه بدست آوردن هامیلتونی نانو نوار آرمچیر با رویکرد تنگ بست توضیح داده می شود. برای بالاتر ب...

در دهه های اخیر، تحقیقات فراوانی روی خواص ساختارهای کربنی انجام شده است و در این میان، نانولوله های کربنی و صفحات گرافنی به دلیل دارا بودن خواص گرمایی، مکانیکی و الکتریکی ویژه ، توجه ویژه ای را در بین پژوهشگران حوزه ی نانو به خود جلب کرده اند. فهم چگونگی گذار فاز نانولوله های کربنی تک دیواره، برای کاربرد آن ها در محیط های با دمای بالا، بسیار مهم می باشد. از آن جا که این مواد دارای دمای ذوب بس...

بررسی خواص الکتریکی مواد از جمله نانو نوارهای گرافینی مستلزم در نظر الکترونهای ظرفیت اتمهای سازنده دارد. در مطالعات انجام گرفته بر روی خواصی چون چگالی حالت، پذیرفتاری مغناطیسی و ظرفیت گرمایی نانونوارها تنها اثر الکترونهای باند پای مورد بررسی قرار گرفته است. در این مطالعه علاوه بر الکترونهای پای اثر الکترونهای باند سیگما نیز در این خواص مورد بررسی قرار گرفت که نتایج حاکی از تاثیر قابل ملاحظه ی ا...

در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...

در تحقیق حاضر نوارهای آمورف Co68.15Fe4.35Si12.5B15  توسط فرایند ریخته­ریسی نوارهای عریض[1] تولید شدند و به کمک آزمایش­های پراش اشعه ایکس (XRD)، آنالیز حرارتی تفاضلی (DTA) و اندازه­گیری خواص مغناطیسی مشخصه­یابی شدند. انرژی فعال­سازی تبلور نوارهای آمورف به روش DTA تحت نرخ­های گرمایش مختلف و به کمک مدل­های سینتیکی کیسینجر[2] و اوگیس- بنت[3] برابر با kJ/mol 5/673 تعیین شد. بررسی نتایج خواص مغناطیسی...

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتم...