نتایج جستجو برای: میدان گرمایی

تعداد نتایج: 17242  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1391

ما اثر هدایت گرمایی را روی ساختار و خواص رصدی یک شاره ی برافزایشی مغناطیده ی داغ بررسی کرده ایم. اهمیت هدایت گرمایی در شاره های برافزایشی داغ توسط مشاهدات از گاز داغ اطراف و نزدیک هسته های کهکشانی تائید شده است. برای یک ساختار پایا و با تقارن محوری از چنین شاره هایی یک مجموعه ای از راه حل های خود مشابه را ارائه می دهیم. در این مطالعه ما دوباره راه حل ارائه شده توسط عباسی و همکاران در 2008 را با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1393

ما اثر باد در قرص های برافزایشی با پهن رفت غالب (نازک هندسی) را در حضور یک میدان مغناطیسی تحت حل خود مشابه بررسی کردیم.در این حالت اثر سرمایش باد قابل توجه بود. ما نشان دادیم با افزایش پارامتر باد سرعت شعاعی و سرعت چرخشی افزایش می یابند. در ادامه ما هدایت گرمایی را در حضور مقاومت مغناطیسی وارد معادلات قرص نازک نمودیم و معادلات را تحت حل خود مشابه حل کردیم. حل هایمان نشان می دهند که ساختار شاره...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1390

تاکنون،تحقیقات برروی سیال های شبیه adafدر اطراف سیاه چاله ها نشان می دهد که هدایت گرمایی نقش مهمی در انتقال انرژی تابشی در سیستم دارد و سبب سردشدن قرص می شود. در پلاسماهای داغ که به سمت جسم مرکزی فروریزش دارند و به اصطلاح کم برخورد هستند ، انتقال انرژی آن ها توسط هدایت گرمایی صورت می گیرد.در این تحقیق،سهم هدایت گرمایی را در تحول دینامیکی قرص برافزایشی نازک چرخان با پهن رفت غالب در اطراف یک سیاه...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2015
عطااله ربیعی علیرضا عطف

ازدیاد مقدار انرژی گرمایی تولیدی توسط مدارهای الکترونیکی که خود همواره روز به روز در حال کوچک شدن در ابعاد و اندازه می باشند، نیاز به خنک سازی هر چه کارآمد تر این مدارها را ضروری می سازد. تلاش های اخیر محققین نشان داده است که با عبور جریان دوفازی جوششی از مینی کانال ها می توان به ضرایب انتقال حرارت مطلوب دست پیدا کرد. رخ دادن پدیدة خشک شدگی و به دنبال آن افزایش ناگهانی دما به واسطه ی شار گرمای ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1381

پیشرفت سریع محاسبات کوانتومی در سالهای اخیر میدان پژوهشی گسترده ای فراروی فیزیکدانان و علاقمندان علوم کامپیوتر قرار داده است . در این پایان نامه ، اثر نوفه حرارتی بر گیت های کوانتومی و دینامیک حالت های ناجایگزیده بررسی می شود. در تله یون میدان های الکتریکی و مغناطیسی باعث می شوند یونها به حالت سکون برسند، این فناوری اجازه می دهد از ددرجات آزادی درونی یونها برای ساخت گیت کوانتومی استفاده کنیم. ا...

در این مقاله یک راه حل تحلیلی دقیق برای هدایت گرمایی درون یک ماده مدرج تابعی که خواص مواد آن دارای تابعیت نمایی نسبت به مکان و تابعیت خطی نسبت به دما داشته باشد، ارائه شده است. به‌دلیل وابستگی خواص مواد به دما، معادله حاکم غیر خطی شده و نمی‌توان آن را به‌طور مستقیم حل کرد. اساس روش حل تحلیلی پیشنهاد شده استفاده از یک تبدیل انتگرالی می‌باشد، که این تبدیل معادله میدان دمای غیر‌خطی را به یک معادله...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - پژوهشکده علوم 1391

گرافن، یک نانو صفحه کربنی است که برای اولین بار در سال 2004 جداسازی شد و در سال های اخیر فرصتهای زیادی را در زمینه کارهای عملی مرتبط با فناوری نانو فراهم کرده است از این رو هدف اصلی ما در این پایان نامه بررسی برخی از خواص پراهمیت گرافن است. در فصل اول بعد از معرفی ساختارهای کربن به بحث در مورد گرافن و گرافیت می پردازیم. در فصل دوم توابع گرین را با روشهای تنگ بست، میدان متوسط و خود انرژی در شب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم زمین 1393

یافتن روش¬های کاربردی به منظور کاهش هزینه¬های اکتشافی و صرفه¬جویی در وقت، می¬تواند کمک موثری در اکتشاف منابع هیدروکربنی داشته باشد. اکتشاف منابع هیدروکربنی نیازمند مطالعه و بررسی دقیق سنگ منشأ می-باشد. محتوای کربن آلی و بلوغ حرارتی مهم¬ترین فاکتورهای ژئوشیمیایی جهت ارزیابی سنگ منشأ محسوب می-شوند. در سنگ¬های منشأ دارای مقدار کافی ماده آلی، بلوغ حرارتی مهم¬ترین پارامتر جهت تولید اقتصادی هیدروکربن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده فیزیک 1391

‏قصد داریم اثرات رسانش گرمایی را بر ساختار جریان های برافزایشی وشکسان و مقاومتی در حالت تحت غلبه پهن رفت مورد بررسی قرار دهیم. در این تحقیق رسانش گرمایی به شکل اشباع شده در نظر گرفته{می شود}. همچنین وشکسانی و مقاومت مربوط به تلاطم و وابسته به میدان مغناطیسی فرض می شوند. در این حالت ضریب سینماتیک وشکسانی و انتشار مغناطیسی ثابت نیستند. برای توصیف آن ها از مدل استفاده کرده ایم. برای حل معادلات حاک...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید