در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی ...

در این تحقیق، به بررسی و اندازه گیری حساسیت و فرکانس ارتعاشی در 3 جهت z,y,xروی جرم محک و فرکانس ارتعاشی در 3 جهت پرداخته شده است. به کمک4 تیر با ابعاد مشخص شده برای کنترل و مهار جرم محک استفاده شده است. در روی هر میله 2 مبدل فیلم نازک پیزو تنظیم شده است. در مجموع 8 مبدل طوری به هم متصل شده اند که شتاب های 3 محوره را می توانند اندازه گیری کنند. شتاب وارده روی محورz برای اندازه گیری حالت متقارن، ...

چگونگی بهینه سازیِ ذخیره و مصرف انرژی موضوعی است که امروزه توجه گسترده جهانی را به خود جلب کرده است. توسعه خازن ها با قابلیت ذخیره سازی بالای انرژی یکی از جنبه های قابل توجه بهره برداری منابع جدید انرژی است. مواد دی الکتریک پلیمری با ثابت دی الکتریک بالا، نقش موثری را در توسعه این خازن ها، ایفا می کنند. از سال 1960 میلادی شیمیدان ها تحقیقات گسترده ای در زمینه خاصیت دی الکتریکی پلیمرها انجام داده...

محاسبه آهنگ واپاشی یک اتم و یا مولکول برانگیخته در نزدیکی یک تیغه دی الکتریک به دو روش متفاوت بررسی می شود. روش اول: میدان الکترومغناطیسی با استفاده از توابع مد کوانتیزه شده و آهنگ واپاشی اتم برانگیخته با بکار بردن قاعده طلایی فرمی محاسبه می شود. فرض می کنیم که تابع دی الکتریک تیغه یک کمیت حقیقی ثابت است . روش دوم: براساس کاربرد قضیه اتلاف - افت خیز و فرمول کیوبو است . در این روش ، آهنگ واپاشی ...

ایران چهارمین تولید کننده سیب زمینی از لحاظ مقدار تولید است. با توجه به سهم بالای ایران در صادرات و مصرف سیب زمینی در داخل، اهمیت بررسی کیفیت سیب زمینی های تولیدی به صورت پیوسته و در ابعاد وسیع در فرآیند جداسازی این محصول آشکار می شود. سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی-های متعددی روبه رو می شود، که برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی، رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجو...

نظر به مطالعات انجام گرفته در نانو فیزیک، بررسی انرژی آزاد کازیمیر و نیروی مربوط (فرمول لیفشیتز) بین یک لایه گرافین و یک دی الکتریک دارای اهمیت است. ما در ابتدا، بعد از بیان تاریخچه ای مختصر در مورد اثر کازیمیر، انرژی آزاد کازیمیر را بین دو صفحه دی الکتریک محاسبه می کنیم. سپس بعضی از خواص لایه ی گرافین را مطالعه می کنیم و انرژی کازیمیر بین گرافین و یک صفحه دی الکتریک در دمای متناهی t را محاسبه ...

دو نوع از سنسور ها معمولاً برای اندازه گیری فشار در آزمایشات استفاده می شود: سنسورهای پیزوالکتریک و پیزورزیستیو . سنسورهای پیزوالکتریک رزولوشن زمانی بالاتری ارائه می کنند و استفاده از آنها ساده تر است. هر چند، محدوده های فشار و زمانی آنها کاملاً محدود است. درمقابل، سنسورهای پیزورزیستیو می توانند در طیف گسترده ای از فشارها (gpa100mpa-1) و زمان ها (بارگذاری استاتیک - ms ) استفاده شوند. با این حال، ...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

شباهت های زیاد جریان الکتریسیته و مایعات، باعث شده تا برای تشریح برخی پدیده ها در علم برق از نحوه رفتار مایعات الهام گرفته شود. با توجه به نزدیکی الکتریسیته و هیدرولیک، می توان هیدرولیک را از منظری نو و با رویکردی الکتریکی تشریح نمود. در تحقیق حاضر، با دیدگاهی جدید، اقدام به تعریف جزئیات دوگان های مشابه پدیده های الکتریکی در هیدرولیک گردید. عناصر و پدیده های اساسی ارائه و تعریف شدند که از آن جم...

در این پایان نامه ابتدا نانوذرات دی اکسیدتیتانیوم )2(tio با ضخامت 10 نانومتر بر روی زیرلایه ای از جنس کوارتز لایه نشانی شدند و سپس نانوذرات نقره (ag) با ضخامت 40 نانومتر روی دی اکسیدتیتانیوم با روش کندوپاش لایه نشانی شدند. سپس خواص ساختاری و اپتیکی لایه نازک مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت و برای تابع دی الکتریک این دولایه ای بازه ای بدست آوردیم. خواص ساختاری نقره-دی اکسیدتیتانیوم با الگوی پراش ا...