چکیده ندارد.

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

در این پژوهش تاثیر عملیات حرارتی بر ریز ساختار و خواص مکانیکی ترکیبات بین فلزی فصل مشترک اتصال جوشکاری انفجاری فولاد آستنیتی 321 به آلومینیم 1230 بررسی شده است. بررسی های آزمایشگاهی با استفاده از میکروسکوپ نوری، میکروسکوپ الکترونی روبشی، آزمون­های ریز سختی سنجی و استحکام کششی برشی انجام شده است. ترکیبات بین فلزی فصل مشترک و مقدار نفوذ عناصر آلومینیم، آهن، نیکل و کروم با استفاده از آنالیز خطی و ...

نانولوله اکسید روی خالص غیرمغناطیسی ونیم رسانا می باشدکه بعد از آلاییده شدن با اتم نقره رسانا شده و باجذب اتم اکسیژن برحالت آلاییده به نیم فلز تبدیل می شود که درصنعت اسپین ترونیک کاربرد زیادی دارد.

با گسترش روزافزون فناوری های مرتبط با پردازش کوانتومی اهمیت دسترسی به ادواتی برای حصول تزویج قوی میان ذرات هرچه بیشتر نمایان می گردد. در این میان زیرساختار مبتنی بر فناوری فوتونیک از اهمیت فوق العاده ای برخوردار است و در حقیقت بهترین دستاوردها در این خصوص توسط این فناوری بدست آمده اند. امکان تشخیص و گسیل تک فوتونها، و نیز تولید حالات درهم تنیده میان فوتون ها و الکترونها در ساختارهای حالت جامد م...

تحلیل توپولوژی چگالی بار الکترونی به عنوان ابزار جدیدی برای مطالعه خواص الکترونی مواد معرفی می گردد. در این روش ویژه مقادیر ماتریس هسین چگالی بار الکترونی به عنوان یک میدان اسکالر سه بعدی برای ارزیابی قدرت پیوند اتم ها مورد استفاده قرار می گیرد. در این مقاله از این روش برای مطالعه گذار فلز – نیم فلز در بلور mnas در فاز بلند روی استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که توپولوژی چگالی بار در این گذا...

دراین پایان نامه پدیده دوپایایی نوری درچاه های کوانتومی نیم رسانا موردبررسی قرار می گیردو شامل چهار فصل است.درفصل اول خلاصه ای ازمفاهیم مقدماتی شامل برهم کنش اتم-میدان وماتریس چگالی ونوسانات رابی بحث شده وسپس به سراغ پدیده دوپایایی نوری در سیستم سه ترازی نوعvوحل عدی آن می رویم.فصل دوم شامل ساختار کاواک حلقوی نوری وشرایط مرزی ومعادلات اصلی حاکم برآن یعنی معادلات ماکسول-بلاخ است ودوپدیده شفافیت ا...

اکسید کادمیم در سلولهای فتوولتانیک-حسگرهای گازی و بعنوان نیم رسانا در صنایع الکترونیک کاربرد داشته وخواص کاتالیستی خوبی از خود نشان می دهد. اکسید کادمیم یک نیم رسانای نوعn است که حتی در غیاب عناصر دوپه شونده هدایت الکتریکی بالا نشان می دهد. تعداد زیادی از کریستالهای اکسید کادمیم در مورفولوژی های متفاوت از قبیل نانو سیم -نانو میله-سنتز شده اند.مطالعات نشان داده است که دوپه کردن اکسید کادمیم با ب...

در سطح آزاد نیم رساناها برای مثال سطح سیلیکن، حالت تناوبی اتم های بلور گسیخته می شود به طوری که بعضی از پیوندهای اتمی به صورت پیوندهای آزاد باقی می مانند. در نتیجه حالت های سطحی دهنده و یا پذیرنده زیادی در گاف نواری سطح سیلیکن وجود دارد. به طور مشابه در اتصال شوتکی فلز – نیم رسانا (ti-si)، حالت های میان گاهی الکترونیکی در گاف نواری القا می شوند. به هر حال حالت های سطحی (و یا میان-گاهی) توانایی ...