نتایج جستجو برای: مدل سازی فرایند نیم رسانا
تعداد نتایج: 210798 فیلتر نتایج به سال:
تهیه هیدروژل های حاوی ترکیبات آهن و منگنز و تهیه هیدروژل بر پایه نانو ذرات نیمه رسانای کادمیم سولفید
در این پروژه، غنی سازی هیدروژل تجاری و سنتزی با ترکیبات آهن و منگنز بررسی شد. هیدروژل سنتز شده با آمونیوم پرسولفات پس از بهینه سازی شرایط سنتز برای غنی سازی استفاده شد. میزان جذب fe-edta و mn-edta روی هیدروژل تجاری کمی بیشتر از هیدروژل سنتزی بود اما میزان تورم هیدروژل سنتز شده نسبت به هیدروژل تجاری بیشتر بود. رهایش ترکیباتfe-edta و mn-edta در محیط آب مقطر نیز مورد بررسی قرار گرفت، نتایج نشان دا...
در این پایانامه دینامیک غیر خطی سیستم های لیزر نیمه رسانا به صورت تئوری و به کمک روشهای حل عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. بر اساس این پایانامه نتایج بدست آمده زیر را می توان دسته بندی کرد: (i دینامیک لیزر نیمه رسانا● رفتاردینامیکی شدت خروجی لیزر های نیمه هادی در حضور یک کاواک خارجی کوتاه، با تغییر پارامترهای فاز و شدت پس خوراند کاواک خارجی: دینامیک غیرخطی شدت خروجی لیزر به تغییرات جزیی پارامت...
هدف از این پایان نامه بررسی اثرات غیرخطی ساختاری روی بهره نوری ترانزیستور لیزری ingaas/gaas است.ترانزیستور لیزری tl مورد نظر ما یک ترانزیستور دو قطبی ساختار نامتجانس hbt است که با به کارگیری نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لی...
در این پایان نامه اثر اندازه بر خواص لیزرهای نقطه ی کوانتومی مخروطی ـ شکل inas/gaas با لایه¬ی خیس بررسی شد. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره¬گیری از تقریب جرم موثر، معادله¬ی تک نواری شرودینگر برای دو دسته نقطه¬ی کوآنتومی مخروطی ـ شکل با لایه ی خیس حل و توابع موج و ترازهای انرژی پایه، برانگیخته¬ی اول و برانگیخته ی دوم (تراز لایه ی خیس) به دست آمدند. سپس با استفاده از تابع موج ...
فرض کنید (jn,tn) یک فرآیند تجدید مارکف {0,1,2,...}n باشد. توابع p را به عنوان تابع حقیقی و دو متغیره تعریف شده بر n*r تعریف نموده و بر اساس آن می توان فرآیند پاداش t>0 و zp (t)را به صورت زیر تعریف کرد: zp (t)n:tn+1<t p (jn,jn+1-tn)+p (j (t),x (t)) بطوریکه j (t) فرآیند نیم مارکف مرتبط با {(jn,tn):n e n} بئده و x (t) عبارت از فرآیند طول عمر می باشد. در این پایان نامه یک فرمول صریح برای e (zp (t))...
در این پژوهش، از یک مدل مونت کارلو دو دره ای برای شبیه سازی اتصال شاتکی استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند و یونیزاسیون برخوردی در ماتریس پراکندگی قرار گرفته است. باندهای انرژی غیرسهموی فرض شده اند و سازوکارهای تونل زنی و گسیل گرمایونی مولفه های جریانی هستند. با اضافه کردن یک لایه نازک غیر هم نوع با نیم رسانا نشان داده شده است که شکل گیری یک مید...
لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...
در این تحقیق، مدل مقاومت ویژه زونار بخیه ترانس-یوروپین، براساس اندازه گیری های مگنتوتلوریک در امتداد یک نیم رخ 400 کیلومتری با جهت گیری شمال شرقی شامل 38 ایستگاه مشاهده به دست می آید. بعد از تحلیل ابعادی و تعیین استرایک، همه توابع تبدیل مگنتوتلوریک و سونداژ تغییرات مغناطیسی حول استرایک تعیین شده چرخانده شده و وارون سازی دوبُعدی بر آنها اعمال می شود. نتایج، وجود یک پوشش رسوبی ضخیم و ناهمگنی های ر...
لیزرهای نیمرسانای مدقفل شده ی سرعت بالای 1.55 میکرومتری از نظر شبیه سازی برای استفاده در سیستمهای گوناگون همدوس مطالعه می شوند. در منبع همدوس، انرژی نورانی را در یک محفظه تشدید کننده تهیه می کنند. انرژی نورانی آزاد شده از این محفظه، دارای همدوسی مکانی و زمانی است، به این معنا که پرتو خروجی بسیار تک فام و جهت دار است. لیزرهای نیمرسانای مدقفل شده (msl) سه قسمتی با پیکربندی کاواک خارجی غیر فعال سر...
بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در ا...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید