روش انتگرال کانتور چندمدی یکی از روشهای تحلیل و طراحی مدارهای موجبری صفحهh- است. این روش تأثیر مدهای مرتبه بالاتر غیرانتشاری را که به دلیل وجود ناپیوستگی در ساختار موجبری ایجاد شده و در نزدیکی ناپیوستگی انرژی قابل ملاحظه ای دارند، در نظر می گیرد. این ویژگی موجب بالا رفتن دقت روش در تحلیل و یا طراحی مدارهای موجبری با ساختار پیچیده می شود. در این مقاله قصد داریم از توانمندی این روش در شناسایی خو...

در سال های اخیر سرامیک های بر پایه خانواده( cacu3ti4o12 (ccto به سبب داشتن ثابت دی الکتریک بالا به منظور به کارگیری آنها در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته است. ساختار ccto به صورت پرووسکایت مکعبی حجم مرکز دار با گروه فضایی im3 تا دماهای پایین 35 درجه کلوین می باشد. برخی از این ترکیبات ثابت های دی الکتریک تا مقادیر بالای 100000 را در دمای اتاق در گستره فرکانس بین ...

از آرایه های تخلیۀ سدّ دی الکتریک برای کنترلِ پدیده های مختلفِ آئرودینامیکی از جمله کنترلِ جداسازی جریان استفاده می شود. به منظورِ کنترلِ این پدیده ها توسّطِ تکانهِ تولیدی محرّک ها نیاز به تعیینِ ولتاژِ بیشینۀ تخلیۀ لازم برای تولید تکانه است. در روش پردازش تصویر با استفاده از شعله های پلاسما و پارامترهایی از جمله طول و شدّتِ نور آن می توان بیشینۀ تکانهِ تولیدی و به تَبَع آن ولتاژِ بیشینۀ تخلیه را به دست آورد. مز...

با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربفردی را می‌توانند از خود نشان دهند و بنابراین گزینه‌های بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. بنابراین در این کار، خواص اپتیکی نانوذرات بیضوی شکل فلزی طلا و نقره در محیط‌های دی الکتریک ...

سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی های متعددی روبه رو می شود. برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی و رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجود می آیند. برای تشخیص این دسته از خرابی ها ، چندین روش موجود می باشد که یکی از آن ها بکارگیری امواج مایکروویو است. در این تحقیق با استفاده از امواج مایکروویو و اندازه گیری ثابت دی الکتریک برای تشخیص خرابی های داخلی سه رقم سیب زمینی ( آگری...

به این منظور، در فصل اول به شرح چگونگی ایجاد کربن نانوتیوبها و نیز مفاهیم اپتیکی آنها پرداخته شده است. در فصل دوم با استفاده از مدل تنگ بست قوی، خواص الکتریکی کربن نانوتیوبهای زیگزاگ و آرمچیر بررسی شده است. در ادامه خواص اپتیکی و تاثیرات حضور میدان مغناطیسی خارجی بر روی آنها بررسی شده است. در فصل سوم کربن نانوتیوبهای تک دیواره زیگزاگ و آرمچیر را به صورت استوانه سه بعدی در نظر گرفته ایم و پذیر...

در این تحقیق تعداد پنج زیرلایه از جنس bk7به قطر 54/2 میلیمتر و ضخامت 4 میلیمتر تهیه شده و تحت عملیات سایش و پولیش یکسان قرار گرفتند تا دارای کیفیت سطح یکسان (کیفیت سطح /4?) گردند. سپس آنالیز تداخل سنجی و اسپکتروفوتومتری بر روی آنها صورت گرفت تا کیفت سطح هر نمونه و میزان بازتابش آنها پیش از لایه نشانی مشخص گردد. زیرلایه ها شامل 11 لایهtio2 با ضریب شکست 25/2 هر کدام به ضخامت 118 نانومتر و 10 لایه...

در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...

شرح نیروهای پاشندگی در چارچوب الکترودینامیک کوانتومی ماکروسکوپیک در محیط خطی, پاشنده و جاذب, ترکیبی از مزایای استفاده از روش های معمول الکترودینامیک کوانتومی استاندارد و روش های بر اساس نظریه پاسخ دهنده خطی در یک روش طبیعی است. این شرح, بیانات معتبر عمومی برای نیروهای بین اجسام و نیروهای وارد بر اتم ها در حضور اجسام ارائه می دهد که این بیانات به روشنی روابط بین انواع مختلف نیروهای پاشندگی را نش...

محاسبه آهنگ واپاشی یک اتم و یا مولکول برانگیخته در نزدیکی یک تیغه دی الکتریک به دو روش متفاوت بررسی می شود. روش اول: میدان الکترومغناطیسی با استفاده از توابع مد کوانتیزه شده و آهنگ واپاشی اتم برانگیخته با بکار بردن قاعده طلایی فرمی محاسبه می شود. فرض می کنیم که تابع دی الکتریک تیغه یک کمیت حقیقی ثابت است . روش دوم: براساس کاربرد قضیه اتلاف - افت خیز و فرمول کیوبو است . در این روش ، آهنگ واپاشی ...