چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...

لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (zno:n) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0c450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف xrd نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیحی رشد در آنها تغییر پیدا کرده است. این تاثیر گذاری در خواص اپتیکی لایه ها نیز بخوبی مشهود بوده به طوری که عبور اپتیکی...

مقاومت الکتریکی لایه های نازک نیمه هادی های اکسید فلزی تابعی از ترکیب گاز محیط فراگیرنده آنها است. نانولوله های اکسید تیتانیوم به گاز هیدروژن حساس هستند و در برابر این گاز، کاهش چشمگیری در مقدار مقاومت الکتریکی این نانولوله ها مشاهده می شود. در این تحقیق، نانولوله های اکسید تیتانیوم، به روش اکسیداسیون آندی در دونوع الکترولیت آبی و آلی بر روی سطح ورق تیتانیوم ایجاد شدند. نتایج بدست آمده از بررسی...

در این تحقیق لایه نازکی از نانوذرات تیتانیم دی‏اکسید با متوسط قطر ذرات nm8 بر روی شیشه تهیه و خواص بلوری و نوری آن قبل و بعد از کلسینه کردن بررسی گردید. الگوی xrd با زاویه پایین نشان داد که لایه نازک تیتانیم دی ‏اکسید قبل از کلسینه کردن دارای ساختار مزوحفره ای است و بر خلاف معمول، کلسینه کردن سبب افزایش طبیعت مزوحفره ای آن شده است. الگوی xrd با زاویه پایین لایه نازک تیتانیم دی‏اکسید قبل و بعد ا...

در این پژوهش نانو لایه های نازک ایندیم تین اکسید(( ito توسط تکنیک سل- ژل و به روش غوطه وری تهیه شدند. برای تهیه سل معمولا از نمک قلع(vi) استفاده می شود، ولی از آنجایی که استفاده از نمکهای قلع(ii) مقرون به صرفه تر است، در این تحقیق از ترکیبات اگزالات قلع(ii) و ایندیم فلزی به عنوان مواد اولیه و h2o2 و i2 به عنوان ترکیبات اکسنده استفاده شد. بر اساس نتایج بدست آمده، اکسیداسیون با ترکیب ید نسبت به ت...

در این پژوهش اندازه گیری هایac بر روی لایه های نازک فتالوسیانین مسcupc با الکترود های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می کند. نتایج نشان می دهند که غالب شدن مدل های جهشی با برد متغیر(vrh) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال...

در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل‌ ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که حضور اتمسفر احیا...

در این پایان نامه، لایه نازک اکسید روی خالص و آلائیده با آلومینیوم برای کاربری به عنوان لایه ی رسانای اکسیدی شفاف در سلول های خورشیدی لایه نازک، ساخته شد و مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور لایه های نازک zno و azo (0، 3، 6 و 12 درصد مولی آلومینیوم) به روش لایه نشانی چرخشی بر پایه سل ژل بر روی زیرلایه ی شیشه ساخته شد. بعد از ساخت نمونه ها، به بررسی اثر دمای پخت، آلایش al و تابش لیزر به سطح لایه ه...

هدف از این تحقیق بهینه کردن ویژگیهای حسگری لایه دی اکسید قلع با تهیه نانو لایه دوتایی zno-sno2 از روش سل ژل، با استفاده از روش پوشش دهی غوطه وری و بهبود شرایط گزارش شده توسط دیگر محققان در تهیه لایه های دو تایی است. به همین دلیل در ابتدا دو لایه خالص دی اکسید قلع و اکسید روی با روش پوشش دهی غوطه وری تهیه شدند. در ادامه اثر پارامترهای مختلف از جمله دما، زمان و تعداد لایه بر روی کیفیت لایه ها و ت...

در این تحقیق سه نمونه از لایه های نازک اکسید قلع خالص را که به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده اند مورد مطالعه قرار دادیم. اینها به عنوان حسگر گازهای اکسیژن و دی اکسیدکربن استفاده می شوند. طیف عبوری لایه ها حاکی از نازکی لایه ها در محدوده نانومتری (nm 200-150)، و طیف xrd نشانگر تغییر سمتگیری بسبلوری از (200) به (110) می باشد که این تغییر سمت گیری بلوری به دلیل تغییر ضخام...