آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...

در سال های اخیر سلول‏های خورشیدی لایه نازک cigs به دلیل بازدهی بالا و هزینه های پائین تولید در مقایسه با انواع دیگر سلول ها، بسیار مورد توجه محققین قرار گرفته‏اند. به دلیل اهمیت و نقش تعیین کننده لایه cigs در بازدهی این سلول ها، در این پایان نامه به بررسی ساخت و بهینه سازی لایه فعال cigs پرداخته شده است. بدین ترتیب به منظور رشد لایه های cigs در مرحله اول پیش ماده های فلزی مس-ایندیوم-گالیوم روی ...

در میان همه فناوری های تجدید پذیر، فناوری فتوولتایی یکی از نویدبخش ترین فناوری ها می باشد. مهمترین عامل در گسترش وسیع سلول های خورشیدی، کاهش در قیمت و افزایش بازده آن می باشد. با استفاده از فناوری نانو می توان نسل جدیدی از سلول های خورشیدی را با هزینه کم و روش های ساده تولید کرد. در این پایان نامه ساختار و عملکرد سلول هایی که با فناوری نانو ساخته می شود معرفی می گردد. در میان سلول های نسل سوم ک...

میباشند خواص اپتیکی لایه های نازک دی اکسیدتیتانیوم وابستگی شدیدی به اندازه ذرات افزوده شده به آنهادارد که با ترکیبات دوپینگ شده و آثارسطحی میتواند عملکرد بهتری از خود نشان دهند. با توجه به اندازه مولکول نیکل درمقایسه با اندازه تیتانیوم و شباهت و نزدیکی آن با تیتانیوم می تواند جایگزین مناسبی برای آن درترکیب دی اکسید تیتانیوم باشد.این جایگزینی میتواند اثرات قابل توجه ای در خواص اپتیکی ایجاد کند .

در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که...

محاسبه های این دستگاه با استفاده از کد محاسباتی wien2k و بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی انجام شده است. برای حل معادلات کان-شم حاکم بر مساله از روش امواج تخت بهبود یافته بعلاوه ی اوربیتال های موضعی (apw+lo)استفاده شده است. با استفاده از همگرایی تابع کار و انرژی تشکیل سطح و همچنین مقایسه چگالی حالت-های اتم های میانی با چگالی حالت های انبوهه ی تنگستن تعداد 7 لایه برای زیرلایه انتخاب شد، سپس لایه ها...

در تحقیق پیشرو برای بررسی پدیده ذوب سطحی صفحات متفاوت کریستالی فلزات، مدلی ترمودینامیکی در مثال فلز مس ارائه شده است. این مدل دربرگیرنده انرژی های سطحی فصل مشترک لایه های نازک فلز با گاز، سطح لایه ذوب شده با گاز و فصل مشترک جامد با مایع می باشد و در آن تاثیر انرژی سطحی لایه ها، تعداد لایه ها و نیز جهت گیری کریستالی لایه های فلزی بر روی استحاله ذوب مورد بررسی قرار گرفته است. در ادامه با اعمال تا...

در جستجو برای یافتن ترکیبات جدیدی به عنوان فاز ساکن در کروماتوگرافی لایه نازک، کارایی تجزیه ای و کاربرد "تیتانیوم فسفات" در این مطالعه مورد بررسی قرار گرفته است. با استفاده از فازهای متحرک متفاوت برای مطالعه رفتار کروماتوگرافیک کاتیون های معدنی روش های جدید، حساس و سریع برای تفکیک یون ها به ویژه فلزات سمّی در سیستم های مایی حاصل شده است. تفکیک یک یون از یون های متعدد دیگر شامل یون های مزاحم و هم...

لایه های نازک مولیبدن با ضخامتnm 50، با استفاده از سیستم کندوپاش مغناطیسی بر روی زیرلایه (400) si انباشت شدند و در دماهای مختلف (?700، 575، 450، 325، 200) در حضور شار ثابت اکسیژن (cc/min200) بازپخت شدند. ساختار بلوری نمونه ها با پراش اشعه- x تحلیل شد و از یک میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) برای بررسی ریخت شناسی سطح نمونه ها استفاده شد. مقاومت ویژه لایه های نازک اکسید مولیبدن نیز با استفاده از ابزار چ...

وابستگی خواص الکتریکی و مکانیکی لایه های نازک نیترید تیتانیوم انباشت شده بر روی زیرلایه های سیلیکون به روش کندوپاش مغناطیسی dc، به شار گاز آرگون بررسی شد. ساختار بلوری و ریخت شناسی لایه ها به ترتیب به وسیله پراش پرتو-x (xrd) و میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) بررسی شد. خواص مکانیکی و الکتریکی لایه ها نیز بوسیله آزمون سختی سنجی (nano-indentation) و دستگاه جستجوگر چهار نقطه ای (four point probe)، تحقیق ...