اسپین و تکانه زاویهای مداری دو درجه آزادی مستقل فوتونها هستند که در عبور از ماده ناهمسانگرد میتوانند با یکدیگر برهمکنش داشته و جفت شوند. برهمکنش اسپین–مدار باعث تأثیر دوجانبه قطبش و مسیرنور میشود که فاز بری و اثر هال اسپین نوری نام دارند. فاز بری مسئول انتقال موازی بردار قطبش در طول مسیر است، در حالی که در اثر هال اسپین نوری دو مولفه اسپین نور( قطبشهای دایروی راستگرد و چپگرد) در عبور یا بازتاب ...

در تحقیق حاضر انتقال اسپین در یک سیلیسن نرمال/سیلیسن فرومغناطیس/سیلیسن نرمال مطالعه شد.رسانندگی اسپین که در اتصالات سیلیسنی به طور متناوب با پهنای سیلیسن فرومغناطیس تغییر می-کند، نشان داده شد. همچنین مشخص شد که درجریان بین اتصالات سیلیسنی ،اسپین به خاطر جفت شدن درجات آزادی اسپین،ونقاط دیراک پلاریزه می شود و این پلاریزاسیون اسپین به کمک ولتاژ گیت کنترل میشود. هدف این مطالعه رسانندگی اسپینی در ی...

در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتم...

در این پروژه تلاش می شود کلیدزنی سریع حالت های کوانتومی را با استفاده از خصوصیات اسپین بررسی نمائیم. اندرکنش اسپین و میدان الکتریکی برای تغییر واهلش مورد بررسی قرار می گیرد. د این بررسی تلاش خواهد شد با استفاده از ماهیت کوانتومی اسپین و مدیریت اسپین کلیدزنی حالت کوانتومی با کمترین انرژی و کمترین سرعت عملی شود. در این تحلیل معادلات دینامیکی اسپین تهیه شده و با استفاده از اندرکنش با نور پارامترها...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دست...

مطالعه روشهای تقریبی جفت اسپین در تحولات فازهای مغناطیسی با استفاده از روش جفت اسپین مربوط به strieb, callen, horwitz تحول پیوسته سیستم های مغناطیسی با اسپین یک بررسی شد. برای اولین بار بسط لاند و بهمراه روشهای دسته بندی اسپین ها به سیستم های مغناطیسی heisenberg و blume-capple اعمال گردید تا نقاط بحرانی آن را بدست آورد. درجه حرارت بحرانی که از روش بدست می آید خیلی نزدیک است به مقدار واقعی که از...

در این پایان نامه، پیکربندی اسپینی و ترابرد وابسته به اسپین در سیلیسین مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد. سیلیسین یک ساختار لانه زنبوری تک لایه از اتم های سیلیکون می باشد که برهم کنش اسپین-مدار ذاتی در آن بر خلاف گرافین درخور توجه است. پیش تر با استفاده از روش تنگ-بست مدل هامیلتونی موثری برای الکترون ها و حفره های کم انرژی در اطراف نقاط kو kبه دست آمده است. با استفاده از این هامیلتونی و با در نظ...