در این پایانامه طراحی یک مبدل dc-dc در تکنولوژی cmos 16nm انجام می گردد. مبدل های dc-dc جهت کاهش توان مصرفی و افزایش عملکرد مدارهای مجتمع cmos استفاده می شوند. ابتدا به معرفی روش های تبدیل ولتاژ در سطح نانومتر و غیر نانومتر در گذشته پرداخته می شود و سپس یک مبدل ولتاژ باک در سطح 16 نانومتر cmos شبیه سازی شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی انجام شده استفاده از سوئیچ کمکی در مدار مبدل ولتاژ، برای...

در این مقاله در ابتدا مفهوم کلیدزنی نرم در مبدل های dc-dc تشریح می شود و در ادامه وارد بُعد مداری شده و یک مبدل بوست را با کلیدزنی نرم و با ایجاد شرایط ولتاژ صفر (zvs) و جریان صفر (zcs) تحلیل و آنالیز می کنیم. مبدل بوست، از یک مدار کمکی رزونانسی که شامل یک کلید اکتیو و تعدادی عناصر پسیو می باشد جهت ایجاد شرایط مناسب برای کلیدزنی نرم استفاده شده است هم چنین در ادامه یک مبدل بوست با کلیدزنی نرم جر...

در این مقاله، تعیین ضریب تخلیه و ضرایب خطی‌سازی شده‌ی جریانبرای سوپاپ کنترل جهت هیدرولیکی، شامل اسپول با هم‌پوشانی صفر و منفی در دستور کار قرار دارد. ضریب تخلیه‌ی تنگنای ایجاد شده توسط اسپول در شرایط آشفته‌ی جریان در حدود 6229/0 و شیب بخش خطی منحنی ، برابر 222/0 تعیین گردید. ارزیابی نتایج نشان می‌دهد که دامنه‌ی تغییرات ضریب فشار- جریان سوپاپ‌های با هم‌پوشانی صفر نسبت به سوپاپ‌های با هم‌پوشانی م...