در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

ساخت کامپوزیت های پیزوالکتریک با اتصال 3-3 و نیز بررسی خواص آن-ها در کاربردهای بسیاری همچون مبدل های صوتی، تصویربرداری پزشکی و ارزیابی های غیر مخرب بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در این پژوهش، انواع کامپوزیت های pzt- پلیمر با ساختار سرامیک متخلخل داربستی: الف) با توزیع منظم و غیرمنظم تخلخل های کروی، ب) ساختار اسفنجی و ج) لایه های با منافذ سرامیکی مربعی و مستطیلی شکل ساخته شدند. سپس داربست ها...

در این پایان نامه قصد داریم میدان الکترومغناطیسی را در حضور تیغه دی الکتریک پاشنده اتلافی که توسط

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...

در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم...

در چند دهه گذشته، به دلیل استفاده از مشددهای دی الکتریکِ سرامیکی صنایع مخابراتی بالاخص ارتباطات بی سیم دچار تغییرات اساسی شده است. مشددهای دی الکتریکی به عنوان رزوناتور،باید دارای ضریب دی الکتریک بالا به منظور تسهیل در کوچک تر کردن مدارات الکترونیکی، مقادیر فاکتور کیفیت بالا به منظور به گزینی فرکانسی آن ها و ضریب دمایی فرکانس رزونانس نزدیک به صفر به منظور پایداری فرکانس در برابر دماباشند.اخیرا ب...

در این پژوهش، به ساخت و بررسی تخلیه سد دی الکتریک میکرومتری در فشار اتمسفری پرداخته شده است. بدین منظور به صورت کلی پلاسمای اتمسفری معرفی و سپس میکروتخلیه های فشار اتمسفری که در طبقه پلاسماهای اتمسفری غیر حرارتی قرار دارند بررسی شده است. از میان میکروپلاسماها، ویژگی-ها،مبانی فیزیکی وشرایط ارائه میکروتخلیه های کاتد با حفره میکرومتری (mhcd) در فشار اتمسفری بررسی شده است. در ادامه روند ساخت سیستم ...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

در این تحقیق نانوفریت های مس cufe2o4 ، آلاییده با یون های روی و نیکل با فرمول های عمومی cu1-xmxfe2o4 که m نشان دهنده نیکل ( x= 0 ,0.5 ,1) و روی ( x = 0 ,0.25 ,0.5 ,0.75 ,1 ) می باشد ، به روش سل – ژل سنتز شدند. تحلیل الگوی پراش اشعه x نمونه ها نشانگر تشکیل ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m بود که ساختار و گروه قضایی فریت ها می باشد. پس از تأیید ساختار نمونه ها به کمک الگوی پراش ، قرص دی ...