امروزه استفاده از فناوری اطلاعات برای غلبه بر تغییرات سریع محیطی و کسب انعطاف پذیری ضروری و اجتناب ناپذیر است. از طرفی پیاده سازی پروژه های فناوری اطلاعات در بیشتر موارد با شکست مواجه می شود. هدف از این تحقیق شناسایی عوامل حیاتی موفقیت و شکست پروژه های فناوری اطلاعات در داخل کشور و تبیین راهکارهایی برای کاهش نرخ شکست آنها می باشد. این عوامل در دو دسته کلی مورد بررسی قرار گرفته است: عوامل زیربنا...

کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزارهایی است که در تکنولوژی soi ساخته می شوند. روش های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک های اضافی از کاربردی ترین روش های افزایش ولتاژ شکست می باشند. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت، یک ساختار جدید با دو پنجره در اکسید مدفون شده پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک...

نیترید تانتالوم به دلیل سختی بالا و مقاومت به خوردگی خوب توانسته است توجهات زیادی را به عنوان پوششی مناسب جلب نماید. اما چقرمگی شکست لایه‌های نازک نیترید تانتالوم که یکی از عوامل تاثیرگذار بر طول عمر پوشش است، هنوز به خوبی بررسی نشده است. در این پژوهش، برای نخستین بار، چقرمگی شکست، پلاستیسیته و حساسیت به نرخ کرنش لایه های نازک نیترید تانتالوم به کمک روش نانو فرورونده بررسی و ارزیابی شد. در این ...

دراین پژوهش، ریزساختار جوشهای نامشابه فولاد زنگ نزن آستنیتی isi 347 به فولاد کم آلیاژ astma335 با استفاده از روش قوسی تنگستن - گاز با قطبیت منفی مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، از دو فلز پرکننده ernicr-3 و er309l استفاده شد. پس از جوشکاری، ریز ساختار مناطق گوناگون هر اتصال شامل فلزات جوش، مناطق متأثر از حرارت (haz)، فصل مشترکها و مناطق مخلوط نشده (umz) با میکروسکوپ نوری بررسی شد. برای بررسی ر...

چکیده: بلورهای فوتونی (pcs) متداول، ساختارهای کامپوزیتی با آرایه ای متناوب از مواد با ضریب شکست مختلف می باشند. این آرایه ها می توانند در یک، دو و سه بعد تناوب داشته باشند. به علت این تناوب، پراکندگی براگ چندگانه از سلول های واحد، می تواند باعث ایجاد گاف باند های فوتونی(pbgs) شود. درنتیجه انتشار امواج الکترومغناطیسی در فاصله های فرکانسی خاصی ممنوع می شود. وجود گاف باند ها منجر به پدیده های جال...

متامواد چپگرد مواد مصنوعی هستند که ضرایب گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آنها به طور همزمان منفی بوده و دارای ضریب شکست منفی هستند. حضور این مواد در ساختارهای بلورهای فوتونیکی سبب پدیده های اپتیکی جالبی شده است. به همین خاطر در این پایان نامه اثر لایه نقص در ساختار شامل متاماده را بر جابجایی گوس هانچن مطالعه نمودیم. بلور فوتونیکی مورد مطالعه به شکل یک بعدی نیمه بینهایت، و تمامی لایه‎ها بصورت...

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارftirبررسی میکنیم ساختارftirشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو pimnim تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...