نتایج جستجو برای: ساختار ابزار نیم رسانا

تعداد نتایج: 114902  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج - دانشکده علوم پایه 1389

نقطه کوانتمی یا ساختار شبه صفر بعدی، یکی از سیستم های کوانتمی نیم رسانا است که در آن حرکت حامل های بار در تمام راستاهای فضایی محدود می باشد. این محدودیت فضایی، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی الکترون ها در نوار رسانش شده، خصوصیات فیزیکی این سیستم های نیم رسانا را دگرگون می سازد. بررسی خواص الکترونی و اپتیکی نقطه های کوانتمی نه تنها از دیدگاه نظری بلکه به علت کاربرد وسیع آنها در ساخت لیزرهای نیم رسا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم پایه 1393

در این پایان نامه اثر اندازه بر خواص لیزرهای نقطه ی کوانتومی مخروطی ـ شکل inas/gaas با لایه¬ی خیس بررسی شد. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره¬گیری از تقریب جرم موثر، معادله¬ی تک نواری شرودینگر برای دو دسته نقطه¬ی کوآنتومی مخروطی ـ شکل با لایه ی خیس حل و توابع موج و ترازهای انرژی پایه، برانگیخته¬ی اول و برانگیخته ی دوم (تراز لایه ی خیس) به دست آمدند. سپس با استفاده از تابع موج ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ملایر - دانشکده علوم پایه 1392

لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1388

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393

گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی یک محیط، یک اصل اساسی در پاسخ ماکروسکپیک محیط به میدانهای الکترومغناطیسی می باشد. اخیرا دسته دیگری از عناصر با ویژگی خاص اپتیکی ساخته شده اند.این مواد که به مواد مغناطیسی چپگرد(lhm ) معروف شده اند قطعا نقش مهمی را در آینده تکنولوژی بشریت بازی خواهند کرد. به عبارت دیگر مواد چپگرد موادی هستند که خواص الکترومغناطیسی آنها با خواص الکترومغناطیسی مواد موجود در طبیعت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1388

توسعه ی سوئیچ های کاملاً نوری که در آن ها باریکه های خروجی به وسیله ی یک باریکه ی سوئیچ کننده ی ضعیفتر کنترل می شود با اهمیت می باشد. همچنین اگر باریکه های خروجی از باریکه های ورودی قوی تر باشند یک مزیت برای سوئیچ بشمار می رود. زیرا این خصوصیات سوئیچ را دارای قابلیت چیدمان آبشاری می نمایند، یعنی خروجی یک سوئیچ می تواند برای راه اندازی سوئیچ بعدی بکار برده شود. این خصیصه لازمه ی کاربرد سوئیچ در...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1389

نظریه تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی خواص گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و استفاده از دسته معادلات تک ذره ای کوهن - شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای کاربردی کردن این نظریه است. در این پایان نامه، در فصل اول به طور اجمالی در مورد صنایع اسپینترونیک و کاربرد آن مطالبی ارائه گردیده است و سپس در فصل دوم خواص عمومی و فیزیکی مواد مطالعه شده در این کار بررس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1393

از معادلات لانگ- کابایاشی میتوان برای توصیف دینامیک لیزرهای نیمه¬رسانا با کاواک خارجی استفاده کرد. لیزرها اساسا سیستم¬های آشفته¬ی توصیف شده با معادلات دیفرانسیل غیر¬خطی به همراه سه متغیر بوده و انواع غنی از دینامیک¬های آشفته را نشان می¬دهند. در این پایان¬نامه برنا¬مه¬های کاربردی از لیزر نیمه¬رسانای آشوبناک، کنترل و سرکوب سروصدای لیزر بر اساس الگوریتم کنترل آشوب ارائه شده است. در اینجا روش جدیدی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1388

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد - دانشکده فیزیک 1392

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید