وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

کربن به عنوان یک عنصر منحصر به فرد در طبیعت همواره از دیرباز مورد توجه بوده است. ساختارهای جدیدی همچون نانولوله های کربن و فلورن با ویژگی های خاص خود، مطالعه روی ساختارهای متفاوت کربن را دوباره در کانون توجه قرار داد. درسال 2004 گرافن به عنوان یک تک لایه از اتم های کربن که یک پایه نظری برای سایر ساختارهای آن است کشف شد. بررسی خواص فیزیکی گرافن یکی زمینه های تحقیقاتی پر دامنه است. در این تحقیق م...

رسانش در دمای پایین برای سیستم های دو بعدی مانندترانزیستوراثرمیدان فلز-اکسید-نیمه رسانا مدتی است که مورد توجه قرار گرفته است. آزمایش ها نشان می دهند که یک نیمه رسانا آلاییده در چگالی الکترونی ناخالصی پایین از خود رفتار عایق ودر چگالی الکترونی بالا خاصیت فلزی نشان می دهد. در یک سیستم دو بعدی نظیر ساختار چند لایه ای الکترون ها با ناخالصی های باردار وخنثی برهم کنش ن سهیم می باشند. دراینجا اثر آنه...

مطالعه رسانایی الکتریکی در سیستم های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسائل در فیزیک نانو ساختار است. در سالهای اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطه‏های کوانتومی، سیم‏های کوانتومی و سیم‏های مولکولی وجود داشته است. در اکثر موارد به منظور بررسی رسانش، رسانایی به روش لانداور محاسبه می شود. این روش بیان می کند که رسانایی یک سیستم تک کاناله در دمای صفر و بایاس صفر درست برابر ضریب رسانش اس...

مولکول هیدروژن شامل دو حالت هیدروژن ارتو و هیدروژن پارا است که در هر دمایی با نسبت مشخصی با هم در حالت تعادل‌اند. به منظور جلوگیری از تبدیل کند و گرمازای هیدوژن ارتو به پارا در مخازن ذخیرة هیدروژن مایع، و ممانعت از تبخیر هیدروژن مایع، فرآیند تبدیل در بسترهای کاتالیستی صورت می‌گیرد. هیدروژن ارتو و پارا در خواص فیزیکی، از جمله رسانش گرمایی، فشار بخار، آنتالپی و نیز در طیف سنجی رامان و تشدید مغناط...

در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...

در این تحقیق ما به مطالعه همدوسی ترابرد کوانتومی در یک اتصال گرافینی فرومغناطیس – ابررسانا - فرومغناطیس در چارچوب نظریه bcs و با استفاده از معادله شبه ذرات dbdg پرداختیم. ترابرد همدوس برای ناحیه ابررسانا با پهنای محدود دارای دو ویژگی یکی است، وجود ترابرد الکترونی در انرژی های کمتر از گاف ابررسانا و دیگری نوسان رسانش دیفرانسیلی در انرژی های بالاتر از گاف است. همچینین ما صفر شدن دوره ای بازتاب آن...

بطور خلاصه در این پایان نامه به مطالعه رسانش تونلی وابسته به دما در بایاس صفر در اتصالی خواهیم پرداخت که میان یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج-d واقع شده است، اهداف ما عبارتند از محاسبه ضرایب بازتاب نرمال و آندریف در اتصال، محاسبه رسانش تونلی در دمای صفر و نهایتا محاسبه رسانش بایاس صفر بر حسب دما می باشد. برای این کار از نظریه پراکندگی btk بهره می گیریم، روش اجرا به این صورت است که ابتدا با...

نمونه های آمورف با استفاده از روش فرونشانی مذاب تهیه شده اند. مطالعه رسانش الکتریکی جامدات آمورف و بویژه شیشه های اکسیدی یکی از زمینه های علمی مورد علاقه در فیزیک حالت جامد و علم مواد است. در این کار، مبتنی بر کاربردهای وسیع شیشه های اکسیدی فلزات واسطه، رسانش الکتریکی نمونه های حاضر در گستره دمایی296-180 درجه کلوین اندازه گیری شد و نتایج نشان می دهد که انرژی فعال سازی رسانش الکتریکی با افزایش ت...