بازتاب داخلی کلی نور یکی از پدیده‌هایی است که باعث کاهش بازده دیود گسیل نور می‌شود. در این مقاله، با به‌کارگیری بلورهای فوتونی مبتنی بر حفره و کاهش بازتاب داخلی کلی نشان داده شد که بازده یک دیود گسیل نور GaN را می‌توان بیش از دو برابر افزایش داد. با بهره‌گیری از روش تفاضل محدود حوزه زمان و استفاده از 15 دوره تناوب با ثابت شبکه nm 680، ارتفاع حفره nm 210 و نسبت طول حفره به ثابت شبکه 0.5 به ازای ...

در طول دهه اخیر، مبدلهای تشدیدی فرکانس بالا به خاطر راندمان بالا، سایز کوچک ، وزن و قیمت کم دستگاه ، توجه بسیاری از محققان را به خود جلب کرده اند. از بین مبدلهای تشدیدی موجود، مبدل سری_موازی خواص مطلوب هر یک از دو مبدل سری ‏‎src‎‏ و موازی ‏‎prc‎‏ را داراست. از بین مودهای کاری مبدل سری-موازی، مود جریان گسسته ‏‎dcm‎‏مزایای ویژه ای نظیر تلفات ناچیز سوییچینگ به خاطر کلیدزنی در لحظات عبور از صفر جری...

در این پایان نامه روشی برای انتقال ِ بدون سیم ِ توان الکترومغناطیسی در فواصل متوسط مورد بررسی قرار می گیرد ( منظور از فاصله ی متوسط فاصله ی انتقالی ست که از طول مشخصه ی دستگاهها بزرگتر باشد ). این روش بر پایه ی جفت شدگی ِ غیرتابشی ِ تشدیدی استوار است. بنابراین اولاً نیاز داریم که چارچوبی برای تحلیل سیستم هایی که به صورت تشدیدی جفت می شوند داشته باشیم و دوماً لازم است که مُدهای غیرتابشی ( محو شونده ) ر...

دیودگان از یک توده نیمه هادی با ساختار نواری ویژه ساخته می شود. اساس عملکرد دیودگان بر پایه تشکیل یک ناحیه رسانایی منفی در منطقه فعال آن می باشد. ساختار نوارهای باند انرژی نیمه هادی مورد نظر بگونه ای باید باشد که الکترونها تحت تاثیر یک میدان الکتریکی قوی، از یک حالت تحرک زیاد به یک حالت تحرک کم انتقال یابند که تحت این مکانیزم ، نیمه هادی در حالت رسانایی منفی قرار می گیرد، لذا در این حالت دیود ب...

دیود تمام نوری وسیله ی یکسوسازی است که عملی شدن آن ساخت تحول عظیمی را در صنعت ارتباطات به وجود خواهد آورد.در این پایان نامه ما تحقق دیود تمام نوری از بلورهای فوتونی یک بعدی را بررسی می کنیم.با معرفی یک ساختار بلور فوتونی خاص رفتار دیود تمام نوری را بررسی خواهیم کرد نشان خواهیم داد با قرار دادن یک لایه ی نازک از جنس فرامواد با ضخامتی در حد زیر طول موج در ساختار تباین تراگسیل از چپ و راست افزایش ...

در این پایان نامه، دیود شاتکی گرافین-سیلیکون به وسیله ی ورقه کردن مکانیکی دو نوع گرافیت ( hopg و گرافیت طبیعی) بر روی زیر لایه ای از سیلیکون، ساخته شده است. زیرلایه ی سیلیکونی، پیش از قرار گرفتن گرافین، الگوسازی شده است. برای این منظور، سیلیکون تا ضخامت 300 نانومتر اکسید شده و سپس فلزات au/ti بر روی آن لایه نشانی می شوند. در مرحله بعد با استفاده از ماسک مخصوصی، فرآیند زدایش انجام می شود. پس از ...

حالت های پیوند ظرفیت تشدیدی کاندیداهای مناسبی برای حالت پایه مدل هایزنبرگ در شبکه های مختلف دوبعدی می باشند. اگر یکی از این پیوندها را بشکنیم و حالت اسپین یکتایی اش را به سه تایی تبدیل کنیم، حالت برانگیخته موسوم به تریپلون به دست می آید. در این مقاله روابط هم پوشانی بین هر دو حالت rvb و همچنین اثر si.sj روی حالت های rvb که دارای تعداد تریپلون دلخواه هستند را به دست می آوریم. این روابط کلی می با...

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در...

با استفاده از یک روش غیراختلالی که بر پایه متوسط گیری کوانتومی و یک نوع مناسب از تبدیلات تشدیدی بنا نهاده شده است, تشدیدهای سیستم یک اتم دو ترازی در حال اندرکنش با یک میدان کلاسیکی تک مد را بررسی می کنیم. هامیلتونیهای موثر این سیستم را در دو رژیم جفت شدگی ضعیف و قوی به دست می آوریم و نشان می دهیم که نتایج به دست آمده در رژیم جفت شدگی قوی, در حالت تشدید تک فوتونی میدان - صفر, برای تمام گستره ضری...

در سال‏های اخیر توجه زیادی به گسترش تحقیقات در زمینه دیود‏های نورگسیل آلی(oled)، صورت گرفته است. در آینده، این چشمه‏های نوری جایگاه ویژه‏ای در صنعت روشنایی و همچنین ساخت نمایشگر‏ها خواهد داشت. در این تحقیق، طراحی و ساخت دیود نورگسیل آلی با قابلیت تولید نور سبز مورد توجه قرار گرفته است. در این راستا، ابتدا به تحلیل سازو‏کار تولید نور به‏وسیله دیود نورگسیل آلی پرداخته شده است، در بخش دوم دیود نو...