تنش­های غیرزیستی مختلف در گیاهان منجر به تولید بیش از حد گونه­های اکسیژن فعال (ROS) و باعث آسیب به پروتئین­ها، چربی­ها، کربوهیدرات­ها و DNA می­شود. برای مقابله با تنش­ اکسیداتیو در گیاهان دفاع آنتی­اکسیدانی مانند کاتالاز و آسکوربیت پراکسیداز برای محافظت از گیاهان فعالیت می­کند. سیلیکون دومین عنصر رایج موجود در خاک است که دارای اثرات مفیدی در افزایش تحمل به تنش خشکی در گیاهان می­باشد. بدین منظور...

تنش شوری بازدهی محصولات کشاورزی مانند ذرت به عنوان یکی از غلات مهم را کاهش می‌دهد. با توجه به این که سیلیکون دومین عنصر فراوان در خاک است و موجب کاهش تنش‌های زیستی و غیر زیستی در گیاهان می‌شود، هدف از پژوهش حاضر، بررسی اثر سیلیکون و نانوسیلیکون به عنوان بهبود دهنده تنش شوری در گیاه ذرت (Zea mays) است. بدین منظور، بر هم کنش اثر غلظت‌های مختلف شوری (0 و 100 میلی‌مولار)، سیلیکون و نانوسیلیکون (50،...

تنش­های غیرزیستی مختلف در گیاهان منجر به تولید بیش از حد گونه­های اکسیژن فعال (ROS) و باعث آسیب به پروتئین­ها، چربی­ها، کربوهیدرات­ها و DNA می­شود. برای مقابله با تنش­ اکسیداتیو در گیاهان دفاع آنتی­اکسیدانی مانند کاتالاز و آسکوربیت پراکسیداز برای محافظت از گیاهان فعالیت می­کند. سیلیکون دومین عنصر رایج موجود در خاک است که دارای اثرات مفیدی در افزایش تحمل به تنش خشکی در گیاهان می­باشد. بدین منظور...

سابقه و هدف: با توجه به مقاومت باکتری ها در برابر آنتی بیوتیک های رایج و نیاز به داروهای جدید، استفاده از فراورده های دارویی که بوسیله نانوتکنولوژی تهیه شدند، می تواند در پیشگیری و درمان عفونت های باکتریایی موثر باشد. در مطالعه حاضر حساسیت استافیلوکوک و سالمونلا به نانواکسید منیزیم و نانو اکسید سیلیکون در شرایط برون تنی ارزیابی گردید. روش ‌بررسی: بدین منظور در محیط مولرهینتون براث باکتری های ا...

در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...

در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است....

پوشش با لایه های نازک نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. اطلاع از خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای بسیار نازک، کاربردهای زیادی در صنایع میکروالکترونیک، تبدیل انرژی و نانو فناوری دارند. در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پ...

در این تحقیق، لایه­های اکسید­­گرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح ­شده هامر[2]، سنتز گردید. لایه­نازک اکسید­گرافن به روش لایه­نشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسید­گرافن روی زیرلایه سیلیکون[4] لایه­نشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایه­های اکسید­گرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه­ توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسیدگرافن لایه­نشانی شده در دمای ºC4...

کاربید سیلیسیم از جمله مواد سرامیکی است که در صنایع مدرن به سرعت جایگزین مواد فلزی میشودلذا ماشینکاری آن ضرورت بیشتری پیدا کرده است. و مقاومت سایشی بالای این ماده باعث شده که از میان روشهای مختلف ماشینکاری سنتی، تنها روش سنگ زنی آن هم به وسیله چرخهای سمباده مخصوص گرانقیمت و با وجود محدودیت در انتخاب پارامترهای ماشینکاری (انتخاب شکلهای ساده قطعه کار و سرعت براده برداری پایین) میسر باشد.در میان ر...

در مقاله حاضر اثر اندازه ذرات سیلیکون بر زینترپذیری و خواص فیزیکی و مکانیکی کاربید بور بررسی شده است. برای ساخت کامپوزیت B4C-Si درصدهای وزنی مختلفی از سیلیکون (10-5/2) با میانگین اندازه ذرات مختلف (200 نانومتر و 100 میکرومتر) به کاربید بور افزوده شد. نمونه‏ها تحت فشار پرس تک محوره قرار گرفته و به روش زینتر بدون فشار در دمای 2200 درجه سانتی‏گراد زینتر شدند. برای بررسی خواص فیزیکی و مکانیکی نمونه...