نتایج جستجو برای: حافظه های نیمه هادی

تعداد نتایج: 487094  

الهه عرب عامری, شهزاد طهماسبی بروجنی مطهره مصلحی, مهدی شهبازی

زمینه و هدف: در جانبازان مبتلا به PTSD، اختلالات شناختی نظیر نقص در حافظه و توجه باعث شده است که افزون بر درمان های دارویی آنتی سایکوتیک و آرام بخش ها،  کاوش هایی هم درجهت استفاده از بازتوانی های مختلف به منظور رفع این اختلالات، صورت پذیرد. هدف از مطالعه حاضر مقایسه بازتوانی های مختلف بر حافظه و توجه این جانبازان می باشد. روش بررسی: در مطالعه نیمه تجربی حاضر، ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1391

ساختار بلوری نانوذرات قلع(ii) سولفید و قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن، روی بلاند بود. نانوذرات قلع(ii) سولفید رفتار دیامغناطیس و نانوذرات قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن(ii) رفتار فرومغناطیس نرم دارند. میانگین اندازه نانوذرات قلع(ii) سولفید، sn0.9fe0.1s و sn0.8fe0.2s به کمک روش xrd به ترتیب 12.6، 9.8 و 8.5 نانومتر محاسبه شد. اندازه فاصله انرژی با استفاده از روش uv-vis، در نانوذرات قلع(ii) سولفید، ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده مهندسی 1393

در شبکه های مخابرات نوری، تقویت کننده های نوری نیمه هادی عنصر بسیار مهمی بحساب می آیند.از میان انواع مختلف این تقویت کننده ها، تقویت کننده نوری نیمه هادی انعکاسی، به دلیل دارا بودن خصوصیاتی از جمله نرخ خاموشی و بهره نوری بیشتر از اهمیت بسزایی برخوردار است. پالس های انتشاری در محیط تقویت کننده توسط مجموعه ای از معادلات دیفرانسیلی غیر خطی کوپل شده رفت و برگشتی توصیف می شوند که برای حل آنها از رو...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
علی اصغر اروجی ali a. orouji semnan universityدانشگاه سمنان اکرم عنبر حیدری دانشگاه سمنان زینب رمضانی دانشگاه سمنان

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammad razaghi tarbiat modares university vahid ahmadi tarbiat modares university abas zarifkar iran telecommunication research center

برای تحلیل تقویت کننده نیمه هادی از شیوه ای مبتنی بر روش ماتریس انتقال استفاده شده است. ورودی تقویت کننده، سیگنال نوری تک فرکانس مدوله شده است و از مدولاسیون سیگنال بایاس الکتریکی صرف نظر شده است. مشاهده می شود که هر چه فرکانس مدولاسیون ورودی کمتر باشد، بهره دچار اعوجاج بیشتری می شود اما در فرکانسهای مایکروویو، بهره مقدار متوسطی خواهد داشت و شکل موج خروجی از ورودی تبعیت می کند.

ژورنال: :مهندسی مکانیک و ارتعاشات 0
نادر رهبر عضو هیات علمی/ دانشگاه آزاد سمنان مرضیه سیاه مرگویی دانشجو

ترموالکتریکها دستگاههای حرارتی حالت جامد هستند. آنها نیمه هادیهایی هستند که با استفاده از اثر سیبک تولید جریان الکتریکی و بر اساس اثر پلتیر به عنوان نیمه هادی خنک کننده استفاده میشوند. ترموالکتریک دارای قابلیتهای جالبی در مقایسه با دستگاههای برقی و خنککنندههای معمولی است. عدم وجود قطعات در حال حرکت منجر به افزایش قابلیت اطمینان، کاهش در تعمیر و نگهداری، و افزایش عمر سیستم میشود. عدم وجود سیال ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

توانایی کنترل سرعت نور، بسته به اینکه سرعت گروه کاهش یا افزایش پیدا کند، با عنوان نور کند یا تند اطلاق می شود و اخیرا توجه بسیاری را به خود معطوف کرده است. این کنترل بی نظیر کاربردهای درخور توجهی در بسیاری از زمینه های علمی از جمله دانش غیرخطی،rf فوتونیک و شبکه های تمام نوری دارد. از کاربردهای مستقیم تجهیزات نور کند و تند، در زمینه مخابرات می باشد. یک چالش بزرگ که در تکنولوژی اطلاعات امروزه نیز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1379

هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده شیمی 1392

نانوساختارهای بور، cnhn، bc2n و cxny به عنوان ساختارهای نیمه هادی برخلاف نانو لوله های کربنی به صورت کامل مورد مطالعه ساختاری و الکترونی قرار نگرفته اند. برای این نانو لوله ها اطلاعات نسبتاً کمی در دسترس است. هدف از این رساله استفاده از نظریه تابعی چگالی اسپین قطبیده به منظور بدست آوردن ویژگی های الکترونی و ساختاری نانوساختارهای ذکر شده است. در بخش اول پروژه، جذب گازهای مختلف بر روی نانو لوله بو...

ژورنال: :علوم و فناوری فضایی 0
ابوالفضل اسماعیلیان سید امیرحسین فقهی حمید جعفری علی پهلوان

محیط فضایی به علت وجود گستره وسیعی از تشعشعات فضایی نگرانی هایی را در کارکرد صحیح سیستم های الکترونیکی و تجهیزات مورد استفاده در فضا ایجاد کرده است. بنابراین با توجه به حساسیتی که این قطعات به تشعشعات دارند، برای تمام قطعات این سیستم ها یا در مرحله ساخت یا در فاز طراحی، نکات و تکنیک های مقاوم سازی در برابر اثرات تابشی صورت می گیرد که نیازمند مطالعات دقیق در زمینه ساز و کار آسیب در این سیستم هاس...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید