نتایج جستجو برای: حافظه های جاسازی شده

تعداد نتایج: 623258  

احمدی, میلاد, جعفریان, مریم, خدایی, بابک, لطفی نیا, احمدعلی, لطفی نیا, محمود,

مقدمه: پدیده ی مهار منتشر شونده با خاموشی موقتی فعالیت های نورونی و تغییر ویژگی های یونی، متابولیک و همودینامیک مغزی شناخته می شود. مطالعات، تأثیر مخرب القای مکرر مهار منتشر شونده بر حافظه ی موش های صحرایی نابالغ را نشان داده اند. از سوی دیگر، نقش کانال های کلسیمی در القا و انتشار مهار منتشر شونده هم توسط دانشمندان مطالعه شده است. مطالعه ی فعلی به منظور بررسی اثر نیفدیپین به عنوان مهار کننده ی ...

ژورنال: فیض 2010
اشراقیان , محمد, تقی زاده, محسن, جزایری, ابوالقاسم, سلامی, محمود, طلائی زواره, سید علیرضا ,

سابقه و هدف: حضور گیرنده های ویتامین D در نواحی درگیر در یادگیری و حافظه نشان داده شده است. این مطالعه به منظور بررسی اثر کمبود ویتامین D و نیز افزودن کلسیتریول به رژیم غذائی، بر یادگیری و حافظه فضائی طراحی شده است. مواد و روش ها: تعداد 27 سر موش صحرائی نر بالغ، در 3 گروه (هر گروه 9 سر) کنترل (C، رژیم نرمال)، کمبود ویتامین D (C-D) و دریافت کننده مکمل کلسیتریول (C+D) قرار گرفتند. یادگیری فضائی ط...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1388

در تمام روشهای واترمارکینگ حوزه فرکانس، بین خواص مقاومت و شفافیت تعارض وجود دارد، درنتیجه می¬توان صرفنظر از نوع تبدیل استفاده شده، عملیات واترمارکینگ را بصورت یک مساله ی بهینه سازی مدل کرد که هدف یافتن ضرایب بهینه برای تغییر زیربازه های فرکانسی مختلف از طیف فرکانسی تصویر میزبان جهت جاسازی واترمارک است که منجر به شفافیت زیاد توام با مقاومت بالا شود. در این پایان نامه به ارائه مدلهای بهینه ای برا...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 0
هادی پروز دانشجوی دکتری مهندسی مکانیک- دانشگاه تربیت مدرس محمد جواد ناطق دانشیار گروه ساخت و تولید، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس

طراحی قید و بند برای قطعات با هندسه شکل-آزاد نیاز به پردازش، محاسبات و هزینه بالاتری نسبت به قطعات چندوجهی دارد. نظر به این که طراحی سیستم جاسازی و بست هسته اصلی سامانه طراحی قید و بند را تشکیل می دهد، در این مقاله روشی تحلیلی برای طراحی سیستم بست به صورت خودکار برای این نوع از قطعات ارائه می شود. طراحی سیستم بست بر مبنای سه اصل اجرا می شود که نقاط اعمال بست از دو اصل اول تعیین شده و توسط اصل س...

توسن, طیبه, شهیدی, سیامک, کاظمینی, فاطمه,

سابقه و هدف: کانابینوییدها به عنوان ضعیف کننده حافظه در انسان و حیوانات شناخته شده اند که از طریق گیرنده های خود تاثیرگذارند. این ترکیب ها با اثر بر هیپوکامپ می توانند بر حافظه و یادگیری اثر گذار باشند استیل کولین به عنوان یک انتقال دهنده عصبی، نقش اساسی طی فرایند یادگیری و حافظه ایفا می کند و دونپزیل می تواند درسیناپس های کولینرژیک اثر تقویت کننده بر این ماده داشته باشد. در این پژوهش اثر دونپز...

ژورنال: ارمغان دانش 2007
جهان شانی, مهرداد, حسینی, سیداحمد, صادقی, یوسف, نقدی, ناصر,

مقدمه و هدف: تشکیلات هیپوکامپ بخشی از سیستم لیمبیک است که در رابطه با حافظه و یادگیری دخالت دارد. تشکیلات هیپوکامپ شامل؛ سابیکولوم، هیپوکامپ اصلی و شکنج دندانه ای می باشد. هیپوکامپ اصلی نیز به سه ناحیهCA1 ، CA2 و CA3 تقسیم می گردد. در هیپوکامپ اصلی علاوه بر سلول های اصلی یا نورون های هرمی، آستروسیت ها نیز نقش بسیار مهمی را ایفا می کنند و حتی در امر حافظه نیز دخیل می باشند. حافظه و یادگیری مفاهی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

چکیده ندارد.

زمینه و هدف بر پایه ی فرضیه ی ناهنجاری حافظه ی اجرایی ، دشواری های زبانی مشهود در آسیب زبانی ویژه عمدتا ناشی از وجود ناهنجاری در ساختارهای مغزی تشکیل دهنده ی سیستم حافظه ی اجرایی می باشد. بر اساس این فرضیه ، حافظه اجرایی در یادگیری دستور زبان - و نه واژگان- نقش دارد. هدف از این مطالعه، بررسی عملکرد حافظه اجرایی و ارتباط آن با دشواری های زبانی در کودکان مبتلا به آسیب زبانی ویژه در چارچوب فرضیه ...

ژورنال: :فصلنامه آموزش مهندسی ایران 2014
مجتبی جودکی

اهمیت و تأثیر صنعت الکترونیک بر زندگی بشر در قرن گذشته و در دوران کنونی بر کسی پوشیده نیست. این صنعت، در قرن بیست و یکم، همچنان با روندی پرشتاب و مطمئن می­رود تا با استفاده از فناوری نانو با رشد تکاملی و انقلابی خود با استفاده از نوآوریها و اختراعها طلایه­دار بهبود زندگی بشر در بسیاری از زمینه­ها از جمله فناوری رایانه، فناوری اطلاعات، فناوری زیستی، صنعت حمل و نقل، سامانه­های دفاعی و وسایل الکتر...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 0
محمدرضا موسوی دانشگاه صنعتی شریف جمال ارغوانی هیات علمی

آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی دسته ی جدیدی از مواد هوشمند به شمار می آیند که خواصی همچون کرنش های برگشت پذیر بزرگ و فرکانس عملکرد بالا از خود نشان می دهند. این خواص منحصر به فرد، آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی را به عنوان گزینه ای مناسب در کاربردهایی همچون عملگرها، حسگرها و برداشت کننده های انرژی مطرح کرده است. این مقاله یک مدل ساختاری پدیده شناختی دو بعدی برای آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی، در چارچوب...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید