نتایج جستجو برای: تونل زنی تشدیدی

تعداد نتایج: 9414  

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تبریز - دانشکده علوم پایه 1389

در این پایان نامه، تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی را با استفاده از روش های ماتریس انتقال بررسی می کنیم. و برای موجی که با فرکانس های متفاوت از یک ساختار با لایه های متناوب عبور می کند تراگسیل و زمان تاخیر گروه را محاسبه می کنیم جابجایی بعد از تونل زنی را در راستای عمود بر صفحات بلور فوتونیکی محاسبه می کنیم که به ضریب شکست موثر از لایه های متناوب بستگی دارد. سپس ما ساختار بلور ...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده مهندسی 1389

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کم...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمید پاشایی عدل h pashaei adl department of physics, university of tabriz, tabriz, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز صمد روشن انتظار s roshan entezar department of physics, university of tabriz, tabriz, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز

در این مقاله صافی های چند کاناله، بر پایه ساختارهای تیو- مورس حاوی شبه مواد تک منفی مطالعه شده است. نشان داده شده است که تعداد مدهای تشدیدی در داخل گاف نوار فاز- صفر با افزایش تعداد فصل مشترک ها (m) افزایش می یابد. تعداد این مدهای تشدیدی دقیقاً برابر با تعداد فصل مشترک ها است و می توانند به عنوان صافی های m - کاناله استفاده شوند. زمانی که اتلاف در نظر گرفته شود، نتایج نشان می دهد که میدان الکتری...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم پایه 1391

در این پژوهش، یک حلقه کوانتومی(nچاه کوانتومی با شرایط مرزی دوره ای) به یک میله نامتناهی (زنجیره نامتناهی از چاه های کوانتومی) تحت تاثیر میدان خارجی ثابت جفت شده است.هامیلتونی سامانه کل در تقریب بستگی قوی تک نواری بیان و بر اساس ساختار جبری، عملگر تحول زمانی سامانه به روش اختلالی محاسبه گردیده است.با در نظر گرفتن سه جایگاه اتمی در حلقه،اثر تغییرات پارامترهای اساسی g1(ثابت جفت شدگی نزدیکترین همسا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1392

با استفاده از معادله دیراک دوبعدی جرم دار حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی کلین فرمیون های دیراک از میان سد دوبعدی در گرافن تک لایه را بدست می اید. و معلوم می شود که بر خلاف تونل زنی فرمیون های دیراک بدون جرم که عبور کامل را برای ذرات فرودی عمودی نتیجه می دهد، احتمال عبور ، به غیر از بعضی شرایط تشدید که سد پتانسیل کاملاَ شفاف کاملاَ عمل می کند، در این مورد، کمتر از یک و وابسته به شاخص ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه 1391

تونل زنی کوانتومی در دهه های گذشته مورد توجه زیادی قرار گرفته است. تعداد قابل توجهی از مطالعات بر روی مدت زمانی است که ذره برای عبور از سد پتانسیل سپری می کند.اثر هارتمن بیان می کند که برای سدهای ضخیم زمان تاخیر گروه مستقل از طول سد است که در نهایت به سرعت تونل زنی سوپرلومینال منجر می شود. در این پایا نامه ،اثر هارتمن در گرافین تک لایه در دو حالت بدون گاف و گاف دار و همچنین یک سیستم ترکیبی از گ...

در آزمایش رمسور-تاون­سند رفتار سطح مقطع پراکندگی الکترون­های کم انرژی از اتم های گاز نادر، مورد بررسی قرارمی­گیرد. از نقطه نظر کلاسیکی، انتظار می­رود که احتمال پراکندگی برابر با احتمال تصادم بین ذرات الکترون با گاز باشد. اما، نتایج این آزمایش نشان می­دهد که سطح مقطع پراکندگی برای انرژی­های خاصی صفر است و از این­رو، گذار بیشینه می­تواند وجود داشته باشد. طول موج های تشدیدی گذار با توصیف کوانتومی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده فنی 1392

حفر تونل در مناطق شهری به دلیل نامناسب بودن خاک و سطحی بودن تونل همراه با دشواری هایی می باشد که از مهم ترین آنها پدیده نشست و آسیب به سازه های سطحی است. همچنین در مواردیکه نصب سیستم تقویتی زمین و پوشش بلافاصله بعد از حفاری تونل امکان پذیر نیست، معمولاً نیاز به پیش تقویت زمین است که در حین حفاری تونل انجام می شود. از طرفی به دلیل انعطاف پذیر بودن روش تونل زنی جدید اتریشی (natm)، امروزه این روش ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید