گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی یک محیط، یک اصل اساسی در پاسخ ماکروسکپیک محیط به میدانهای الکترومغناطیسی می باشد. اخیرا دسته دیگری از عناصر با ویژگی خاص اپتیکی ساخته شده اند.این مواد که به مواد مغناطیسی چپگرد(lhm ) معروف شده اند قطعا نقش مهمی را در آینده تکنولوژی بشریت بازی خواهند کرد. به عبارت دیگر مواد چپگرد موادی هستند که خواص الکترومغناطیسی آنها با خواص الکترومغناطیسی مواد موجود در طبیعت...

در این پژوهش اثر حساس سازی لایه های نانوساختار 2 tio با استفاده از رنگ دانه های سیانیدن موجود در توت سیاه به روش سل ـ ژل بررسی شده است. برای این منظور ابتدا لایه های نانوساختار 2tio برروی زیرلایه شیشه به روش لایه نشانی غوطه وری سل ـ ژل تهیه شـــده و سپس بــا استفاده از رنگ دانه های سیانیدین موجود در توت سیاه حساس سازی شدند. ساختار بلوری و فازی این لایه ها و ریخت شناسی سطحی آن ها، با استفاده از ...

نانو اسپینترونیک که همان کاربرد فناوری نانو در تولید قطعات اسپین – الکترونیکی می باشد یکی از زمینه های بسیار پر کاربرد و جذاب از علوم و فناوری نانو است. در نانو اسپینترونیک از درجه آزادی اسپین الکترون به منظور انجام محاسبات استفاده می شود. به عنوان کاربردی از نانو اسپینترونیک در صنعت، می توان از مقاومت های مغناطیسی بزرگ (gmr) نام برد که از آنها در دیسک های سخت استفاده می شود. تولید جریان های ...

توسعه ی سوئیچ های کاملاً نوری که در آن ها باریکه های خروجی به وسیله ی یک باریکه ی سوئیچ کننده ی ضعیفتر کنترل می شود با اهمیت می باشد. همچنین اگر باریکه های خروجی از باریکه های ورودی قوی تر باشند یک مزیت برای سوئیچ بشمار می رود. زیرا این خصوصیات سوئیچ را دارای قابلیت چیدمان آبشاری می نمایند، یعنی خروجی یک سوئیچ می تواند برای راه اندازی سوئیچ بعدی بکار برده شود. این خصیصه لازمه ی کاربرد سوئیچ در...

نظریه تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی خواص گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و استفاده از دسته معادلات تک ذره ای کوهن - شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای کاربردی کردن این نظریه است. در این پایان نامه، در فصل اول به طور اجمالی در مورد صنایع اسپینترونیک و کاربرد آن مطالبی ارائه گردیده است و سپس در فصل دوم خواص عمومی و فیزیکی مواد مطالعه شده در این کار بررس...

از معادلات لانگ- کابایاشی میتوان برای توصیف دینامیک لیزرهای نیمه¬رسانا با کاواک خارجی استفاده کرد. لیزرها اساسا سیستم¬های آشفته¬ی توصیف شده با معادلات دیفرانسیل غیر¬خطی به همراه سه متغیر بوده و انواع غنی از دینامیک¬های آشفته را نشان می¬دهند. در این پایان¬نامه برنا¬مه¬های کاربردی از لیزر نیمه¬رسانای آشوبناک، کنترل و سرکوب سروصدای لیزر بر اساس الگوریتم کنترل آشوب ارائه شده است. در اینجا روش جدیدی...

چکیده ندارد.

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

نانولوله اکسید روی خالص غیرمغناطیسی ونیم رسانا می باشدکه بعد از آلاییده شدن با اتم نقره رسانا شده و باجذب اتم اکسیژن برحالت آلاییده به نیم فلز تبدیل می شود که درصنعت اسپین ترونیک کاربرد زیادی دارد.