نتایج جستجو برای: ترانزیستور گرافنی

تعداد نتایج: 635  

ژورنال: مواد نوین 2017

در این پژوهش روش پلاسمای الکترولیتی به عنوان یکی از جدیدترین فرایندهای پوشش‌دهی سطح برای ایجاد پوشش نانو ورق گرافنی بر زیرلایه نیکل مورد مطالعه قرار گرفت. در این روش با اعمال ولتاژ بالا بین دو الکترود با نسبت سطح متفاوت در محلول، پلاسما در اطراف کاتد ایجاد می‌شود و در یک مرحله و در مدت زمان بسیار کوتاه در فشار اتمسفر، نانو ورق گرافن از الکترولیت حاوی اتانول به عنوان پیش‌ ماده کربنی، تهیه شده و ...

ژورنال: علوم و فناوری رنگ 2020

استفاده از دی‌اکسید تیتانیم در فرآیندهای تصفیه نیازمند به کارگیری روش‌هایی همچون استفاده از مواد کربنی و ساخت کامپوزیت جهت بهبود عملکرد این ماده است. در پژوهش حاضر از نانولوله کربنی (CNT)، اکسید گرافن (GO) و اکسید گرافن کاهش یافته (RGO) به منظور بهبود عملکرد TiO2 در حذف متیلن‌آبی تحت تابش نور مرئی، استفاده شد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1389

در سالهای اخیر مواد نیتریدی کاربردهای بسیار ارزنده ای در صنعت الکترونیک? اپتوالکترونیک?صنایع نظامی و... پیدا کرده اند. از این میان? ساختارهای نامتجانس نیتریدی بخصوص بسیار مورد توجه بوده اند. از خواص مواد نیتریدی بخصوص که چاه های کوانتومی آنها مورد توجه در این پایان نامه می باشد، می توان به بزرگ بودن و مستقیم بودن گاف انرژی ?رسانندگی حرارتی خوب و سرعت اشباع الکترونی بالا اشاره کرد که این خواص با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1381

در این پایان نامه ، یک مدل واحد پیوسته براساس فیزیک افزاره و پتانسیل سطحی برای مشخصه ‏‎i-v‎‏ ماسفتهای تمام و نیمه تخلیه ای ‏‎soi‎‏ ارائه شده است که به طور خودکار، براساس میزان تخلیه بدنه، حالت کار افزاره را تعیین کرده و مشخصه جریان-ولتاژ را محاسبه می کند. اثرات مقیاس کوچک مانند مدولاسیون طول کانال ‏‎clm‎‏، کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین(‏‎dibl‎‏) ، اثرات میدانهای شدید بر روی قابلیت حرکت و ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1393

ترانزیستور لیزری (tl) یک ترانزیستور دو قطبی پیوند نامتجانس است که یک چاه کوانتومی در بیس آن تعبیه شده است که باعث گسیل نور در یک طول موج وسیع می شود. شدت نور خروجی با استفاده از چاه کوانتومی در بیس tl افزایش می یابد. ترانزیستور لیزری که به عنوان یک ترانزیستور و یک لیزر به طور همزمان عمل می کند امپدانس خروجی زیاد با بهره جریان در محل پیوند بیس-کلکتور و گسیل لیزر حاصل از بازترکیب الکترون-حفره در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج - دانشکده علوم پایه 1390

گرافن یک ساختار دو بعدی از اتم های کربن است که اتم های کربن در آن با اوربیتال های پیوندی sp2، یک چیدمان شش ضلعی را تشکیل داده اند. ساختار هندسی منحصر به فرد و رفتار نسبیتی حامل های بار باعث ایجاد خصوصیات بسیار جالبی در گرافن می شود. به دلیل این خصوصیات جالب و قابلیت کاربردی، گرافن توجه قابل توجهی را در چند دهه گذشته به خود جلب کرده است. به علاوه مطالعه ساختار الکترونی نقطه ی کوانتومی گرافنی تحت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده شیمی 1393

اخیرا کریستال های گرافنی به دلیل خواصی از جمله استحکام مکانیکی بالا، هدایت الکتریکی بالا، پایدارای حرارتی و ..، توجه محققان زیادی را به خود جلب کرده اند.با توجه به اهمیت روش سنتز این مواد، ما روشی جدید و ساده را برای تهیه ی این کریستال ها بکار گرفتیم.در این پروژه تحقیقاتی تلاش شده است تا کریستال گرافن با استفاده از تری آزین و گروهای آزیدی تهیه شود، که این کار بوسیله ی عامل دار کردن گرافن می باش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه 1387

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده فنی 1392

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید