موضوع مورد مطالعه یک سنسور گلوکز است که با استفاده از یک isfet با فناوریotft ساخته می شود. این سنسور در حقیقت یک ترانزیستور می باشد که با جانشانی یونهای گلوکز روی گیت آن (به طریقی خاص) ولتاژ لازم برای روشن شدن ترانزیستور فراهم می شود و بسته به میزان یونهای گلوکز و ولتاژ ایجاد شده روی گیت، اندازه گیری مقدار گلوکز از طریق جریان درین ممکن خواهد بود، زیرا دقت اندازه گیری با جریان به مراتب بیشتر از ...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

در این رساله ارتعاشات آزاد و پایداری سیستم های کوپله نانولوله های کربنی و نیتریدبور با استفاده از تئوری غیرموضعی ویسکوالاستیسیته مکانیک محیط های پیوسته و مدل-های تیر اویلر-برنولی و تیر تیموشنکو بررسی شده است. نانولوله ها حاوی جریان سیال ویسکوز می باشند و تحت میدان¬های مغناطیسی و الکتریکی قرار دارند. همچنین نانولوله ها توسط محیط الاستیک به یکدیگر کوپل شده¬اند. محیط الاستیک توسط مدل¬های وینکلر، پ...

برای بررسی اثر هال در نمونه های بس بلوری ابررسانای دمای بالای ybco آلاییده به نانولوله های کربنی (cnt)، ولتاژهای طولی و عرضی در میدان های مغناطیسی مختلف(0-9t)، در حالت گردابی اندازه گیری شد. ما یک تغییر علامت ضریب هال را نزدیک 3t برای نمونه خالص ybco و یک تغییر علامت دوگانه را نزدیک 3t و 5t برای نمونه ybco آلاییده به 0.7wt%cnt یافتیم. می توان نتیجه گرفت که آلایش cnt سبب میخکوبی قوی گردابه ها در...

در این کار جذب داروی ایزونیازید روی نانوقفس si20c20 با روش محاسبه ای نیمه تجربی semi empirical و با متدzindo1,pm3,am1 به منظور سنجش نقش نانوقفس به عنوان حاملی برای رسانندگی داروی ایزونیازید بررسی شد. هریک از ساختارهای اولیه ایزونیازیدوsi20c20 به طور مجزا بهینه شدند. چهار مکان محتمل جذب مولکول دارو روی نانوقفس برای بررسی در نظر گرفته شد. سطوح انرژی برهمکنش مولکول ایزونیازید در موقعیت های مختلف خ...

هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معاد...