با رشد سریع تکنولوژی، ساخت مدارهای الکتریکی به سمت نانو پیش می رود که با کاهش ابعاد قطعات، می توان از قطعات بیشتری در مدارات بهره برد. یکی از محتمل ترین جایگزینهای ترانزیستورهای سیلیکونی، به خاطر خصوصیات الکترونی عالی و ظرفیت بالای حمل جریان، ترانزیستورهای نانو لوله کربنی است. با نانو متری شدن ابعاد قطعات با توجه به محدودیتها و بروز اثرات مکانیک کوانتم محاسبه معادلات پیچیده و زمانبر می شود و ای...

تلاشهای دانش انسانی برای ارسال تصاویر بکمک امواج با مشکلات طبیعی از جمله اتمسفر متغیر زمین روبرو شده و محقیقین را به بررسی راههای مختلف حذف مشکل فوق مجبور نموده است . یکی از این مشکلات انهدام قدرت امواج نوری و مادون قرمز توسط اتمسفر مرطوب و مه آلود است . این امر محققین را به استفاده از امواج میلیمتری وادار نموده که به همراهی آن تکنیک استفاده از نیمه هادیها نیز مطرح شده است . در انجام پروژه فوق ...

با کشف مدارات مجتمع، پیشرفت های خیره کننده ای در چهار دهه، در فناوری های الکترونیکی که بر اساس سیلیکون کار می کردند، اتفاق افتاد. این فرآیند در ابتدا توسط پشتیبانی از ترانزیستورهای ماسفت در ابعاد فیزیکی کوچک بدست آمد که در نهایت منجر به تولیدات موفقیت آمیز بسیاری در ساخت ادوات شد که باعث افزایش چگالی و بهبود عملکردی ترانزیستورها گردید. بیشتر کارشناسان بر این باورند که اگر همین مسیر مقیاس را ادا...

با توجه به کاهش ابعاد وسایل الکترونیکی به منظور بهبود عملکرد آن ها، نیاز به مدلسازی حرارتی اجزای الکترونیکی همچون ترانزیستورهای نیمه هادی حس می شود. از طرف دیگر با کوچک شدن ابعاد سیستم و با توجه به عدم اعتبار قانون فوریه به عنوان مدل کلاسیک انتقال حرارت، مدل تأخیر فاز دوگانه به همراه شرط مرزی پرش دمایی به عنوان جایگزین مناسبی برای قانون فوریه در سیستم های با ابعاد نانو ارائه شده است. در این رسا...

در این پایان نامه ابتدا انواع آسیب های فیزیکی قطعات نیمه هادی و تئوری های مورد نیاز الکترومغناطیسی برای شبیه سازی و درک بهتر اثر انتشار موج بر روی مدارات الکترونیکی بررسی و ارائه شده است. آنگاه استانداردها و چیدمان آزمایش ها و سیستم های طراحی و ساخته شده برای انجام آزمون های این پایان نامه بیان گردیده است. توسعه شبیه سازی سه بعدی در حوزه زمان به روش fdtd با کدنویسی به زبان فرترن و با استفاده از...

در این تحقیق خوردگی سرب در دو حالت الکتروشیمیایی و فتوالکتروشیمیایی بررسی شده،در مطالعه الکتروشیمیایی خوردگی سرب که در محیط کلراید سدیم در محدوده غلظتی 1/0 تا 1 مولار توسط روشهای تافل و امپدانس الکتروشیمیایی انجام شده با استفاده از الکترود سرب با قطر cm 1 افزایش غلظت محلول عاملی در افزایش خوردگی سرب بوده و داده های تافل و ا مپدانس مبین این مسئله می باشند اما در قسمت دیگر این تحقیق که عملا به نو...

در این مقاله به شرح جزییات و نحوه طراحی یک لیزر نیمه هادی بسیار دقیق, با نور بازتابی از توری پراش جفت شده, می پردازیم. با توجه به اینکه بسامدهای نور بازتابی در زاویه های مختلف پراشیده می شوند, تنها یکی از بسامدهای برگشتی قادر به تشدید در داخل کاواک خواهد بود. این عمل باعث تیز شدن بسامد نور خروجی لیزر و پایداری بسامد آن می شود. از آنجا که این دستگاه کاربردهای فراوانی در طیف نمایی, اندازه گیری چگ...

امروزه استفاده از فرستنده های رادیویی نیمه هادی نیز همانند فرستنده های لامپی متداول بوده و حتی به دلیل برخی ویژگی های خاص مانند نویز کمتر، استفاده از منابع تغذیه با ولتاژ پایین تر و قابلیت نگهداری و تعمیر پذیری ساده تر در کاربردهای خاص، نسبت به فرستنده های لامپی ارجعیت دارند. یکی از اجزای اصلی فرستنده های رادیویی نیمه هادی، تقویت کننده های قدرت rf می باشند. پارامترهای مختلفی در تقویت کننده های ...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسان...

بررسی تئوری تشدید تولی در چند لایه های ‏‎ga1-x a1x as/gaas‎‏ را در این مجموعه حاضر کرده ایم. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین، آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است. و نتایج براساس محاسبات رقومی مستقیم است.