نتایج جستجو برای: ترانزیستورهای ldmos

تعداد نتایج: 449  

2005
M. A. Belaïd K. Ketata K. Mourgues M. Gares M. Masmoudi J. Marcon

This paper presents the results of comparative reliability study of two accelerated ageing tests for thermal stress applied on power RF LDMOS: Thermal Shock Tests (TST, air-air test) and Thermal Cycling Tests (TCT, airair test) under various conditions (with and without DC bias, TST cold and hot, different extremes temperatures ∆T). The performances shift for some critical electrical parameters...

2017
M. Masmoudi M. A. Belaïd A. M. Nahhas

This paper presents a synthesis of robustness evaluation on power RF LDMOS devices and its relation with electrical and physical behaviours after RF life-tests. It is important to understand the physical degradation mechanism effects and the liaison on drifts of critical electrical parameters after life ageing tests, in I-V such as threshold voltage (Vth), the feedback capacitance (Crss) in C-V...

Journal: :Microelectronics Journal 2007
M. A. Belaïd K. Ketata Karine Mourgues M. Gares Mohamed Masmoudi Jérôme Marcon

This paper presents the results of comparative reliability study of two accelerated ageing tests for thermal stress applied on power RF LDMOS: Thermal Shock Tests (TST, air-air test) and Thermal Cycling Tests (TCT, airair test) under various conditions (with and without DC bias, TST cold and hot, different extremes temperatures ∆T). The performances shift for some critical electrical parameters...

ژورنال: :هوش محاسباتی در مهندسی برق 0
عصمت راشدی دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان احمد حکیمی دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان محمد مهدی پژمان دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

Journal: :IEEE Journal of the Electron Devices Society 2019

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید