در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای pd soi در مقیاس 45 نانومتر ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ise-tcad نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه ای ریاضی برای محاسبه مق...

چکیده : در این پایان نامه، ما یک ترانزیستور soi ldmos جدید به منظور بدست آوردن ولتاژ شکست بالا ارائه کرده ایم. ساختار پیشنهادی از چندین چاه n و p+ که به صورت پریودیک در اکسید مدفون قرار گرفته اند، شکل گرفته است. بنابراین ما ساختار پیشنهادی را ترانزیستور با چاه های چندگانه (mdw-ldmos) نامیدیم. ایده کلیدی در این کار افزایش میدان الکتریکی در لایه اکسید مدفون و بهینه کردن میدان الکتریکی در ناحیه...

آهنگ گذار و جا به جایی تراز های اتمی، یک خاصیت کنترل پذیر از خواص یک اتم برانگیخته می باشند که در واقع این اثر به دلیل برهم کنش اتم و میدان خلا اتفاق می افتد. در حضور سطوح مرزی، حالت پایه میدان الکترومغناطیسی تغییر کرده و در نتیجه ساختار و نوسانات میدان خلأ عوض می شود. بنابراین انتظار داریم تمام پدیده هایی که بر اثر برهم کنش با خلأ کوانتومی اتفاق می افتند، در حضور سطوح مرزی متفاوت رفتار کنند. ا...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

امروزه مطالعه انواع نانوسیم ها دارای اهمیت زیادی است. یکی از نانوسیم هایی که در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است، نانوسیم های مزدوج آلی می باشد. استفاده از این نانوسیم ها به دلایل زیادی از جمله وجود الکترونهای غیر مستقر، توانایی متصل شدن به تعداد بسیار زیادی مولکول و... به صورت روزافزونی در حال افزایش است. هدف این تحقیق، مطالعه و محاسبه ی خواص نانوسیمی با پایه آروماتیکی تحت تأثیر م...

در این تحقیق، ویژگی¬های رسانش الکترونی یک سامانه کوانتومی متشکل از یک وسیله با شبکه مربعی متصل به دو الکترود فلزی نیم نامتناهی را مطالعه می¬نماییم. رسانش الکترونی سامانه، بر اساس مدل تنگابست با تقریب نزدیک¬ترین همسایه¬ها و در رژیم جفت‌شدگی قوی بررسی می¬شود. همچنین رهیافت تابع گرین برگشتی برای محاسبات عددی رسانش مورد استفاده قرار می¬گیرد. نتایج نشان می¬دهد که با تغییر پهنای سامانه و اعمال میدان ...

در این پایان نامه، ابتدا کوانتش کانونیک دوم در فضا- زمان خمیده مانا و ابهام ذره و خلاء در فضا- زمان خمیده عام را معرفی کرده و سپس به مانسته این موارد در فضا- زمان ریندلر پرداخته می شود. از دو دیدگاه اثر انرو بررسی می شود: الف ) مقایسه دو نظریه میدان در فضا- زمان ریندلر و مینکوفسکی . ب ) مطالعه رفتار آشکارساز شتابدار انرو- دوویت . در رهیافت اول با در نظر گرفتن فضای ریندلر دوگانه و مطالعه کوانتش ...