معمولا آنتن‏های سیمی دارای عناصری نظیر، مدارات مجتمع، محدود‏کننده‏های ولتاژ، دیودها و ترانزیستورها می‏باشند که همگی دارای مشخصه غیر‏خطی جریان- ولتاژ هستند. اغلب، این عناصر غیرخطی برای خنثی‏سازی اثرات مخرب میدان‏های الکترومغناطیسی ناشی از پالس‏های الکترومغناطیسی صاعقه و یا پالس‏های الکترومغناطیسی هسته‏ای استفاده می‏شوند. بنابراین، آنالیز سیستم‏های الکترومغناطیسی مانند آنتن‏ها و پراکنده‏گرها شامل...

چکیده در این پایان نامه برای محاسبه مشخصه جریان-ولتاژ، ابتدا با در نظرگرفتن اثر طول گیت (lg)، معادلات حل شده اند و از صحت و درستی آنها در مقایسه با مقالات و داده های موجود اطمینان حاصل شده، سپس یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی مشخصه ولتاژ-جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانسalgan/gan ارائه گردیده و فرض شده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به طور خطی و تدریجی تغییر می کند. با...

در سال های اخیر پدیده های اپتیک غیرخطی کوانتومی مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. یکی از این پدیده ها دوپایداری نوری در اتم های چندترازی است، که به دلیل کاربردهای وسیعش در ساخت کلیدهای تمام نوری، حافظه ها، ترانزیستورها و مدارهای منطقی موضوع بسیاری از مطالعات اخیر بوده است. در این پژوهش ابتدا تفاوت های عمده ی اپتیک خطی و غیرخطی بیان شده و سپس رهیافت ماتریس چگالی مکانیک کوانتومی معرفی شده-است. ...

این پروژه شامل مطالعه و شبیه سازی تقویت کننده های توان مایکروویو و طراحی و ساخت یک تقویت کننده 10 وات با استفاده ترانزیستور از نوع (gan on sic hemt 0.25 um ) در باند x است. این تقویت کننده در فرستنده های رادار پالسی و فرستنده های دیجیتال کاربرد دارد. با توجه به قابلیت تحرک پذیری بالای الکترون در ganاین نوع ترانزیستورها امروزه برای ساخت تقویت کننده های توان در فرکانس های تا باند ku و بالاتر به ک...

امروزه استفاده گسترده ای از تکنولوژی cmos در طراحی و پیاده سازی مدارهای الکترونیکی می شود. به دلیل سرعت چشمگیر افزایش تعداد ترانزیستورها درون تراشه، کاهش ابعاد ترانزیستور ضروری می باشد.اما در این تکنولوژی چنین کاهشی در مقیاس زیرمیکرون به سادگی امکان پذیر نمی باشد.اتوماتای سلولی کوانتومی(qca) روشی جدید جهت طراحی مدارها بوده که قابلیت های فراوانی داشته و در زمینه نانوالکترونیک کارآمد می باشد. در ...

ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

با اختراع و توسعه‎ی لیزر علوم جدیدی نظیر اپتیک غیرخطی به وجود آمدند. در اپتیک غیرخطی به بررسی پدیده‎هایی که ناشی از برهم‎کنش مواد با نور لیزر (همدوس و با شدت بالا) است، می‎پردازند. یکی از پدیده‎هایی که در حوزه‎ی اپتیک غیرخطی بسیار مورد توجه می‎باشد دوپایایی و چندپایایی نوری می‎باشد. دوپایایی و چندپایایی نوری به این اشاره دارد که به ازای یک ورودی در داخل کاواک غیریکسویه که شامل ماده‎ی غیرخطی است...

از مهمترین نیازمندی ها برای طراحی ابزارهای قابل حمل مانند گوشی های هوشمند مصرف پایین انرژی بر کارکرد می باشد. در بسیاری از کاربردها، حافظه ها بخش عمده ای از کل انرژی سیستم را مصرف می کنند. از این رو درکاربردهای توان محدود که سرعت در درجه دوم اهمیت پیدا می کند، مفید است که عملیات های خواندن و نوشتن برای یک سلول sram با کمترین ولتاژ کاری ممکن انجام گیرد. چالش اصلی در طراحی sram مرسوم سازش بین نیا...

در این تحقیق ، به مطالعه بر روی مراجع ولتاژ پرداختیم با استفاده از جریان زیر آستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) ، مداری طراحی کردیم که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم بود. هدف پیشنهادی این پایان نامه ، توسعه مرجع ولتاژ باندگپ با ترجیحا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری در ولتاژ مرجع بود. با استفاده از نرم افزار hspice و ...

در این پایان¬نامه یک فیلتر انتخاب¬کننده¬ی کانال gm-c با ولتاژ تغذیه¬ی 1 ولت در تکنولوژی tsmc018rf انجام طراحی شده است. در این فیلتر به دلیل ولتاژ تغذیه¬ی پایین سعی شده که از طریق تحریک پایه¬ی بالک ترانزیستورها ولتاژ آستانه¬ی (v_th) آن¬ها را کاهش داد. این فیلتر یک فیلتر انتخاب¬کننده¬ی کانال با فرکانس¬های قطع قابل تنظیم 5/2، 5، 10 و 20 مگاهرتز می¬باشد که قابلیت پشتیبانی از استاندارد wimax را در ی...