In this study, indium-tin-oxide thin films in different thickness ranges were prepared by electron beam evaporation method on the glass substrate at room temperature. The thicknesses of films were 100, 150 and 250nm. Using fractal analysis, morphological characteristics of surface films thickness in amorphous state were investigated. The results showed that by increasing thickness, surface rou...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ( ito ) در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه ها 100 ، 150 و 250 نانومتر می باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح ( rms ) w و طول همبستگ...

مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر(مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه درمورد بر(b) شروع کرده ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر, از نظر مطالعه, طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله, گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی, زمان پرواز یون ثانویه (tof-sims) و تجزیه فرایند ه...

نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده موادی هستند که خواص نیمرسانایی و مغناطیسی را به طور همزمان نشان می دهند. این مواد نیمرساناهایی هستند که شامل تعدادی اتم عناصر واسطه اند که جایگزین کاتیون ها شده اند. از بین نیمرساناهای فرومغناطیس گروه iii–v ، نیمرسانای مغناطیسی گالیوم نیتراید رقیق شده با عناصر واسطه (ga,tm)n به خاطر دمای کوری بالای دمای اتاق، بیشترین کاربرد را در صنعت اسپین ترونیک دارد. در این پژ...

اکسید ایندیوم in2o3 بطور ذاتی یک نیمه رسانای شفاف است که خواص الکتریکی واپتیکی آن رامی توان با افزودن ناخالصی به آن تغییر داد. این خواص به نوع ناخالصی حساس اند و با افزودن ناخالصی به آن به رسانایی بالاتر و مقاومت سطحی کمتر می رسیم. برای مثال افزودن قلع به آن سبب می شود بخاطر چگالی بالای الکترونهای آزاد در باند رسانش رفتار شبه فلزی از خود نشان دهد. اکسید ایندیوم قلع به این دلیل که به طور هم زمان...

در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله زیگزاگ (0,9) gaas خالص و آلایش یافته با 11/11 درصد عناصر واسطه( sc, ti, cr, mn , fe, co, ni) در دو وضعیت دور و نزدیک، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگالی و تقریب چگالی موضعیlda توسط کد محاسباتی siesta مطالعه شده است. ساختار نواری نشان دهنده این است که نانولوله خالص زیگزاگ (0،9) gaas نیم رسانای غیرمغناطیسی با گاف نواری مستقیم است.آلایش 11/11 درصد...

در این پژوهش از بین نیمرساناهای گروه iii–v، گالیوم نیترید بدلیل داشتن دمای کوری بالای دمای اتاق و گاف نواری بزرگ به عنوان ماده مورد بررسی انتخاب گردید. سعی ما در این پژوهش یافتن ساختارهایی با ویژگی مناسب برای استفاده در مطالعات ترابردی بوده است. در قسمت اول خواص الکترونی، مغناطیسی نانو روبان خالص، دارای نقص و آلایش یافته gan با عناصر واسطه(cr, mn , fe, ni ) ، با استفاده از رهیافت نظریه تابعی چگ...

در این مقاله عملکرد سلول‌های خورشیدی سیلیکونی ناهمگون به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد بررسی به صورت TCO/ a-SiC (P)/ GaP (i)/ a-Si (n)/a-Si (n+)/metal می‌باشد. در این کار به جای ساختار مرسوم که از یک لایه سیلیکون آمورف ذاتی برای افزایش بازده استفاده می شود، از یک لایه GaP (گالیوم فسفات) به عنوان لایه ذاتی استفاده شده است. مدل‌های مختلفی از این ساختار سلول خورشیدی شبیه‌سازی شد. تاثیر پارا...

چکیده: این پایان نامه در دو بخش انجام پذیرفت: الف) کلمات کلیدی: شیمی کوئوردینانسیون، کمپلکس، فلزات سمی، ایزوتوپ، کادمیوم، ایندیوم، طیف سنجی فرابنفش، کالیکس [4] آرن در بخش اول هدف، استفاده از مشتقات کالیکس [4] آرن به عنوان لیگاند برای شناسایی و جداسازی انتخابی 112cd از 111in در حلال های قطبی متانول و آب بود. اندازه گیری ثابت تشکیل کمپلکس این فلزات با لیگاندهای گوناگون مشتق شده از کالیکس [4]...

چکیده: استفاده از لیزر کم توان در ترمیم زخم پوستی یکی از شیوه های نوین درمانی است که مطالعات مختلفی در رابطه با اثر درمانی آن، انجام گرفته است اما نتایج متفاوتی را در این باره ذکر نموده اند. هدف از این مطالعه بررسی اثر دو لیزر کم توان nm 8/632 (he_ne) و nm 904 ((ga_as بر آزاد سازی فاکتور رشد اندوتلیال عروقی بعد از 3 و 7 روز پس از ایجاد زخم، پتانسیل آسیب و قدرت کششی بافت و میزان بسته شدن سطح زخم...