نتایج جستجو برای: آنتن دی الکتریک

تعداد نتایج: 19888  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1393

هدف از این کار تجربی ارائه گزارش حاصل از اندازه گیری ضریب دی الکتریک بلورهای مایع e7 , c7 , 1791 می باشد . ضریب دی الکتریک هر یک از بلورهای مایع در بازه دمایی و فرکانسی متفاوت اندازه گیری شد . بررسی نتایج نشان داده است که بلورهای مایع مورد بررسی ناهمسانگردی دی الکتریکی مثبتی دارند و با افزایش دما در فاز نماتیک این نوع ناهمسانگردی کاهش می یابد . تا اینکه در دمای گذار ، این مقدار به صفر میل میکند...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی امیرکبیر(پلی تکنیک تهران) - دانشکده مهندسی برق 1386

هدف این پایان نامه محاسبه نظری حداکثر حاصلضرب ضریب تطبیق-پهنای باند آنتن های مایکرواستریپ بر اساس قضیه های تطبیق امپدانس باند وسیع بد-فانو و یولا می باشد. از آنجا که قضیه های بد-فانو و یولا به مدار معادل فشرده آنتن های مایکرواستریپ اعمال می شود، در این پروژه نخست روش های محاسبه مدار معادل فشرده آنتن های مایکرواستریپ تشریح می شود. بعد از معرفی مدار معادل باند باریک چند آنتن مایکرواستریپ نمونه ای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1388

چکیده هدف از این پایان نامه طراحی، شبیه سازی و بهینه سازی آنتن فراپهن باند با ابعاد کوچک است. در این پایان نامه پس از مقدمه ای در مورد سیستم های uwb، یکی از المان های سیستم های uwb که آنتن فراپهن باند است بررسی می شود. انواع آنتن های فراپهن باند در فصل اول به صورت مختصر معرفی می شود. بهینه سازی طراحی این آنتن ها بسیار مهم است و از میان روش های مختلف بهینه سازی روش pso انتخاب شد که در فصل دوم ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1390

نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساخت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم انسانی و اجتماعی 1390

پلاسمای غیر حرارتی در فشار اتمسفر به علت آنکه انرژی الکتریکی اعمال شده به آن به جای گرم کردن محیط گازی، صرف ایجاد الکترون های پر انرژی می شود، غالبا برای آنالیز شیمیایی و یا حذف عناصر نامطلوب از گازها به کار می رود. انرژی الکتریکی نهایتا منجر به تولید رادیکال های آزادی می شود که بسیار فعال تر و تاثیرگذارتر از اتم ها و مولکول های حالت پایه هستند. روش های پلاسمایی متفاوتی برای حذف آلاینده ها از گ...

در این پژوهش، فریت لیتیم  (Li0.5Fe2.5O4)به کمک روش سل- ژل تهیه و اثر عملیات حرارتی در دمای    C°­1000بر روی ساختار و ویژگی­های آن ارزیابی شد. برمبنای آزمون پراش پرتو ایکس(XRD)، ساختار کریستالی مکعبی با گروه فضایی P4332 برای فریت لیتیم قبل و پس از عملیات حرارتی شناسایی شد. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان (FESEM) ریزساختار پودرهای تولید بررسی شد. قبل از عملیات حراراتی، در کلوخه­ه...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
علی بهاری a. bahari department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر ماندانا رودباری شهمیری m. roodbari shahmiri department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر نورالدین - میرنیا n. mirnia department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
صمد روشن انتظار s roshan entezar university of tabrizدانشگاه تبریز مریم نیکخو m nikkhou university of tabrizدانشگاه تبریز

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده فنی 1391

به دلیل رشد روزافزون مخابرات سیار و ارتباطات بی سیم، تقاضا برای آنتن های سبک و قابل حمل با قابلیت عملکرد در استانداردهای مختلف رادیویی برای کاربردهای مختلف به طور روز افزونی در حال گسترش است. در سیستم های ارتباطی، ممکن است نیاز باشد که از چندین استاندارد مختلف برای عملکردهای مستقل استفاده شود. به همین جهت برای اجتناب از کاربرد آنتن های مختلف در یک سیستم لازم است آنتن هایی طراحی شود که قابلیت کا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

امروزه با توجه به افزایش نیاز جوامع به ارتباطات و مخابرات، ارتباطات بی سیم توانسته اند سهم بزرگی را در برطرف کردن این نیاز به خود اختصاص دهند. از آنجا که آنتن ها نقش مهمی در ادوات بی سیم به حساب می آیند، توجه هرچه بیشتر به طراحی و ساخت آنتن های بهینه برای کاربردهای مختلف امری مهم و ضروری بشمار می آید. در این میان با توجه به خصوصیات آنتن های مایکرواستریپ از قبیل هزینه ساخت کم، وزن و حجم کم، طراح...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید