نیمرسانای های نیتروژندار بویژه نانو ساختارهای آنها دارای کاربرد های وسیعی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی درمحدود طول موج های مادون قرمز تا ماوراء بنفش می باشند و بررسی بازترکیب حاملها بویژه بازترکیبات اکسیتونی در این نیمرساناها برای بالا بردن بازده نوری قطعات اپتیکی دارای اهمیت می باشد. وجود افت و خیزهای پتانسیل در لبه گاف نواری ناشی از عوامل مختلفی مثل ناهمواریهای فصل مشترک چاه و سد و همین...

چکیده در50 سال اخیر، رفتار مقاومت ویژه وابسته به اسپین در نیمرساناهای مغناطیسی توسط محققان زیادی مورد مطالعه قرار گرفته است. مقاومت ویژه مغناطیسی به علت پراکندگی اسپین های سیار با اسپین های جایگزیده در شبکه، با همبستگی اسپین – اسپین متناسب است. بررسی ها نشان داده است که شکل منحنی مقاومت ویژه به برد همبستگی اسپین – اسپین بستگی دارد و همچنین بر اساس یافته های اخیر رفتار مقاومت ویژه اسپینی بعنوان...

طیف وسیعی از مواد نیمرسانا با آلایش عناصر واسطه (اتمهای مغناطیسی) وجود دارند، که این مواد را عموماً بعنوان نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده dms می شناسند. از سوی دیگر dms های حاصل از ترکیبات نیمرسانای گروه iii-v، بعلت امکان کاربرد آنها در اسپینترونیک، توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. افزایش تقاضا برای وسایل الکترونیکی حالت جامد که کیفیت بهتر و سرعت بیشتری نسبت به نمونه های موجود داشته ...

یکی از پدیده های نوری که به شکل قدرتمندی در سیلیکون وجود دارد، پدیده پراکندگی رامان است. اندازه ضریب بهره رامان در سیلیکون هزاران برابر قدرتمندتر از سیلیکا است. این امر یک مزیت بزرگ برای سیلیکون به شمار می رود. اما متأسفانه پهنای باند بهره رامان در سیلیکون به حدود 100 گیگاهرتز محدود می شود. این امر نه تنها سبب محدود شدن آن در کاربردهایی با پهنای باند کم می شود، بلکه مانع از ایجاد تقویت کننده ها...

در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می­شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می شود. سپس با ارائه یک مدل مداری برای آ...

آشکارسازی و اندازه گیری تابش یک موضوع اساسی در فیزیک هسته ای و مهندسی هسته ای می باشد. ابزارهای گوناگون در چند دهه ی اخیر جهت آشکارسازی و اندازه گیری ذرات با دقت بالا گسترش یافته اند. آشکارسازهای یدور سدیم (nai) وسایلی به منظور استفاده در آشکارسازی تابش و اندازه گیری فعالیت های هسته ای هستند. آشکارسازهای (nai(tl به طور معمول جهت تعیین و اندازه گیری فعالیت های چشمه های پرتوزای کم انرژی استفاده م...

در این پایان نامه به بررسی آشکارسازهای روا‎ admissible detectors ‎ می پردازیم. ابتدا پس از معرفی مفاهیم اولیه در تئوری آشکارسازی‏، به بررسی چندی از مهم ترین آشکارسازهای زیربهینه خواهیم پرداخت. ازجمله ی آشکارسازهای زیربهینه ای که در این نوشتار معرفی می شوند‏، آشکارسازهایی موسوم به آشکارسازهای تابع جداساز‎‎seperating ‎function ‎estimation ‎tets‎‎ هستند. مزیت این آشکارسازها این است که از نگاه آشکا...

در این مقاله، ناپایداری کششی نانوتحریک کننده تیرشکل یک سرگیردار ساخته شده از مواد تابعی مدرج مدل شده است و با استفاده از تئوری مرتبه بالای گرادیان کرنش اصلاح شده مورد بررسی قرار گرفته است. نانوتیر تابعی مدرج، از ترکیب ژرمانیوم-سیلیکون ساخته شده است که کسر حجمی هر جزء و در نتیجه خصوصیات مکانیکی تیر به صورت پیوسته بر مبنایی قانون ساده توانی در راستای ضخامت تغییر می کنند. با تغییر درصد کسر حجمی جز...

توسعه صنعت و فن آوری منجر به بهبود حساسیت و دقت بیشتر در سامانه های ردیاب می شود. درخواست برای بهبود دقت در اندازه گیری موقعیت به سرعت در حال افزایش است. با پیشرفت فن آوری نیم رسانا و دقت در ساخت قطعات نیم رسانا به خصوص آشکارسازهای تعیین موقعیت، اثرات غیرخطی کاهش یافته است. در سامانه های ردیاب، استفاده از یک سامانه آشکارساز تعیین موقعیت به همراه مدار الکترونیکی و پردازشگرها موجب کاهش خطای انداز...