نتایج جستجو برای: گاف هومو لومو

تعداد نتایج: 1239  

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمیده شاکری پور h shakeripour department of physics, isfahan university of technology, isfahan, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان

فهم و شناخت سازوکار جفت شدگی الکترون ها در ابررساناهای جدید، از مسائل بنیادین در زمینه ابررسانایی است. سازوکار جفت شدگی الکترون ها، با پارامتر نظم و در واقع با ساختار گاف یک ابررسانا رابطه مستقیم دارد. ابررساناهای متعارف موج s، دارای ساختار گاف متقارن در اطراف سطح فرمی هستند. حضور این ساختار پارامتر نظم متقارن، موجب می شود که بسیاری از خواص فیزیکی ماده در دماهای پایین، رفتار نمایی نسبت به دما ن...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2019

در این مقاله با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی، تأثیر میدان الکتریکی خارجی را در خواص الکترونی و اپتیکی گرافین دولایه و بورون‌نیترید دولایه و دولایۀ گرافین/بورون­نیترید با چینش AB بررسی کرده‌ایم. بررسی ما نشان می­دهد که ساختار الکترونی تمام این ساختارها در حضور میدان الکتریکی تغییر کرده، گاف انرژی آنان از این طریق کنترل‌پذیر می‌شود. با اِعمال میدان الکتریکی بر ساختار گرافین­دولایه، رابطۀ پاشندگی ا...

ژورنال: شیمی کاربردی 2020

آنتی اکسیدان‌ها مولکول‌هایی هستند که قابلیت آهسته کردن یا جلوگیری از اکسید شدن سایر مولکول‌ها را دارند. نقش و اثرات سودمند آنتی‌اکسیدان‌ها در مقابل بسیاری از بیماری‌های انسانی و فساد مواد غذایی که ناشی از فساد اکسایشی می‌باشند در سالهای اخیر توجهات زیادی را به خود جلب کرده است. در این تحقیق، سنتز هومو و کوپلیمر آنیلین و پیرول بر روی نوک مداد گرافیتی در محلول استیک‌اسید شامل الکترولیت حامل پارا‌...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حسن ربانی h rabani department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد محمد مردانی m mardaani department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iran nanotechnology research center, shahrekord university, 8818634141, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد مرضیه طالبی m talebi department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده اند. نتایج نشان می دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در...

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره‌ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1391

هدف از انجام این پژوهش، مطالعه، بررسی و محاسبه خواص الکترونیکی سه مولکول از خانواده آروماتیک ها، di thiol 3,3-bipyridyl، di thiol stilbene و di thiol imidazole، به خصوص بررسی طیف های گذار در حالت اعمال بایاس و در حالت بایاس صفر و نیز چگالی حالت ها با در نظر گرفتن اربیتال های مختلف اتم های مولکول میانی و نیز با در نظر گرفتن تمامی اربیتال ها برای تمامی اتم های موجود در سیستم مولکولی، تعیین ویژه م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه 1391

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
صمد روشن انتظار s roshan entezar university of tabrizدانشگاه تبریز مریم نیکخو m nikkhou university of tabrizدانشگاه تبریز

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

در این پژوهش، نانوذرات اکسید تیتانیوم آلاییده با آهن در غلظت مولی Fe/Ti از 1 تا 10% و دمای بازپخت 400 تا oC800 توسط طیف سنجی پراش اشعه x ، تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی (TEM) و طیف سنجی بازتاب پخشی (DRS) مورد مطالعه قرار گرفت. اندازه نانوذرات سنتز شده با استفاده از تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی تراگسیلی از 6 تا nm 100 تخمین زده شد. مطالعات اپتیکی طیف سنجی بازتاب پخشی نشان داد که آلای...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید