در بخش اول این تحقیق خواص ساختاری و الکترونی آدامانتان در فاز گاز و همچنین در فاز جامد با روش تابعیت چگالی مورد بررسی قرار گرفت و با یکدیگر مقایسه گردید. سپس یک تا چهار اتم هیدروژن موجود در یک مولکول آدامانتان با سدیم جانشین شد و خواص ساختاری و الکترونی آن ها بررسی گردید. نتایج به دست آمده نشان داد که جانشینی هیدروژن با سدیم باعث کاهش گاف نواری در این ترکیب می گردد. مقایسه نتایج فاز جامد و فاز ...

در این پایان نامه یک مدار مرجع ولتاژ پایین با توان پایین ارایه گردیده است. در مدار مرجع پیشنهادی تمامی ترانزیستورهای mos در ناحیه زیرآستانه بایاس گردیده اند. در ساختار مدار برای کاهش حجم اشغالی بر روی ویفر و همچنین کاهش توان تلفاتی، از مقاومت استفاده نشده است، برای سازگاری بیشتر با تکنولوژی cmos و جلوگیری از پیچیدگی مراحل ساخت، در مدار فقط از ترانزیستور mos استفاده گردیده است. این مدار شامل سه ...

در این مقاله ویژگی های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های lda،gga و pbe0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

In this research, we have studied the photonic band structure, optical properties and thermal emission spectrum of 2D Silicon photonic crystal with hexagonal structure. The band structure, band gap map and the gap size versus radius have been calculated by plane wave expansion method. The maximum band gap size of TE (TM) polarization and the complete gap size are 51% (20%) and 17% at air hole r...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این پایان نامه ترابرد الکترونی ونحوه ایجاد گاف نواری انرژی در باریکه ای از گرافین تک لایه را در حضور پتانسیل متناوب اعمالی بررسی و مطالعه میکنیم. در ساختار شبکه لانه زنبوری گرافین درجه آزادی اضافه ای بنام شبه اسپین وجود دارد که برای تشریح محل قرار گرفتن اوربیتالهای توابع موج در شش گوشه ساختار لانه زنبوری مطرح شده است. گرافین در حالت نرمال یک نیمرسانای بدون گاف محسوب میشود. حضور پتانسیل متنا...

در این پژوهش به بررسی خواص الکترونی نانولوله کربنی تک دیواره نوع زیگ- زاگ در شرایط فیزیکی مختلف از جمله حضور ناخالصی پرداخته¬ایم. روش¬های عددی به کار رفته در این محاسبات مبتنی بر هامیلتونی تنگ بست، رهیافت تابع گرین و فرمول¬بندی لانداور می¬باشد. ناخالصی اعمال شده به ساختار نانولوله، عنصر بور می¬باشد. نتایج ما نشان می¬دهد که نانولوله خالص متناسب با قطر و کایرالیته آن می¬تواند فلز یا نیم¬رسانا باش...

در این تحقیق خواص الکترونی و اپتیکی بلور پیزو الکتریک (sr3)x nbga3si2o14 (ca3)1-x به ازاء0 ,1/2 ,1) (x= با استفاده از روش پتانسیل کامل موج تحت افزوده شده خطی (fp-lapw) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که در جا به جایی ابر الکترونی نسبت به دو بلور دیگر بیشتر است. همچنین گاف نواری نسبت به به اندازهev 21/0 افزایش می یابد..این افزایش گاف روی خواص الکترواپتیکی تاثیر می ...

در این پایان نامه، طراحی و شبیه سازی یکی از مهمترین ساختارهای مورد نیاز در سیستم های مدارهای مجتمع نوری، یعنی مبدل های آنالوگ به دیجیتال بر اساس بلورهای فوتونی انجام شده است. از اهداف این طراحی، رسیدن به تلفات کم و سرعت زیاد است. برای رسیدن به این اهداف، ابتدا با استفاده از ساختارهای میله ای و حفره ای (بطور جداگانه) از جنس سیلیکون و ژرمانیم با توپولوژی های مربعی و مثلثی یک مبدل adc دوبیتی طراحی...

در این مقاله، مسئلۀ ویژه مقداری غیرخطی برای محاسبۀ ساختار نواری فوتونی بلور فوتونیک دوبعدی با استفاده از روش عددی mmp بررسی شده است. ساختار نواری بلور فوتونیک دوبعدی برای دو قطبش te و tm محاسبه شده است.  جزئیات روش محاسباتی شامل چیدمان فضای شبیه­سازی، مدل سازی میدان­های داخل و بیرون جسم، شرایط مرزی تناوبی فرضی شرح داده شده­اند. در طراحی فضای شبیه­سازی خصوصیات فیزیکی منطقۀ اول بریلوئن بلور نظیر ...