نتایج جستجو برای: گاف نواری

تعداد نتایج: 2955  

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایه 1392

در این پایان نامه خواص مغناطیسی، الکترونیکی و اپتیکی ترکیب ca3comno6در سه تقریب gga، gga+u، gga+u+so مطالعه شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری و چگالی حالت های کلی را با استفاده از سه تقریب محاسبه و با یکدیگر مقایسه گردید. نتایج بدست آمده نشان می دهند که این ترکیب گاف نواری غیر مستقیم در حالت اسپین بالا و پایین دارد که هرچه از تقریبgga دور می شویم (با در نظر گرفتن برهم کنش اسپین-مدار) ...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
سمیرا ولی محمدی مرتضی ایزدی فرد محمد ابراهیم قاضی بهرام بهرامیان

ابتدا لایه های نازک اکسید کادمیوم روی cdzno به ضخامت متوسط 155 نانومتر بر روی زیر لایه های شیشه ای با روش سل-ژل چرخشی رشد داده شدند. سپس لایه های آماده شده در دماهای 500 و 450 درجه سانتیگراد بازپخت شدند. خواص اپتیکی و ساختاری این نمونه ها با استفاده از نتایج حاصل از اندازه گیری های طیف عبور و بازتاب و پراش پرتوایکس و همچنین تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شدند. نتایج این مطالعه نشان داد ک...

ژورنال: :علوم 0
فرهاد اسمعیلی قدسی farhad e.ghodsi university of guilanعضو هیئت علمی دانشگاه گیلان زهرا باژن دانشگاه گیلان جمال مظلوم دانشگاه گیلان

فیلم‏های نازک اکسید منیزیم به روش سل- ژل تهیه شدند. اثر دمای بازپخت روی خواص اپتیکی، ساختاری و مورفولوژیکی فیلم‏ها با استفاده از ftir، uv-visible، اسپکتروسکوپی فوتولومینسانس (pl)، پراش پرتو x (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شد. ثابت‏های اپتیکی و ضخامت فیلم‏ها با رهیافت کمینه‏سازی نامقید نقطه‏گرا تعیین شد. شفافیت اپتیکی فیلم‏ها با افزایش دما کاهش می‏یابد. با افزایش دما ضریب شکست و ض...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1392

خواص ساختاری و الکترونی فازهای رتایل،آلفا کوارتز،آلفا دی¬اکسید سرب،دی¬کلرید کلسیم و پیرایت از دی¬اکسید ژرمانیم توسط روش موج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) محاسبه شده است.پتانسیل تبادلی-همبستگی توسط تقریب چگالی موضعی رفتار می¬کند.چگالی حالتهای کلی و جزئی و همچنین ساختار نواری برای هر فاز محاسبه شده است.محاسبات نشان می¬دهد که سهم عمده چگالی حالتها در زیر سطح فرمی مربوط به اوربیتاله...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1393

در این پژوهش نانوذرات cds با پیش ماده های کاتیونی کادمیوم نیترات و آنیونی سدیم سولفید به روش سیلار روی زیرلایه های شیشه ای در دمای اتاق نشانده شدند. به منظور ساخت نمونه های مختلف، زیرلایه ها به مدت زمان مشخص و با تعداد چرخه غوطه وری مشخص در محلول ها قرار گرفتند. نمونه های cds آلاییده به ag با پیش ماده های کاتیونی کادمیوم نیترات و نقره نیترات و پیش ماده آنیونی سدیم سولفید با میزان آلاییدگی %10 ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1389

ویژگی های الکترونی یک نانو لوله را می توان از ورقه گرافیت دو بعدی به دست آورد اما مطالعات اخیرِ ساختارِ نواریِ نانو لوله ها از مدل گرافین فراتر رفته به طوری که محاسبات، اثرات خمش را نیز در بر گرفته است. این محاسبات نشان می دهد که خمش ذاتی نانو لوله های کربنی سهم مهمی در تغییر گاف نواری نانو لوله های کربنی دارد. در این پایان نامه با استفاده از روش تنگ بست نواری و رابطه پاشندگی انرژی، تغییرات گاف ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده علوم 1393

در این پایان نامه خواص ساختاری، کشسانی، ترمودینامیکی، الکترونی و خواص اپتیکی در حالت انبوهه و همچنین خواص سطح در صفحه‏ی (110) نیم‏رساناهای گروه iii-v حاوی آنتیموان و آرسنیک مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته ی خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی و تقریب هایpbe-gga ، lda، wc، pbesol و mbj با استفاده از کد محاسباتی wien2k انجام شده است...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1389

گرافین دولایه هم مانند تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است، اما مطالعات توری و تجربی اخیر نشان داده اند که می توان گاف نواری قابل توجهی را با کاهش دادن تقارن سیستم با استفاده از یک میدان الکتریکی عمود بر لایه ها به وجود آورد. بنابراین ماده ای با گاف نواری قابل کنترل داریم که استفاده از آن در وسایل الکترونیکی و اپتوالکترونیکی که وجود یک گاف نیمرسانایی لازم است، را ممکن می سازد. به خصوص گافی به اند...

لایه‌های دوبعدی ‌دی‌کالکوجنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف‌های نواری مستقیم، افق جدیدی‌ در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواری باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه‌ها در دستگاه‌های فوتوولتاییک می‌شود. قرارگیری این لایه‌ها روی زیرلایه به علت بازتاب‌های متوالی، بر طیف جذب اثر می‌گذارد. به طور متداول، از SiO2 یاSi و یا ترکیب آنها به عنوان زیرلایه برای این تک لایه‌ها...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید