نتایج جستجو برای: گاف نوار

تعداد نتایج: 4151  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1392

خواص نوری و حفاظی در برابر تابش گامای شیشه های 0/7 b2o3- (0/3-x) pbo- xceo2 محتوی x=0, 0/5, 1, 1/5 و 2 بررسی شد. اثرات تابش گاما بر روی شبکه شیشه با تابش دهی نمونه های شیشه با یک رادیوایزوتوپ 60co تا دز 2/5kgy مورد مطالعه قرار گرفت. تحلیل نوری شیشه ها با فن اندازه گیری بیناب نمای ftir و uv-vis انجام گرفت. مقادیر نوار گاف نوری و پهنای دنباله انرژی بالای گاف پویا از روی طیف جذبی نوری تخمین زده شد...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمید پاشایی عدل h pashaei adl department of physics, university of tabriz, tabriz, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز صمد روشن انتظار s roshan entezar department of physics, university of tabriz, tabriz, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز

در این مقاله صافی های چند کاناله، بر پایه ساختارهای تیو- مورس حاوی شبه مواد تک منفی مطالعه شده است. نشان داده شده است که تعداد مدهای تشدیدی در داخل گاف نوار فاز- صفر با افزایش تعداد فصل مشترک ها (m) افزایش می یابد. تعداد این مدهای تشدیدی دقیقاً برابر با تعداد فصل مشترک ها است و می توانند به عنوان صافی های m - کاناله استفاده شوند. زمانی که اتلاف در نظر گرفته شود، نتایج نشان می دهد که میدان الکتری...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حمیده کاویانی h. kaviani institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان عبدالعلی رمضانی a. ramazani institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان محمد الماسی کاشی m. almasi kashi institute of nanoscience and nanotechnology, kashan universityپژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان

با استفاده از روش مرتبه n و محاسبات ساختار نواری بلور نوری آلومینای حفره دار در راستای gx و بررسی تطابق نتایج آن با نتایج تجربی اندازه گیری ضرایب جذب و بازتاب, تغییرات نمار شکست آلومینا در ناحیه اکسید خارجی حول حفره ها مورد مطالعه قرار گرفت. در این محاسبات برای توزیع آنیونهای اسیدی فسفات در ناحیه اکسید خارجی تابعیت گاوسی در نظر گرفته شد و تعیین تغییرات نمار شکست, منجر به مشخص شدن عمق نفوذ آنیون...

ژورنال: :اپتوالکترونیک نظری و کاربردی 0
ثمین ابراهیمی کارشناس ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور سید علی هاشمی زاده عقداء استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب alingan از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به دست...

ژورنال: :بلورشناسی و کانی شناسی ایران 0
سیده ماندانا حمزه ساروی department of physics, faculty of sciences, university of guilan, rasht, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان، رشت، ایران فرهاد اسمعیلی قدسی department of physics, faculty of sciences, university of guilan, rasht, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان، رشت، ایران

فیلم­های نازک نانو ساختاری اکسید نیکل با روش غوطه وری سل- ژل تهیه شدند. از سه روش (تابش فروسرخ، آون و مایکروفِر) برای خشک کردن فیلم­ها استفاده شد. اثر روش خشک­سازی روی خواص اپتیکی، مولکولی، الکتریکی، ساختاری و مورفولوژی فیلم­ها به ترتیب به­وسیله طیف سنج نوری مریی- فرابنفش، طیف­سنج تبدیل فوریه فروسرخ، اثر هال، پراش پرتو x، میکروسکوپ نیروی اتمی، و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. ثاب...

ژورنال: :شیمی کاربردی 0
حیدرعلی شفیعی گل گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران مرتضی فاضل زاده گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و ارتعاشی فاز مکعبی 3bahfo به روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با دو تقریب lda و gga  مورد بررسی قرار می گیرند. اجرای محاسبات در بسته نرم افزاری کوانتوم اسپرسو نشان می دهد که ساختار نواری 3bahfo شامل یک گاف نواری مستقیم ev 67/3 و ev 88/3 در نقطه ی g (مرکز شبکه وارون) برای تقریب های lda و gga  است که الکترون های ظرفیت اتم ba در پایین ترین نوارها...

ژورنال: :علوم 0

در این مقاله اندازه گیری های طیف نگاری در محدوده فرکانس khz 10 تا mhz 4 در دماهای متفاوت برای احساسگرهای نیمه رسانا و لایه نازک au/clmgpc/au گزارش شده است. تغییرات رسانائی الکتریکی(a.c) به دست آمده با فرکانس زاویه ای به صورت تابع تغییر می کند. توان n در فرکانس های بالا با تقریب خوبی برابر یک است. اندازه گیری ها در این تجربه مکانیزم رسانائی الکتریکی در دماهای پائین و فرکانس های بالا در این لایه ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده فیزیک 1392

در این پایان نامه در نظر داریم توزیع میدان مغناطیسی و جریان الکتریکی را در یک مجوعه از نوار های ابررسانای هم صفحه، با تعداد نوار های دلخواه به دست آوریم. دو پیکربندی مشخص در نظر گرفته شده است، که در یکی، انتهای نوار ها به گونه ای به یکدیگر متصل شده که مجموعه تشکیل یک حلقه ابررسانا را می دهد و در دیگری سیستمی به صورت خطوط انتقال در نظر خواهیم گرفت. سیستمی که به صورت یک حلقه در آمده را در یک میدا...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده علوم پایه 1390

هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونی و اپتیکی in(io3)3، در فاز هگزاگونال، در حالت خالص و آلائیده با ناخالصی گالیوم (ga) و آلومینیم (al)، می­باشد. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده­ی خطی (fp-lapw) و تقریب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج به دست آمده از ساختار نواری نشان می­دهد که in(io3)3، یک نیمه­رسانا با گاف نواری غیر مستقیم در راستای m به g، به اند...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1390

نمونه های سیلیکان متخلخل از ویفرهای سیلیکان نوع p، با زمان های خوردگی 10و 20 و 30 و 40 دقیقه، با چگالی جریان ثابت ساخته شدند. تصاویر sem گرفته شده از بالا و سطح مقطع نمونه ها نشان داد که با افزایش زمان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ی متخلخل افزایش می یابند. برای گرفتن طیف جذب اپتیکی نمونه ها، لایه ی سیلیکان متخلخل از زیر لایه ی سیلیکان به روش مکانیکی جدا شد، به این ترتیب سیلیکان متخلخل بر پا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید