لایه‌های نازک ZnS بر روی زیرلایه‌های شیشه‌ای در دماهای مختلف زیرلایه به دو روش تبخیر در خلأ (PVD) و اسپری پایرولیزیز لایه‌نشانی شدند و در دمای °C 500 درهوا بازپخت گردیدند. تغییر در خواص اپتیکی و ساختاری لایه‌ها توسط طیف پراش اشعة ایکس و طیف‌سنجی UV/VIS بررسی شد و همچنین به‌کمک داده‌های طیف عبوری، گاف انرژی محاسبه گردید. نتایج آزمایش‌ها حاکی از آن است که همة لایه‌ها دارای ساختار مکعبی هستند. تبل...

در این تحقیق، گاف انرژی homo-lumo، قطبش­پذیری، پارامترهای ساختاری، جرم مولکولی، سختی، پتانسیل شیمیایی و شاخص الکتروندوستی ترانس- سینامالدهید یکی از مواد موثره دارچین در فاز گازی و در حلال­های اتانول، استون و دی کلرومتان محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از نظریه تابعی دانسیته با روش b3lyp و با مجموعه پایه­­های 6-311g+(d,p) و dgdzvp بر روی ترکیب انجام شده است. مطابق محاسبات انجام شده گاف انرژی ...

در این کار برخی از ویژگی‌های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبSrFe2O4  بررسی می‌شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب‌های مختلف برای انرژی تبادلی-‌همبستگی و با استفاده از نرم‌افزار Wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که برای ترکیب SrFe2O4 نظم فری‌مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری‌مغناطیس،...

عبور الکترون و رسانندگی ابرشبکه ی گرافن را می توان به روش ماتریس گذار بررسی کرد. ابر شبکه گرافن شامل سد و چاههای پشت سر هم است. گرافن بر خلاف رساناهای دیگر، بین باندهای هدایت و ظرفیتش فاصله ندارد. چنین فاصله ای برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد جریان الکترون ها را قطع و وصل کند. یکی از مشکلات وسایلی که با گرافن ساخته می شوند، وجود مینیمم رسانندگی در ولتاژ صفر است....

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

خواص ساختاری و اکترونی انبوه نیترید گالیم، سه نانولوله زیگزاگ (?و?)، (?و??) و (?و??) و نانوسیم ورتسایت فسفید گالیم محصور شده در نانولوله ی (?و??) نیترید گالیم با استفاده از نظریه تابعی چگالی و تقریب شیب تعمیم یافته مورد بررسی قرار گرفته است. پس از بهینه سازی ساختاری نانولوله ها، تغییر شعاع حلقه ی نیتروژن نسبت به شعاع حلقه گالیم (باکلینگ شعاعی) و همین طور گاف انرژی محاسبه شده است. با افزایش شعاع...

دراین تحقیق، خواص ساختاری، الکتریکی و نوری فولرن C20همراه تعداد متفاوت از اتم های بریلیوم (Be) متصل برروی سطح آن بررسی شده است. نتایج نشان داد که پایداری نانوخوشه‌ها با اضافه‌کردن تعداد اتم‌های بریلیوم افزایش یافت و با افزایش تعداد اتم بریلیوم در اطراف C20، گاف HOMO-LUMO عموماً کاهش یافت ولی بیشترین کاهش در گاف انرژی (Eg) در دو ساختار Be4@C20-trans و Be6@C20 با گاف انرژی 69/0 و 49/0 دیده شد. همچ...