نتایج جستجو برای: کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک
تعداد نتایج: 100988 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارftirبررسی میکنیم ساختارftirشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو pimnim تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...
در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی، اپتیکی و کشسانی سولفید استرانسیوم در فاز کلرید سدیم بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل بارپایسته در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم افزار صورت گرفته است. تابع دی الکتریک برای تابش تا حدود 40 الکترون ولت محاسبه شده است. گاف نواری به دست آمده درراستای (x-γ) 4933/2الکترون ولت است که با دیگر داده های موجود سازگاری خوبی دارد.
امروزه شاهد ظهور فناوری های نو در جهان پیرامون خود هستیم. در این بین از نانوفناوری به عنوان فناوری تعیین کننده در عرصه های مختلف یاد می شود و صنعت مخابرات و مخابرات نوری نیز تحت تأثیر قرار خواهند گرفت. در این پروژه سعی شده است تا تأثیر نانوفناوری در مخابرات نوری بررسی شود و نقش بلورهای نوری، کریستال های فوتونی و محیط های ژیروتروپیک و تأثیر آنها بیان شود. تأثیرات نانوفناوری در مخابرات، تاریخچه، ...
در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1 ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.
در تحقیق ارائه شده برای اولین بار با استفاده از میکرو تخلیه الکتریکی خشک و ابزاری استوانه ای برنجی برای پلیسه گیری لبه های قطعه ای مستطیلی از جنس فولاد قالب mo40 استفاده شده است. تخلیه الکتریکی خشک یکی از روش های نوین ماشینکاری است که در آن از سیال گازی به عنوان دی الکتریک استفاده می شود و به هنگام شکست دی الکتریک، از طریق تشکیل کانال پلاسما براده برداری صورت میپذیرد. در این پایان نامه هدف بدست...
با توجه به نظریه انعکاس و کاربردهای فراوان آینه، می توان به آینه های با پوششهای لایه نازک، فلز- دی الکتریک دست یافت. از این رو در این مقاله بادر نظر گرفتن رهیافت فوق و با استفاده از مواد جدید،آینه ای با حداکثر بازتاب نزدیک به 100% و با بسترهای از جنس فلز آلومینیوم ساخته شده است. آینهی فلزی ساخته شده یک انعکاس دهندهی بسیار خوب در بازه طول موجی 3 تا 5 میکرومتر می باشد.لایه واسط مطلوب برای لای...
در این تحقیق مدل سازی و تحلیل المان محدود مواد تک کریستال، چند کریستالی و در نهایت آلیاژهای دو فازی با استفاده از مدل الاستیسیته غیر یکنواخت و کریستال پلاستیسیته مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. در مدل کریستال پلاستیسیته از معادلات متشکله ای برای مدل کردن رفتار تک کریستال ها استفاده می شود تا بتوانند جواب هایی مایکروسکوپیک از پاسخ های اختصاصی کریستال، فرموله کنند. این مدل ها، شبیه سازی کرنش سخت...
یکی از جالبترین ویژگیهای نانوذرات فلزی، خواص نوری آنها بوده که متناسب با شکل، اندازه و جنس نانوذرات و محیط پیرامون نانوذره تغییر میکند. فلزات با ساختار نانو، خواص نوری بسیار جالب و پیچیدهای نشان میدهند که ناشی از ایجادیا تحریک پلاسمونهای سطحی در آنها میباشد. تحریک پلاسمونهای سطحی در نانوذرات فلزی به خواص نوریای منجر می شود که در دیگر مواد اپتیکی به سختی قابل دستیابی هستند و در نتیجه منجر به یک ...
ساختارهای بلور فوتونیکی، برپایه آرایش تناوبی ثابت دی الکتریک، عبور و یا بازتاب نور را در یک بازه فرکانسی قابل تنظیم، کنترل می کنند. با ایجاد نقص در آرایه های دورهای، ویژگیهای اساسی شبکه بلور فوتونیکی نظیر محبوسسازی قوی نور، بهطور قابل توجهی تغییر میکنند. یک میکرو- نانوکاواک در یک ساختار بلور فوتونیکی یک، دو و سه بعدی، با حذف یک یا تعدادی حفره-هوا از شبکه تناوبی، یا با تغییر اندازه تعدادی ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید